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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

解決里程焦慮?主驅(qū)、OBC需求差異?失效風(fēng)險(xiǎn)?碳化硅上車背后的那些事

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來,碳化硅(SiC)上車的節(jié)奏明顯加快了,搭載SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,或是SiC OBC的新車型陸續(xù)上市,比如蔚來ET5...

2022-10-24 標(biāo)簽:碳化硅OBC汽車 1.9k 0

安森美1200V EliteSiC M3e平臺(tái)讓平面碳化硅性能拉滿

安森美1200V EliteSiC M3e平臺(tái)讓平面碳化硅性能拉滿

最近,行業(yè)內(nèi)玩家8英寸碳化硅量產(chǎn)如火如荼的進(jìn)行中,安森美(onsemi)也計(jì)劃于今年晚些時(shí)候?qū)?英寸碳化硅晶圓進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年投入生產(chǎn)。而在柵極...

2024-10-31 標(biāo)簽:安森美晶圓SiC 1.9k 0

破局300mm!Wolfspeed碳化硅晶圓取得關(guān)鍵突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 美國(guó)東部時(shí)間2026年1月13日,全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed公司宣布成功制造出單晶300毫米(12英寸)碳化硅...

2026-01-15 標(biāo)簽:碳化硅Wolfspeed 1.9k 0

SiC市場(chǎng)變革:全球供應(yīng)鏈競(jìng)爭(zhēng)激烈

近年來,碳化硅(SiC)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了重大變革,從歐美的IDM主導(dǎo)到中系廠的嶄露頭角,市場(chǎng)格局正經(jīng)歷激烈的變化。這場(chǎng)變革將如何影響供應(yīng)鏈?以下是本文關(guān)...

2023-10-23 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 1.9k 0

特斯拉下一代平臺(tái)點(diǎn)亮碳化硅產(chǎn)業(yè)變革新方向

特斯拉下一代平臺(tái)點(diǎn)亮碳化硅產(chǎn)業(yè)變革新方向

其中,在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅器件主要用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC和充電樁。2017年,特斯拉率先在其Model3車型上使用碳化硅器件,以簡(jiǎn)化供電...

2023-04-24 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 1.9k 0

三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng) 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場(chǎng)?

根據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo),三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 (GaN)市場(chǎng),目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。

2023-07-19 標(biāo)簽:三星電子功率器件氮化鎵 1.9k 0

直面第三代半導(dǎo)體痛點(diǎn) 多位重磅專家齊聚深圳

直面第三代半導(dǎo)體痛點(diǎn) 多位重磅專家齊聚深圳

國(guó)內(nèi)一流專家匯聚!直擊第三代半導(dǎo)體“卡脖子”問題!行業(yè)盛會(huì)不容錯(cuò)過~ 從全球范圍看,先進(jìn)半導(dǎo)體作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石,供需矛盾突出。而我國(guó)在當(dāng)前嚴(yán)峻的國(guó)...

2023-03-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.9k 0

三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

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三菱電機(jī)今天宣布,將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。

2023-11-15 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體 1.9k 0

新納傳感宣布推出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的MCx2101系列汽車電流傳感器

近日,高性能薄膜磁阻(xMR)電流傳感器領(lǐng)先研發(fā)商新納傳感(ACEINNA)宣布推出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的MCx2101系列汽車電流傳感器。

2024-02-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車單芯片電流傳感器 1.9k 0

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

從汽車到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列場(chǎng)景應(yīng)用正在改變電力電子領(lǐng)域。

2024-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.9k 0

天津工業(yè)大學(xué)李龍女:基于***的平面型封裝1700V碳化硅模塊開發(fā)與性能表征

SiC/GaN器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、高耐壓、低開關(guān)損耗和高工作溫度當(dāng)前亟需針對(duì)SiC器件/模塊的先進(jìn)封裝,需要?jiǎng)?chuàng)新低寄生/雜散阻抗、高散熱效率的...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片功率模塊碳化硅 1.9k 0

當(dāng)碳化硅遇見新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界

當(dāng)碳化硅遇見新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界

該方案采用簡(jiǎn)單高效率的無橋功率因數(shù)校正電路,適用于鈦金級(jí)AC/DC 交直流變換器設(shè)計(jì)。因采用CCM模擬控制芯片,而實(shí)現(xiàn)快速、精確、可靠的模擬控制,無需編...

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 1.9k 0

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投,國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本...

2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SBD 1.9k 0

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的...

2025-06-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.9k 0

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目啟動(dòng),預(yù)計(jì)今年一季度封頂

據(jù)廈門日?qǐng)?bào)的最新報(bào)道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝,標(biāo)志...

2025-01-24 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 1.9k 0

派恩杰入選2022杭州市準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)榜單

8 月底,由《商業(yè)周刊/中文版》CITYLAB 主辦的“前瞻·典范·思想?yún)R”系列沙龍活動(dòng)在杭州西子湖四季酒店拉開帷幕。

2022-09-02 標(biāo)簽:碳化硅獨(dú)角獸派恩杰 1.9k 0

TOPIC | 解鎖APCSCRM 2025 報(bào)告主題,邀請(qǐng)您11月25日鄭州見

TOPIC | 解鎖APCSCRM 2025 報(bào)告主題,邀請(qǐng)您11月25日鄭州見

第六屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議(APCSCRM 2025)將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會(huì)議將以“芯聯(lián)新世界,智啟源未來(W...

2025-11-17 標(biāo)簽:展會(huì)碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1.9k 0

碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻...

2025-09-03 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 1.9k 0

產(chǎn)能提高五倍!三菱電機(jī)宣布投資建8吋SiC工廠

新增投資的主要部分,約 1000 億日元,將用于建設(shè)新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區(qū)的自有設(shè)施,將生產(chǎn)大直...

2023-03-17 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC碳化硅 1.9k 0

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。

2022-07-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFETIGBT 1.9k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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      柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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