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在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一...
2018-07-10 標(biāo)簽：gan 6.5k 0
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...
但是由于光伏電池板與電網(wǎng)存在電氣連接，逆變器中功率器件的高頻動作所導(dǎo)致的共模電壓通過光伏板與大地之間的寄生電容，會在共?；芈分行纬晒材ｋ娏?，非隔離型光伏...
40W兩級高效無頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹
隨著辦公照明和商業(yè)照明市場日趨成熟，高PF、低諧波、低成本、無頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動小型化的要求，...
什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
淺析GaN的優(yōu)勢及對數(shù)據(jù)中心的影響
在我們現(xiàn)在的日常生活中，每天都有不斷增長的數(shù)據(jù)被產(chǎn)生、存儲及服務(wù)，而社交網(wǎng)絡(luò)、在線視頻、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和汽車高級駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS）則是這些數(shù)據(jù)尤其主...
2018-08-15 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲GaN 6.4k 0
SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案
驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整，彼此配合。于是這里的設(shè)計重點不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 標(biāo)簽：功率開關(guān)SiCGaN 6.4k 0
氮化鎵襯底和外延片哪個技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽：功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 6.4k 1
氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
Pix2Pix與Unity 3D結(jié)合，打造專屬小貓咪！
論文研究了條件對抗網(wǎng)絡(luò)作為一種圖像到圖像轉(zhuǎn)換問題的通用解決方案。這些網(wǎng)絡(luò)不僅學(xué)習(xí)從輸入圖像到輸出圖像的映射，還學(xué)習(xí)了用于訓(xùn)練該映射的損失函數(shù)。這使得對傳...
GAN技術(shù)再到新高度 利用pytorch技術(shù)生成72種圖像
隨著GAN的發(fā)展，單憑一張圖像就能自動將面部表情生成動畫已不是難事。但近期在Reddit和GitHub熱議的新款GANimation，卻將此技術(shù)提到新的...
浙江大學(xué)近期首次報道了沒有電流折疊（即沒有動態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到5...
什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料SiC 6.2k 0
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸，...
谷歌開發(fā)一個輕量級的庫——TFGAN 它可以讓生成對抗網(wǎng)絡(luò)更易于實驗
為了讓生成對抗網(wǎng)絡(luò)更易于實驗，谷歌開發(fā)者開源了一個輕量級的庫——TFGAN，它可以讓GAN的訓(xùn)練和評估過程更容易。
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析
在設(shè)計電力電子設(shè)備時，我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍(lán)光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來的三元或者四元體系。每一種體系由于其最優(yōu)的外延基板不同，P、N面打金線方向不同，有正負(fù)...
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
基于生成網(wǎng)絡(luò)(GAN)來輔助藝術(shù)家進行更具創(chuàng)意的設(shè)計項目
該項目的目標(biāo)不是制造一把功能性椅子，而是為人類設(shè)計師創(chuàng)造一個激發(fā)靈感的“視覺提示”，為了探索了如何讓機器學(xué)習(xí)用作藝術(shù)和設(shè)計工具來啟發(fā)人的思維，就像超現(xiàn)實...
2018-09-28 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN數(shù)據(jù)集 6.1k 0
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