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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

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近日,行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì),也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的...

2025-05-26 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.2k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...

2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1.2k 0

安森美完成收購(gòu)GT Advanced Technologies

安森美的客戶將得益于GTAT在晶體生長(zhǎng)方面的豐富經(jīng)驗(yàn),及其在開(kāi)發(fā)晶圓就緒的SiC方面令人嘆服的技術(shù)能力和專知。

2021-11-02 標(biāo)簽:安森美晶圓智能電源 1.2k 0

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝,使用銅鍵合技術(shù),高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上,工作溫度可達(dá)175...

2023-11-02 標(biāo)簽:模塊IGBT碳化硅 1.2k 0

安森美和麥格納戰(zhàn)略合作,投資碳化硅生產(chǎn)以滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)需求

2023年7月28日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼:ON)和麥格納(Magna,紐約證交所股票代碼:MG...

2023-07-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美碳化硅 1.2k 0

A*STAR微電子研究所和意法半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)電動(dòng)汽車和工業(yè)用碳化硅

A*STAR微電子研究所和意法半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)電動(dòng)汽車和工業(yè)用碳化硅

 在電動(dòng)汽車(EV)和工業(yè)用電力電子設(shè)備中,SiC解決方案的性能表現(xiàn)比傳統(tǒng)硅(Si)基器件更好,而且可以滿足市場(chǎng)對(duì)外形尺寸更小或功率輸出更高、工作溫度更...

2021-11-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體...

2022-12-08 標(biāo)簽:ST意法半導(dǎo)體襯底 1.2k 0

芯聯(lián)集成與蔚來(lái)汽車簽署碳化硅生產(chǎn)供貨協(xié)議

近日,芯聯(lián)集成與蔚來(lái)汽車簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議條款,芯聯(lián)集成將成為蔚來(lái)首款自研1200V碳化硅模塊的獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng)商。

2024-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅蔚來(lái)汽車 1.2k 0

小鵬汽車法國(guó)上架,起價(jià)5.99萬(wàn)歐元,預(yù)計(jì)年內(nèi)開(kāi)設(shè)35家門店

小鵬汽車法國(guó)市場(chǎng)傳播總監(jiān)Thomas Rodier表示,公司致力于開(kāi)拓法國(guó)高端市場(chǎng),作為首家進(jìn)入法國(guó)的中國(guó)高端電動(dòng)車品牌,無(wú)論是市場(chǎng)定位、產(chǎn)品性能還是定...

2024-05-17 標(biāo)簽:電池組碳化硅小鵬汽車 1.2k 0

SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)宣布,雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm(...

2024-04-23 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC 1.2k 0

芯聯(lián)集成CEO趙奇展望:碳化硅業(yè)務(wù)2024年?duì)I收目標(biāo)突破10億元

公司實(shí)現(xiàn)總收入53.25億元,同比增長(zhǎng)15.59%,其中主營(yíng)業(yè)務(wù)收入實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)24.06%,同期虧損額也有增加,虧損額增加的主要原因來(lái)自公司固定資產(chǎn)折...

2024-03-22 標(biāo)簽:碳化硅芯聯(lián)集成 1.2k 0

日本電裝和三菱將投資10億美元 獲取對(duì)Coherent碳化硅部門25%股權(quán)

日本電裝公司和三菱電器為了確保激光及光學(xué)公司coherent高意(Coherent Corp.)碳化硅事業(yè)的四分之一股份,決定合作投資10億美元。

2023-10-11 標(biāo)簽:激光三菱碳化硅 1.2k 0

10.1.5 節(jié)終端擴(kuò)展(JTE)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.5 節(jié)終端擴(kuò)展(JTE)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.5節(jié)終端擴(kuò)展(JTE)10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代...

2022-04-06 標(biāo)簽:碳化硅 1.2k 0

功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元,SiC等占45%

功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元,SiC等占45%

此次調(diào)查針對(duì)功率半導(dǎo)體18項(xiàng)、零部件材料20項(xiàng)、制造設(shè)備19項(xiàng)。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。

2024-03-06 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

近日,環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專注于開(kāi)發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025...

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意大利和法國(guó)達(dá)成協(xié)議解決意法半導(dǎo)體公司治理爭(zhēng)端

據(jù)公開(kāi)資料披露,在意法人事變動(dòng)中,意大利財(cái)政部及法國(guó)Bpifrance SA共同持有控股公司50%股權(quán),該公司則掌控著意法半導(dǎo)體約27.5%的股票。

2024-03-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

英飛凌將投資逾20億歐元在馬來(lái)西亞居林前道工廠擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能,進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴(kuò)大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導(dǎo)體的產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的...

2022-02-21 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1.2k 0

MG400Q2YMS3 碳化硅 N 溝道 MOSFET 模塊解析:特點(diǎn)與應(yīng)用

MG400Q2YMS3 碳化硅 N 溝道 MOSFET 模塊解析:特點(diǎn)與應(yīng)用

隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,功率電子器件在能源轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N...

2025-01-06 標(biāo)簽:模塊MOSFET碳化硅 1.2k 0

電動(dòng)汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

電動(dòng)汽車充滿了需要電力的電子設(shè)備,從牽引逆變器到車載充電器和輔助電源。在所有情況下,為了實(shí)現(xiàn)高效率,開(kāi)關(guān)模式技術(shù)都用于生成電壓軌,這依賴于以高頻運(yùn)行的半導(dǎo)體。

2022-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體IGBT 1.2k 0

英飛凌推出全新400V CoolSiC MOSFET系列

隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng),成為了一個(gè)不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。

2025-02-06 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 1.2k 0

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