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第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽:中國(guó)芯SiC氮化鎵 3.1k 0

GaN HEMT 模型初階入門(mén):非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)?(第一部分,共兩部分)

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2022-12-26 標(biāo)簽:GaN非線性模型 3k 0

納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:納芯微)、聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱:聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:英諾賽科)...

2025-10-13 標(biāo)簽:氮化鎵GaN英諾賽科 3k 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單...

2023-12-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 3k 0

5G基站射頻市場(chǎng):LDMOS開(kāi)始下滑,GaN快速增長(zhǎng)

4G和5G基站大功率RF市場(chǎng)格局目前正在發(fā)生變化:原有占主導(dǎo)地位的LDMOS RF元件市場(chǎng)份額開(kāi)始下滑,而新興GaN RF元件市場(chǎng)份額開(kāi)始快速增長(zhǎng)。主要...

2016-09-02 標(biāo)簽:GaN5G基站射頻 3k 1

SiC功率技術(shù)現(xiàn)狀和大規(guī)模商業(yè)化的障礙

硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生產(chǎn)、出色的起始材料質(zhì)量、易于制造和經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可靠性而在電力電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管硅功率器件不斷改進(jìn),但它們...

2022-02-24 標(biāo)簽:元器件SiCGaN 3k 0

消息稱蘋(píng)果將采用GaN技術(shù)的充電器、電池充電速度更快

對(duì)于蘋(píng)果來(lái)說(shuō),想要在iPhone或者iPad上使用更大容量的電池也不太現(xiàn)實(shí),不過(guò)讓電池充電速度更快,就是很好的這種辦法,而他們也即將加入GaN技術(shù)的充電...

2021-01-05 標(biāo)簽:充電器蘋(píng)果GaN 3k 0

老化測(cè)試提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

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新型寬帶隙半導(dǎo)體(如碳化硅和氮化鎵)在市場(chǎng)上的擴(kuò)散對(duì)傳統(tǒng)的老化和測(cè)試系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn),因?yàn)槁闫叽缭絹?lái)越小,并且組件可以承受更高的電壓和溫度。 老化試驗(yàn)箱...

2022-07-29 標(biāo)簽:SiCGaN老化測(cè)試 3k 0

清華團(tuán)隊(duì)首次證明量子計(jì)算能利用GAN

量子計(jì)算機(jī)雖然強(qiáng)大,但應(yīng)用領(lǐng)域有限。清華叉院孫麓巖團(tuán)隊(duì)在超導(dǎo)電路上實(shí)現(xiàn)了量子生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò),精度高達(dá)98.8%,這項(xiàng)工作有望證明量子計(jì)算機(jī)在圖像生成等領(lǐng)域...

2019-02-05 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 3k 0

專用于音頻設(shè)備和GaN快充的大電流線路噪聲抑制磁珠—MZPA系列

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2023-08-16 標(biāo)簽:濾波器大電流磁珠 3k 0

采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採(cǎi)用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2019-07-25 標(biāo)簽:逆變器sicgan 3k 0

能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專利揭秘

能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專利揭秘

該項(xiàng)專利中的基站發(fā)射系統(tǒng)可以形成多個(gè)射頻發(fā)射通道,覆蓋更寬的發(fā)射頻帶,更好的適應(yīng)5G基站建設(shè)場(chǎng)景。此外,由于輸入了動(dòng)態(tài)電壓,能夠充分發(fā)揮GaN射頻功率放...

2020-03-11 標(biāo)簽:基站GaN5G 3k 0

第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)...

2025-05-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 3k 0

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

自從氮化鎵(GaN)器件問(wèn)世以來(lái),憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2025-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 3k 0

介紹一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型

我們提出了一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型,它可以被用于多種 3D 視覺(jué)任務(wù)的基礎(chǔ),例如形狀補(bǔ)全、上采樣、合成和數(shù)據(jù)增強(qiáng)。

2022-09-09 標(biāo)簽:編碼器GaNMMD 3k 0

谷歌藝術(shù)和文化實(shí)驗(yàn)室推出了一個(gè)名為“詩(shī)歌肖像”的應(yīng)用

Goodwin通過(guò)讓Poemportraits讀取了19世紀(jì)詩(shī)歌中超過(guò)2500萬(wàn)個(gè)單詞來(lái)學(xué)習(xí)寫(xiě)詩(shī)。像所有訓(xùn)練有素的機(jī)器學(xué)習(xí)模型一樣,它不會(huì)復(fù)制或重寫(xiě)現(xiàn)有...

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梯度的獨(dú)特分布給量化訓(xùn)練帶來(lái)了極大挑戰(zhàn)

本文關(guān)注基于點(diǎn)云數(shù)據(jù)的三維物體檢測(cè)任務(wù)。文章提出了一個(gè)高性能的3D物體檢測(cè)框架PV-RCNN,其通過(guò)構(gòu)造Set Abstraction特征抽象操作將基于...

2020-06-15 標(biāo)簽:3DGaN商湯科技 3k 0

新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...

2026-01-15 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 2.9k 0

第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品

近年來(lái),「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來(lái)「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車(chē)、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng),使得其越來(lái)越貼近我們的生活。

2022-09-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件GaN 2.9k 0

為何人類對(duì)變臉如此癡迷?人工智能易容術(shù)來(lái)了

近幾年,基于大量真實(shí)人臉數(shù)據(jù)的學(xué)習(xí),計(jì)算機(jī)習(xí)得高超的變臉能力,制作周期大為縮短,成本大幅降低。使用一臺(tái)個(gè)人電腦或者手機(jī),加上原始的照片、視頻素材和基本的...

2020-01-08 標(biāo)簽:人工智能GaN 2.9k 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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