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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術的技術應用，EUV光刻機的技術、市場問題，國產euv光刻機發(fā)展等內容。

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關于EUV光刻的優(yōu)勢和應用以及所面臨的的困境

不久之前，半導體行業(yè)還堅持認為 EUV 掃描儀可以不使用防護膜，只需要在潔凈的環(huán)境中就可以加工晶圓。之后芯片制造商改變了自己的看法，表示無法保證 EUV...

2019-09-05 標簽：芯片半導體 EUV 1.0萬 0

關于EUV機臺的性能分析和應用介紹

臺積電方面也同時參與。當時消息顯示，臺積電將以8.38億歐元購買ASML的5%股權，并同意在下一代光刻技術如超紫外技術和450毫米光刻設備的研發(fā)上向AS...

2019-09-04 標簽：臺積電晶圓 EUV 3.4k 0

關于EUV的性能分析和挑戰(zhàn)

CD-SEM和相關工具可能會遇到信號與噪聲問題，從而導致所謂CD偏差的問題。為了解決這個問題，F(xiàn)ractilia有一個能夠測量LER和通孔失效的軟件工具...

2019-09-03 標簽：晶圓晶體管 EUV 7.9k 0

關于ASML EUV工藝的最新信息進展

在上周的Semicon West上，ASML提供了有關當前EUV系統(tǒng)以及正在開發(fā)的0.55高NA系統(tǒng)的最新信息。

2019-07-27 標簽：EUV ASML 4.5k 0

三星痛下決心,自研極紫外光(EUV)光阻劑

尋找光阻劑替代供應商難度很高，就算找到新供應來源，所有制程和設計須重新測試，至少得花1年時間才能運作。

2019-07-26 標簽：三星電子 EUV 3.7k 0

臺積電3nm工藝技術開發(fā)進展順利已經(jīng)有早期客戶參與

近兩年先進半導體制造主要是也終于迎來了EUV光刻機，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進行下去。臺積電和三星都對自家工藝發(fā)展進行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步...

2019-07-24 標簽：三星電子臺積電 EUV 3.4k 0

ASML新財報:銷售額與毛利率雙雙超越預期

荷蘭時間2019年7月17日，ASML Holding N.V.（ASML）公布了2019年第二季度財報

2019-07-22 標簽：EUV ASML 3.7k 0

ASML發(fā)布2019年Q2季度財報 EUV光刻機最主要的問題還是產能不足

2019-07-18 標簽：光刻機 EUV ASML 4k 0

日韓貿易戰(zhàn)愈演愈烈將直接影響三星電子EUV工藝研發(fā)進度

近日，日韓貿易戰(zhàn)愈演愈烈，日本宣布氟聚酰亞胺（Fluorine Polyimide）、半導體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫（Eatching Ga...

2019-07-14 標簽：三星電子臺積電 EUV 4.2k 0

受日本材料出口管制三星電子7納米芯片計劃將受挫

7月11日消息，知情人士表示，由于日本針對對韓國產業(yè)至關重要的半導體材料實施更嚴格的出口管制，三星電子明年初推出其最先進處理器芯片的雄心計劃可能會被推遲。

2019-07-12 標簽：芯片三星電子 EUV 3.6k 0

張忠謀的告別作!臺積電18廠打遍天下無敵手?

臺積電最新的18廠，將在明年第一季量產5納米制程，領先英特爾、三星一年以上。

2019-07-12 標簽：臺積電 EUV 3.7k 0

Cadence 數(shù)字全流程解決方案通過三星5LPE工藝認證

采用極紫外（EUV）光刻技術的Cadence 數(shù)字全流程解決方案已通過Samsung Foundry 5nm早期低功耗版（5LPE）工藝認證。

2019-07-11 標簽：三星電子 EUV 4.6k 0

三星5nm取得重要進展可以帶來25％的邏輯電路能效提升

眼下，臺積電和三星都在全力沖刺5nm工藝，這將是7nm之后的又一個重要節(jié)點，全面應用EUV極紫外光刻技術，提升效果會非常明顯，所以都受到了高度重視。

2019-07-10 標簽：三星電子 EUV 2.8k 0

三星今年9月份將完成7nmEUV工藝生產線明年1月份量產

隨著NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工，三星在晶圓代工市場上總算又拉來一個客戶，如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂...

2019-07-04 標簽：三星電子臺積電 EUV 2.9k 0

ASML新一代EUV設備預計2025年正式量產

當前半導體制程微縮已經(jīng)來到10納米節(jié)點以下，EUV極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備，包括現(xiàn)在的7納米制程，以及未來5納米、3納米甚至2納米制程都將采...

2019-07-02 標簽：半導體 EUV ASML 3.6k 0

DRAM大廠工藝推進1z納米導入EUV設備擴大競爭門檻

2019年上半DRAM價格下跌壓力沉重，盡管上游產能調節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升，預料將有望支撐跌價趨緩，為了提高生產效益及拉大競爭差距，DRAM大...

2019-06-21 標簽：DRAM EUV 3k 0

DRAM開始進入EUV時代？

根據(jù)國外媒體報導，曾表示目前制程技術還用不上EUV技術的各大DRAM廠在目前DRAM價格直直落，短期看不到止跌訊號的情況下，也頂不住生產成本的壓力，開始...

2019-06-21 標簽：半導體 DRAM 三星電子 4.5k 0

DRAM廠將陸續(xù)導入EUV技術

DRAM廠商在面對DRAM價格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導入EUV技術用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。

2019-06-21 標簽：DRAM EUV 2.8k 0

臺積電官宣2nm研發(fā)啟動 N5P量產預計落在2021年

6月18日，臺積電在上海舉辦了2019中國技術論壇（TSMC2019 Technology Symposium）。臺積電總裁魏家哲介紹了先進工藝的發(fā)展規(guī)...

2019-06-19 標簽：半導體臺積電 EUV 3.9k 0

多家DRAM廠商開始評估采用EUV技術量產

繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外光（EUV）微影技術后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術...

2019-06-18 標簽：半導體 DRAM EUV 3.4k 0

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