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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：3007個 瀏覽：52715次 帖子：39個

      碳化硅資訊

      納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會即將召開

      來自中國微米納米技術(shù)學(xué)會通知，10月28-30日，一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會中國國際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會即將隆重召開！ 不管您是來自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...

      2020-09-16 標(biāo)簽：納米技術(shù)mems碳化硅 3.1k 0

      第三代半導(dǎo)體寫入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

      第三代半導(dǎo)體寫入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

      第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。 ...

      2020-09-04 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體摩爾定律 8.1k 0

      汽車、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動力，模塊化是其主要發(fā)展趨勢

      據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)預(yù)計，到2022年SiC的市場規(guī)模將達到10億美元。電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...

      2020-09-04 標(biāo)簽：電動汽車SiC碳化硅 9.2k 0

      碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

      碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

      今天政策層面有一個大消息，特大消息，那就是我國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃，利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...

      2020-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 7k 0

      科銳在美國紐約建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠

      美國北卡羅萊納州達勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長的對...

      2020-09-02 標(biāo)簽：LEDSic碳化硅 3k 0

      “新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進入第三代半導(dǎo)體時代“

      碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。

      2020-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 2k 0

      Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動器和功率模塊工具包，助力開發(fā)人員設(shè)計投產(chǎn)

      Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開發(fā)人員從設(shè)計到投產(chǎn)的步伐。

      2020-09-01 標(biāo)簽：microchip逆變器功率模塊 2.4k 0

      科銳推進建造全球最大SiC器件制造工廠和擴大SiC產(chǎn)能

      科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

      2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.4k 0

      羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件

      通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。

      2020-08-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器碳化硅羅姆 1.5k 1

      從產(chǎn)品及財務(wù)角度分析天科合達

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      據(jù)招股書顯示，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓...

      2020-08-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶片碳化硅 3.3k 0

      投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

      在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

      2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 2.0萬 1

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      博世集團是世界先進的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問世開始，博世始終處于MEMS（微機電系統(tǒng)）技術(shù)的前沿位置。如今，博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...

      2020-08-07 標(biāo)簽：MOSFETmems碳化硅 5.7k 0

      5G基站電源設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

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      華潤微電子SiC二極管量產(chǎn)！覆蓋充電樁、通信、服務(wù)器電源等熱門領(lǐng)域

      近日，華潤微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，并實現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽能、UPS、通信和服務(wù)器電...

      2020-07-21 標(biāo)簽：功率器件華潤微電子碳化硅 1.5萬 0

      英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

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      2020-07-14 標(biāo)簽：英飛凌柵極電阻碳化硅 2.1k 0

      博世：新一代碳化硅技術(shù)助力智慧出行

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      2020-07-14 標(biāo)簽：汽車電子碳化硅博世 4.7k 0

      三安集成：6英寸車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計在2021年實現(xiàn)量產(chǎn)

      葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案；本次慕尼黑上海電子展上重點展示的產(chǎn)品和服務(wù)；SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況，以及三安集成在...

      2020-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.6萬 0

      “融合創(chuàng)新 ‘芯’引未來” 三安集成首次亮相慕尼黑電子展

      三安集成是化合物半導(dǎo)體研發(fā)、制造和服務(wù)專業(yè)平臺，通過產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，掌握化合物半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵點：設(shè)計、材料、制程和檢測。

      2020-07-06 標(biāo)簽：新能源汽車肖特基二極管功率半導(dǎo)體 789 0

      華潤微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件

      2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時宣布國內(nèi)首條6...

      2020-07-04 標(biāo)簽：功率器件華潤微電子碳化硅 8.5k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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