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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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精進(jìn)電動(dòng)深耕商用車市場(chǎng),獲大眾商用車批量訂單
作為中國(guó)新能源電機(jī)系統(tǒng)的領(lǐng)軍企業(yè),在成功獲得一汽、上汽、東風(fēng)、北汽、吉利等乘用車品牌青睞后,精進(jìn)電動(dòng)又繼續(xù)深耕商用車市場(chǎng)。
英飛凌簽約GT Advanced Technologies,擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)
英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。
深圳市納設(shè)智能裝備有限公司完成了數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資
納設(shè)智能成立于2018年10月,坐落在深圳市光明區(qū)留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)園,近期已通過(guò)國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)初步認(rèn)定。公司擁有一支包括頂級(jí)科學(xué)家在內(nèi)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),致力于第...
智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅(SiC)的電動(dòng)汽車
本文討論了在電動(dòng)汽車應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中選擇CISSOID三相全橋1200V SiC MOSFET智能功率模塊(IPM)體系所帶來(lái)的益處,尤其表現(xiàn)在該...
2020-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率轉(zhuǎn)換器功率模塊 2.6k 1
貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導(dǎo)通電阻較低,并具有出色的開(kāi)關(guān)性能,可以簡(jiǎn)化電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì),非常適合用于光伏逆變器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
車載充電機(jī)的輸入端,以標(biāo)準(zhǔn)充電接口的形式固定在車體上,用于連接外部電源。車載充電機(jī)的輸出端,直接連接動(dòng)力電池包慢充電接口。中華人民共和國(guó)汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《Q...
Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)
Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠...
2020-11-02 標(biāo)簽:microchip碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 2.2k 0
在最新研究中,美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)的科研人員通過(guò)實(shí)驗(yàn)室內(nèi),在高壓環(huán)境下加熱碳化硅,對(duì)鉆石行星的可能形成過(guò)程進(jìn)行了研究,并證明了其可能的形成方法確實(shí)可行。
天科合達(dá)終止科創(chuàng)板IPO進(jìn)程,年產(chǎn)12萬(wàn)片6英寸碳化硅晶片也泡湯了
10月16日,上交所發(fā)布“關(guān)于終止對(duì)北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市審核的決定”,決定終止對(duì)其首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的審核。
該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規(guī)的硅(Si)MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比,具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性,有利于降低功耗...
文章來(lái)源:電子技術(shù)設(shè)計(jì) 作者:廖均 電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器...
2020-10-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源SiC 1.7萬(wàn) 0
揚(yáng)杰科技:積極布局第三代半導(dǎo)體,已成功開(kāi)發(fā)多款碳化硅器件產(chǎn)品
圍繞第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)成果,揚(yáng)杰科技近日在互動(dòng)平臺(tái)上回應(yīng)稱:在碳化硅業(yè)務(wù)板塊,公司已組建高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),成功開(kāi)發(fā)出多款碳化硅器件產(chǎn)品,其中部分產(chǎn)品處...
2020-10-14 標(biāo)簽:碳化硅揚(yáng)杰科技第三代半導(dǎo)體 8.7k 1
長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂
據(jù)公告介紹,該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。
上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式順利舉行
近日,由華大半導(dǎo)體和復(fù)旦大學(xué)共建的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲、上海市科委、復(fù)旦大學(xué)和華大...
2020-10-10 標(biāo)簽:功率器碳化硅華大半導(dǎo)體 3.9k 0
第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)前景良好,將催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)
在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會(huì)專家紛紛表示,近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快,基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)...
三安集成:碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺(tái),助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
三安集成副總經(jīng)理?xiàng)罱 ⒔瘕埿履茉纯偨?jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。
英飛凌 CoolSiC? 技術(shù)助力光寶科技推出80 PLUS 鈦金認(rèn)證的 SMPS 交換式電源供應(yīng)器
為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求,在 50% 負(fù)載條件下,115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率,另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。
2020-09-28 標(biāo)簽:MOSFET電源供應(yīng)器碳化硅 1.4k 0
第三代半導(dǎo)體碳化硅 爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星
看點(diǎn):第三代半導(dǎo)體碳化硅,爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率(理想轉(zhuǎn)化率100%),基于 SIC 材料的功率器件...
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
UnitedSiC宣布與益登科技(TWSE: 3048)簽署代理協(xié)議,將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng),為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...
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