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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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在元件層面,硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多,并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示,將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...
中瑞宏芯完成近億元融資,系SiC功率半導(dǎo)體企業(yè)
中瑞宏芯將于2021年在海外回國(guó)技術(shù)專家和國(guó)內(nèi)電力半導(dǎo)體業(yè)界的最佳產(chǎn)品被開(kāi)發(fā)組成立了,新一代節(jié)能高效碳化硅功率正致力于開(kāi)發(fā)芯片和模塊,而且電力半導(dǎo)體及碳...
Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開(kāi)啟大規(guī)模商用
全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品...
近日,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(AccoPower)向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點(diǎn),開(kāi)啟了博世和...
設(shè)計(jì)人員當(dāng)然對(duì)碳化硅感興趣,因?yàn)樗哂袧摿?。這種潛力包括:在不損失效率的情況下實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)——這意味著更快的開(kāi)關(guān)和 更低的開(kāi)關(guān)損耗。 導(dǎo)通電阻 (RDS...
SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)
近日,在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會(huì)上,基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)”?;景雽?dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...
2024-04-02 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0
用于先進(jìn)芯片生產(chǎn)的碳化硅陶瓷基板應(yīng)用
隨著用于半導(dǎo)體制造的光刻系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜,組件供應(yīng)商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當(dāng)前和未來(lái)的需求?;谏疃葍?nèi)部研發(fā),由高性能SiSiC制成...
CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開(kāi)關(guān)
高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開(kāi)關(guān) JUPITER ,據(jù)稱是首款以簡(jiǎn)單0/5V邏輯電平無(wú)縫閘極控制的高溫碳化硅...
2011-04-14 標(biāo)簽:電源開(kāi)關(guān)CISSOIDJUPITER 1.8k 0
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 ...
2025-06-07 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0
碳化硅MOSFETs進(jìn)入量產(chǎn)階段 碳化硅(SiC)功率器件提供更高的開(kāi)關(guān)效率,非常適合高溫和中高壓應(yīng)用(1,2)。因此,它們有望在未來(lái)十年刺激1000 ...
碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展
甲碳化硅(SiC) JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型,它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS(ON)的每單位面積和是一個(gè)強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...
晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷
晶體生長(zhǎng)在分析晶體生長(zhǎng)時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹了晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容,包括:雜對(duì)晶格硬度變化影響、碳化...
為何新能源汽車減產(chǎn),SiC生產(chǎn)線依舊需要擴(kuò)產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺帶來(lái)的影響傳導(dǎo)到新能源汽車、智能手機(jī)等終端市場(chǎng),這其中對(duì)于新能源汽車的影響更加露骨。從1月份至3月份,新能源...
基本半導(dǎo)體為客戶開(kāi)發(fā)具有兼容性汽車級(jí)碳化硅功率模塊
為提升新能源汽車整體性能,全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊,碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率,在降低電池...
2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0
英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件,助力大型雷達(dá)加速發(fā)展
有源電子掃描陣列(AESA)系統(tǒng)愈來(lái)愈受到研發(fā)的青睞,該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺(tái)上,同時(shí)在陸地和海事細(xì)分市場(chǎng)也有采用。
中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件
近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)...
2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 1.8k 0
國(guó)科推出第五代Thinned MPS? 碳化硅二極管KS10065(650V/10A)
森國(guó)科KS10065系列產(chǎn)品擁有超低的VF值,可降低正向?qū)〒p耗;少子器件零反向恢復(fù),在反向恢復(fù)過(guò)程中極大的減少了反向恢復(fù)損耗,同時(shí)又減少了EMI干擾,...
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