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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要:簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

2020-12-30 標(biāo)簽:碳化硅刻蝕 1.1萬 0

基于簡單的支架多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長

雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H-SiC襯底的同質(zhì)外延生長,但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上,這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者...

2020-12-26 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.4k 0

中國車企首次自建碳化硅生產(chǎn)線

碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開始布局。

2020-12-25 標(biāo)簽:比亞迪汽車電子碳化硅 3.1k 0

碳化硅功率模塊以及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估

前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2019年底,臻...

2020-12-24 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)功率模塊碳化硅 1.8k 0

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器如何充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

在過去的幾十年中,半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來改善基于硅 MOSFET (parasitic parameters),以滿足開關(guān)轉(zhuǎn)換器(開關(guān)電源)設(shè)計(jì)...

2020-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源碳化硅 2.9k 0

碳化硅PCB:新能源汽車的最佳選擇

隨著國家政策的扶持,車聯(lián)網(wǎng)及智能駕駛汽車逐步推廣。并且全球主要國家禁售燃油車進(jìn)程加快,新能源汽車替代燃油車已成大勢(shì)所趨。2017年9月8日至10日,在天...

2020-12-11 標(biāo)簽:新能源汽車pcb碳化硅 4.3k 0

英飛凌推出CoolSiC? CIPOS? Maxi,全球首款采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅IPM

CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET,以提高系統(tǒng)可靠性,優(yōu)化PC...

2020-12-11 標(biāo)簽:英飛凌柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.5k 0

新能源汽車行業(yè)是碳化硅市場(chǎng)最大的驅(qū)動(dòng)力

第三代半導(dǎo)體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。...

2020-12-10 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體碳化硅 2.8k 0

Transphorm推出基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案

Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦,這進(jìn)一步印證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。

2020-12-07 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.6k 0

從0到1,及早規(guī)劃布局搶入第三代半導(dǎo)體賽道

龍頭企業(yè)引領(lǐng)作用呈裂變趨勢(shì),園區(qū)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈體系不斷完善,同時(shí)也促進(jìn)產(chǎn)業(yè)服務(wù)配套企業(yè)加速聚集。今年4月7日,泉州芯谷南安分園區(qū)迎來了智澤南福咨詢...

2020-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高新技術(shù)碳化硅 2.3k 0

天岳科技簽訂首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議

天岳科技簽訂首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議

值得一提的是,天眼查APP顯示,截至目前,天岳科技共完成四輪融資,分別于2019年12月及今年5月和8月獲得三次股權(quán)融資,投資方包括海通新能源、深創(chuàng)投、...

2020-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光電子碳化硅 2.3k 0

國內(nèi)首家打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈,三安集成完成MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造

隨著中國“十四五”規(guī)劃浮出水面,第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2020年有8家企業(yè)計(jì)劃投資總計(jì)超過430億元,碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)...

2020-12-03 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅三安集成 3.5k 0

同光晶體完成融資,將用于6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

國投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡稱“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)...

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瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體 華為旗下哈勃科技接連投資三家潛力企業(yè)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山曾對(duì)媒體表示,2019年,第三代半導(dǎo)體進(jìn)入發(fā)展的快車道,2020年是中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展一個(gè)關(guān)鍵的窗口期。汽...

2020-12-03 標(biāo)簽:華為碳化硅5G 1.1萬 0

碳化硅功率模塊在新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈中應(yīng)用的情況分析

無論在消費(fèi)、工業(yè)還是汽車領(lǐng)域,目前氮化鎵都已有了成熟應(yīng)用的案例。英諾賽科銷售副總裁陳鈺林指出,在快充和激光雷達(dá)領(lǐng)域,氮化鎵已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了千萬級(jí)別的出貨,英偉...

2020-11-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 4.7k 0

捷捷微電:擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專利4件

11月30日,捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表稱,晶閘管是2019年占公司總營收49%的產(chǎn)品,由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整,今年預(yù)計(jì)占營收的比重在40%左右,...

2020-11-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 3.2k 0

英國政府撥出22億元幫助運(yùn)營商更換華為5G設(shè)備;需求強(qiáng)勁、訂單飽滿,中芯國際漲價(jià)…

11月26日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,此前,英國宣布禁止華為參與該國5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè),但這一禁令會(huì)給運(yùn)營商造成巨大損失。為此,英國政府承諾撥出2.5億英鎊(約合...

2020-11-27 標(biāo)簽:碳化硅華為5G 3.5k 0

碳化硅器件的分類及典型應(yīng)用

碳化硅器件的分類及典型應(yīng)用

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2020-11-23 標(biāo)簽:電力電子器件器件碳化硅 1.0萬 0

浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)8萬片

2018年,中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶在杭州灣新區(qū)。目前,該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計(jì)最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...

2020-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 4.3k 0

三種碳化硅的主要制備方法

三種碳化硅的主要制備方法

目前碳化硅單晶的制備方法主要有:物理氣相傳輸法(PVT);頂部籽晶溶液生長法(TSSG);高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD)。其中TSSG法生長晶體尺寸...

2020-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.8萬 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題

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