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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

Microchip新推出一系列SiC功率器件 具有良好耐用性以及寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著市場(chǎng)對(duì)SiC技術(shù)的效率和功率密度的要求不斷上升,新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。

2019-05-17 標(biāo)簽:asicmicrochip碳化硅 1.1k 0

賦能AI革命:傾佳電子SiC碳化硅器件如何重塑數(shù)據(jù)中心與電網(wǎng)的能源格局

賦能AI革命:傾佳電子SiC碳化硅器件如何重塑數(shù)據(jù)中心與電網(wǎng)的能源格局

賦能AI革命:傾佳電子SiC碳化硅器件如何重塑數(shù)據(jù)中心與電網(wǎng)的能源格局 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分...

2025-10-19 標(biāo)簽:電網(wǎng)數(shù)據(jù)中心AI 1.1k 0

只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆

只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆

采用碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)之所以被稱為“印鈔機(jī)”,是因?yàn)槠湓谛?、成本、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破,顯著提升了...

2025-03-17 標(biāo)簽:SiC功率模塊變流器 1.1k 0

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為5G鋪平道路

許多人可能認(rèn)為,既然 5G 已經(jīng)開始鋪開,那么4G 技術(shù)也即將退出歷史舞臺(tái)。但這絕不是事實(shí),因?yàn)槿杂杏?jì)劃為許多使用較老的 3G/4G 技術(shù)的地區(qū)提供 4...

2023-02-10 標(biāo)簽:功率放大器碳化硅5G 1.1k 0

碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域

到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。

2020-03-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.1k 0

碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價(jià)值戰(zhàn)略咨詢報(bào)告

根據(jù)Global Info Research項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研,預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達(dá)到2249百萬美元,2024-20...

2024-10-15 標(biāo)簽:二極管SiC碳化硅 1.1k 0

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(Si...

2025-06-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

森國(guó)科微型化750V SiC MOSFET晶圓的破局之道

森國(guó)科微型化750V SiC MOSFET晶圓的破局之道

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)以其卓越的電氣性能已成為不爭(zhēng)的未來趨勢(shì)。

2026-01-26 標(biāo)簽:SiC碳化硅森國(guó)科 1.1k 0

SiC(碳化硅)元件推動(dòng)電動(dòng)車新走向

第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。

2023-02-20 標(biāo)簽:新能源汽車SiC碳化硅 1.1k 0

派恩杰亮相2025上海國(guó)際車展

此前,2025年4月23日至5月2日,第二十一屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)(Auto Shanghai 2025)在國(guó)家會(huì)展中心(上海)盛大舉行。本屆車展以...

2025-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.1k 0

碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

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直流充電樁是新能源汽車直流充電樁的簡(jiǎn)稱,一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網(wǎng)連接,可作為非車載電動(dòng)汽車的動(dòng)力補(bǔ)充,是一種直流工作電源的電源控制...

2023-11-23 標(biāo)簽:MOS充電樁碳化硅 1.1k 0

2030年,中國(guó)仍將是最大的碳化硅市場(chǎng)

2030年,中國(guó)仍將是最大的碳化硅市場(chǎng)

在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,純電動(dòng)汽車BEV、混合動(dòng)力HEV、插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車PHEV、400伏/800伏的系統(tǒng)將直接影響碳化硅(SiC)相對(duì)采用率,800伏...

2023-11-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶圓碳化硅 1.1k 0

百家跨國(guó)公司看中國(guó)丨意法半導(dǎo)體曹志平:持續(xù)完善在華產(chǎn)業(yè)鏈部署

百家跨國(guó)公司看中國(guó)丨意法半導(dǎo)體曹志平:持續(xù)完善在華產(chǎn)業(yè)鏈部署

來源:21經(jīng)濟(jì)網(wǎng) 作者:駱軼琪 在化合物半導(dǎo)體發(fā)展熱潮下,歐洲半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,以下簡(jiǎn)稱“ST”)的動(dòng)向備受關(guān)...

2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體能源汽車碳化硅 1.1k 0

基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)

基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 以下基于BMF240R12E2...

2025-07-01 標(biāo)簽:SiCPCS碳化硅 1.1k 0

Littelfuse推出柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估平臺(tái),協(xié)助設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)碳化硅節(jié)能

與大多數(shù)其他碳化硅評(píng)估平臺(tái)不同,GDEV提供快速連接插頭引腳端子,可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動(dòng)器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和...

2020-02-07 標(biāo)簽:Littelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.1k 0

士蘭微廈門 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線(一期)封頂:力爭(zhēng)明年一季度投產(chǎn)

3 月 3 日消息,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布,其投資 70 億元建設(shè)的廈門海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線(...

2025-03-03 標(biāo)簽:士蘭微功率器件碳化硅 1.1k 0

碳化硅龍頭與這一車企簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議!

Jean-Marc Chery表示,2023年前九個(gè)月凈利較上年上揚(yáng)11.1%,主要貢獻(xiàn)來自汽車產(chǎn)品和離散元件產(chǎn)品部以及微控制器和數(shù)位IC產(chǎn)品部?jī)蓚€(gè)產(chǎn)品...

2024-01-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體數(shù)字化碳化硅 1.1k 0

經(jīng)濟(jì)晚報(bào):第九屆“創(chuàng)客中國(guó)”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯獲一等獎(jiǎng)

經(jīng)濟(jì)晚報(bào):第九屆“創(chuàng)客中國(guó)”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯獲一等獎(jiǎng)

8月1日,由上饒市工信局、市財(cái)政局、市促進(jìn)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室聯(lián)合主辦的第九屆“創(chuàng)客中國(guó)”上饒市中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽精彩開賽,來自全市工業(yè)領(lǐng)域...

2024-08-08 標(biāo)簽:SiC碳化硅碳化硅MOSFET 1.1k 0

Soitec宣布在法國(guó)貝寧增設(shè)生產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅晶圓,以提升SOI綜合供應(yīng)能力

Soitec宣布在法國(guó)貝寧增設(shè)生產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅晶圓,以提升SOI綜合供應(yīng)能力

Soitec 半導(dǎo)體公司宣布,將在其位于法國(guó)貝寧的總部增設(shè)新產(chǎn)線,用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅襯底,助力電動(dòng)汽車和工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)對(duì)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。新產(chǎn)線落成后還將同時(shí)用于...

2022-03-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅 1.1k 0

全球首個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體問世

石墨烯是由已知最強(qiáng)的鍵連接在一起的單片碳原子。半導(dǎo)體是在特定條件下導(dǎo)電的材料,是電子設(shè)備的基本組件。石墨烯電子學(xué)中長(zhǎng)期存在的問題是石墨烯沒有合適的帶隙,...

2024-01-05 標(biāo)簽:石墨烯碳化硅 1.1k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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