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gan技術(shù)

探析GaN在雷達(dá)和太空領(lǐng)域的應(yīng)用

目前,氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用,其優(yōu)勢(shì)也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個(gè)角落滲透,而且對(duì)射頻/微波行業(yè)的影響越來(lái)越大,不容小覷。因?yàn)樗梢?..

2019-02-13 標(biāo)簽:RF雷達(dá)GaN 7.1k 0

高功率應(yīng)用的GaN產(chǎn)品選用指南

高功率應(yīng)用的GaN產(chǎn)品選用指南

功率幾乎是每一個(gè)電子設(shè)計(jì)中的共同主題,有效地管理和使用功率是現(xiàn)代面臨的挑戰(zhàn)之一。

2018-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN 7.1k 0

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

在現(xiàn)實(shí)世界中,沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...

2018-10-30 標(biāo)簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 7.1k 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵(GaN)作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性,已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽:封裝技術(shù)氮化鎵GaN 7.1k 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...

2024-01-09 標(biāo)簽:控制器功率器件GaN 7k 0

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

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關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

2023-02-14 標(biāo)簽:晶體管GaNHEMT 7k 0

一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解

一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解

近年來(lái),寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...

2020-01-22 標(biāo)簽:功率放大器GaN 7k 0

意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動(dòng)下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展

意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動(dòng)下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展

滿足日益增長(zhǎng)的高能效和高功率性能需求,同時(shí)不斷降低成本和尺寸是當(dāng)今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。

2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 7k 0

pSemi推出應(yīng)用于固態(tài)LiDAR的GaN FET驅(qū)動(dòng)器PE29101

在LiDAR系統(tǒng)中,脈沖激光器的開(kāi)關(guān)速度和上升時(shí)間直接影響著LiDAR的測(cè)量精度。為了提高分辨率,電流需要盡可能快地切換通過(guò)激光器二極管。GaN技術(shù)憑借...

2018-06-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNLiDAR 6.9k 0

一種新的碳同素異形體——protomene比氮化鎵(GaN)更適用于光電組件

protomene的熱膨脹很可能會(huì)發(fā)生在板間的結(jié)合上。當(dāng)溫度升高時(shí),從低溫半導(dǎo)體的48原子單元結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷亟饘俚?4原子單元結(jié)構(gòu)特性,可能發(fā)生結(jié)構(gòu)相...

2018-03-30 標(biāo)簽:石墨烯GaN 6.9k 0

深度學(xué)習(xí)生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)全解析

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GANs真正的能力來(lái)源于它們遵循的對(duì)抗訓(xùn)練模式。生成器的權(quán)重是基于判別器的損失所學(xué)習(xí)到的。因此,生成器被它生成的圖像所推動(dòng)著進(jìn)行訓(xùn)練,很難知道生成的圖像...

2024-03-29 標(biāo)簽:gpuGaN生成器 6.8k 0

電機(jī)設(shè)計(jì)中對(duì)于GaN HEMT的使用

LMG3410R070 GaN功率級(jí)器件的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是在硬切換時(shí)控制轉(zhuǎn)換速率,這種控制對(duì)于抑制PCB寄生電阻和EMI具有重要意義,TI這款產(chǎn)品采用可編...

2019-01-07 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)GaN 6.8k 0

氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問(wèn)題分享

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作為一種新型功率器件,GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。

2023-12-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管功率器件 6.8k 0

2種LED技術(shù)革新,帶來(lái)更高效的發(fā)光效率

LED技術(shù)為世界帶來(lái)巨大改變,除了顯示用背光源還有LED照明的應(yīng)用,而LED 技術(shù)也不斷在革新,帶來(lái)更高效的發(fā)光效率。

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現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)

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為了擴(kuò)大 GaN 在汽車(chē)、并網(wǎng)存儲(chǔ)和太陽(yáng)能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對(duì)流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺(tái)。 該平臺(tái)...

2022-04-22 標(biāo)簽:fpga氮化鎵GaN 6.7k 0

TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

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TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...

2025-09-26 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 6.7k 0

一個(gè)學(xué)習(xí)GAN的交互式網(wǎng)站:GAN Lab!

單擊工具欄上的播放按鈕即可運(yùn)行模型。 除了所選擇的分布中的實(shí)際樣本,你還會(huì)看到模型生成的假樣本。隨著訓(xùn)練的進(jìn)行,假樣本的位置不斷更新。完美的GAN創(chuàng)建的...

2018-09-07 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 6.7k 0

邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的工作原理和應(yīng)用現(xiàn)狀

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根據(jù)諧振腔制造工藝的不同,半導(dǎo)體激光芯片分為 邊發(fā)射激光芯片(EEL) 和 垂直腔面發(fā)射激光芯片 (VCSEL)兩大類(lèi),其具體結(jié)構(gòu)差異如圖1所示。相比于...

2023-11-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器GaN 6.6k 0

采用GaN技術(shù)的充電器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

  氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體,它具有更...

2023-02-13 標(biāo)簽:放大器充電器晶體管 6.6k 0

GAN在圖像生成應(yīng)用綜述

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GAN 可以將任意的分布作為輸入,這里的 Z 就是輸入,在實(shí)驗(yàn)中我們多取Z~N(0,1),也多取 [?1,1] 的均勻分布作為輸入。生成器 G 的參數(shù)為...

2019-02-13 標(biāo)簽:GaN機(jī)器學(xué)習(xí)圖像生成 6.6k 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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