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gan技術(shù)

低壓GaN DC/DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)器電源測(cè)量方案

圖1顯示了一個(gè)12 V降壓型轉(zhuǎn)換器，它基于LTC7891同步控制器，用于驅(qū)動(dòng)100 V GaN FET。以500 kHz頻率運(yùn)行時(shí)，在20 A負(fù)載和48...

2026-04-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 GaN 3.7k 0

PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達(dá)800VDC架構(gòu)

Power Integrations公司的PowiGaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)了1250V和1700V GaN開關(guān)器件，使設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建高密度、高效率的電源。

2026-03-17 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)PI GaN 1.7k 0

700V/1.6A單通道增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動(dòng)控制器參數(shù)與使用極限

概述： PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），集成了單通道低端驅(qū)動(dòng)器，專為高速應(yīng)用中的氮化鎵高電子遷移...

2026-03-11 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 205 0

PI GaN產(chǎn)品InnoSwitch3-EP助力簡(jiǎn)化工業(yè)輔助電源設(shè)計(jì)

隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，GaN正從消費(fèi)電子PD快充領(lǐng)域向更廣闊的工業(yè)、汽車、通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域滲透，憑借其高頻、高效、高功率密度的核心優(yōu)勢(shì)...

2026-03-09 標(biāo)簽：安富利 GaN 輔助電源 3.3k 0

650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評(píng)估板

云鎵半導(dǎo)體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應(yīng)用1.MBDS器件介紹云鎵半導(dǎo)體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...

2026-02-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 GaN 評(píng)估板 592 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵 GaN 7.2k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開關(guān)頻率（一）芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對(duì)高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 芯導(dǎo)科技 5.9k 0

橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場(chǎng)導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長(zhǎng)可有效抑制該效...

2025-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 GaN 4k 0

氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對(duì)比：300W快充應(yīng)用選型避坑手冊(cè)

在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求，已成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...

2025-12-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)IC GaN SiC MOSFET 1.5k 0

借助 TOLL GaN 突破太陽(yáng)能系統(tǒng)的界限

太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...

2025-12-11 標(biāo)簽：GaN 光伏逆變器太陽(yáng)能系統(tǒng) 4.7k 0

gan帖子

TEA2017AAT與 GaN MOSFET如何實(shí)現(xiàn)負(fù)柵極電壓？

標(biāo)簽：MOSFET GaN 191 2

雙向氮化鎵應(yīng)用場(chǎng)景PFC部分云鎵云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估板

標(biāo)簽：PFC 氮化鎵 GaN 9549 0

《電子發(fā)燒友電子設(shè)計(jì)周報(bào)》聚焦硬科技領(lǐng)域核心價(jià)值第14期：2025.06.2--2025.06.6

標(biāo)簽：GaN Qorvo 5G-A 2007 0

STDRIVEG600驅(qū)動(dòng)GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號(hào)丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流跌落的原因？

標(biāo)簽：逆變器 GaN 8655 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

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基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計(jì)

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ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案

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STDRIVEG600 GaN半橋驅(qū)動(dòng)器

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電機(jī)控制和電源管理的基準(zhǔn)效率

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GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 625 0

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GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載

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變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN立即下載

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新一代GaN器件,滿足AI服務(wù)器電源需求立即下載

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用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載

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利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載

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GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaN AHB 1.3k 0

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未來十年SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來顯著增長(zhǎng)

近日，日本知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)（FujiKeizai）發(fā)布了最新全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告指出，到2035年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到73...

2026-05-11 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 40 0

意法半導(dǎo)體發(fā)布EVSTDRVG611MC氮化鎵電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體EVSTDRVG611MC氮化鎵（GaN）電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)主打家電和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備，在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達(dá)600W以上，確保終端設(shè)備...

2026-05-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1k 0

晶能光電亮相2026九峰山論壇并發(fā)表主題演講

近日，備受行業(yè)矚目的2026九峰山論壇在武漢隆重開幕。本屆論壇以“新賽道、新技術(shù)、新產(chǎn)品、新市場(chǎng)”為主題，匯聚了國(guó)內(nèi)外院士專家、行業(yè)領(lǐng)袖與產(chǎn)業(yè)鏈代表，共...

2026-05-06 標(biāo)簽：GaN 硅襯底晶能光電 1.5k 0

光谷芯材與昌龍智芯聯(lián)合發(fā)布化合物半導(dǎo)體新品，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高壓功率器件空白

近日，在2026年九峰山論壇期間，光谷芯材聯(lián)合（武漢）科技有限公司與北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合發(fā)布兩款化合物半導(dǎo)體新品——RF及Power GaN外...

2026-04-29 標(biāo)簽：功率器件 GaN 功率半導(dǎo)體 1k 0

深度解析CXAC85308：一顆內(nèi)置GaN、無需輔助繞組的33W快充反激芯片如何重塑設(shè)計(jì)流程

推出的 CXAC85308 正是為解決這些痛點(diǎn)而設(shè)計(jì)的。它將700V GaN功率管、高壓自供電電路及VCC電容全部集成在內(nèi)部，直接從高壓直流母線取電，徹...

2026-04-24 標(biāo)簽：GaN Vcc 快充 472 0

讓快充更高效：集成GaN的APFC反激控制器如何提升功率密度與能效

隨著USB?PD快充和可編程電源適配器的普及，消費(fèi)者對(duì)充電器的要求越來越高：不僅要有65W、100W甚至更高功率，還要體積小巧、發(fā)熱低、兼容全球電網(wǎng)。傳...

2026-04-24 標(biāo)簽：充電器 GaN 反激控制器 284 0

意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動(dòng)洗衣機(jī)實(shí)現(xiàn)更高效率與可持續(xù)性

在實(shí)現(xiàn)家用電器可持續(xù)性的進(jìn)程中，制造商首要關(guān)注的重點(diǎn)，是如何集成先進(jìn)電力技術(shù)、智能控制算法，以及高效電機(jī)控制和器件。

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從消費(fèi)電子到AI電網(wǎng)：兩家巨頭財(cái)報(bào)，GaN 賽道徹底分化

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道最近英諾賽科和納微都公布了2025年全年財(cái)報(bào)，作為GaN領(lǐng)域最具代表性的兩家上市公司（transphorm被瑞薩收購(gòu)后已退市），過...

2026-04-20 標(biāo)簽：GaN 英諾賽科 Navitas 5k 0

GaN應(yīng)用場(chǎng)景持續(xù)拓展，車規(guī)產(chǎn)品加速上車

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）隨著中高壓電力電子系統(tǒng)在近五年的快速發(fā)展，對(duì)功率密度、轉(zhuǎn)換效率的要求不斷提高，SiC在汽車、工業(yè)等各種中高壓場(chǎng)景已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)...

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基于SiC MOSFET高頻LLC變換器的平面變壓器繞組交錯(cuò)與寄生參數(shù)精細(xì)化優(yōu)化

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2026-04-10 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET GaN 189 0

gan數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào)	描述	數(shù)據(jù)手冊(cè)	參考價(jià)格
GS61008P-MR	增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價(jià)格

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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