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Qorvo:5G時(shí)代GaN更有優(yōu)勢 RF芯片良性增長

盡管未來 3~4 年全球智能手機(jī)出貨放緩,射頻芯片的出貨量仍會因頻譜和射頻器件數(shù)量的增加以 10~15% 的速度良性增長。7月14日,Qorvo 在山東...

2016-07-15 標(biāo)簽:GaN5GRF芯片 3.3k 0

探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來,因?yàn)?5G 的應(yīng)用,大家對射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為,GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...

2021-06-18 標(biāo)簽:RF氮化鎵GaN 3.3k 0

國內(nèi)家電市場年需電機(jī)超10億臺 BLDC電機(jī)滲透率有望持續(xù)提升

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)隨著高能效電機(jī)在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機(jī)等領(lǐng)域的廣泛使用,全球的電機(jī)市場得到了很大的增長。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 3.3k 0

用于GaN MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

用于GaN MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

隔離設(shè)備是一種集成電路,允許在高低壓單元之間傳輸數(shù)據(jù)和能量,防止來自網(wǎng)絡(luò)的危險(xiǎn)或不受控制的瞬態(tài)電流的存在。目標(biāo)是通過提高電源效率和增加功率傳輸速率(也稱...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動器 3.3k 0

GaN將在5G大規(guī)模MIMO部署中逐漸取代 LDMOS

相比其它半導(dǎo)體,GaN 是一種相對較新的技術(shù),但它已然成為某些高射頻、大功率應(yīng)用的技術(shù)之選。雖然 LDMOS 技術(shù)目前仍在射頻基站領(lǐng)域占有最大市場份額,...

2021-07-30 標(biāo)簽:GaN 3.3k 0

GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國內(nèi)廠商加速布局

我國GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?;?、商業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化,4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6...

2020-12-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻SiC 3.3k 0

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

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金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率(高達(dá)2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。

2024-01-04 標(biāo)簽:激光器SiCGaN 3.3k 0

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

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圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...

2022-05-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 3.3k 0

氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎?

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氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電...

2023-08-28 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 3.3k 0

一種基于對抗生成模型的新方法,名曰“CosmoGAN”

不過最近,“基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的深度生成模型的進(jìn)步,讓許多類型的模擬器(包括宇宙學(xué)中的模擬器)構(gòu)建性能更強(qiáng)大、手工設(shè)計(jì)部分更少的替代模型成為可能,”機(jī)器學(xué)習(xí)工...

2019-06-23 標(biāo)簽:GaN模型ai技術(shù) 3.3k 0

關(guān)于未來即將出現(xiàn)的GaN創(chuàng)新技術(shù)與其對基站設(shè)計(jì)和發(fā)展的影響

現(xiàn)在GaN很火 ,人們似乎忘記了GaN 依然是一項(xiàng)相對較新的技術(shù),仍處于發(fā)展初期,還有較大的改進(jìn)潛力和完善空間。本文將介紹多項(xiàng)即將出現(xiàn)的 GaN 創(chuàng)新技...

2021-04-24 標(biāo)簽:人工智能GaN功率密度 3.3k 0

Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時(shí)的實(shí)際使用時(shí)間

事實(shí)上,現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預(yù)測,GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2...

2020-04-27 標(biāo)簽:GaNTransphorm 3.2k 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析

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氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽:氮化鎵氮化鎵電源GaN 3.2k 0

三星發(fā)力第三代半導(dǎo)體

5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體,三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展,臺積電、世界等臺廠均已卡位...

2021-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子GaN 3.2k 0

Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求

通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...

2021-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 3.2k 0

新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

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新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升,并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),...

2025-11-03 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 3.2k 0

華林科納----濕法蝕刻制造的GaN基藍(lán)色超輻射LED

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隨著低擴(kuò)展缺陷密度獨(dú)立氮化鎵基底的出現(xiàn),在半極性和非極性晶體平面上生長的量子阱(QW)結(jié)構(gòu)由于可以抑制或消除QCSE而引起了人們的關(guān)注。不平衡的雙軸平面...

2021-12-13 標(biāo)簽:ledled照明GaN 3.2k 0

你們知道深度學(xué)習(xí)有哪四個(gè)學(xué)習(xí)階段嗎

機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域是巨大的,為了學(xué)習(xí)不迷路,可以從以下列表幫助學(xué)習(xí)。它概述深度學(xué)習(xí)的一些學(xué)習(xí)細(xì)節(jié)。 階段1:入門級入門級能夠掌握以下技能: 能夠處理小型數(shù)據(jù)集...

2021-06-10 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.2k 0

SiC和GaN功率器件能夠在電子界唱主角有什么原因

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如今,越來越多的汽車制造商涉足電動汽車 (EV) 開發(fā),但是電動汽車的駕程過短卻始終是個(gè)問題。盡管采用空氣動力學(xué)設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的材料、更高效的功耗等方法確...

2021-12-03 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3.2k 0

氮化鎵元件對于5G基地臺需求加持,穩(wěn)懋?dāng)[脫貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN)晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營收情形,營收金額來到1.41億美元。

2019-08-15 標(biāo)簽:GaN5G 3.2k 0

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    藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度,更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱,新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps,是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是,它的有效距離是上一版本的4倍,理論上,藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
  • Qorvo
    Qorvo
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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    是德科技公司(Keysight,NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測量體驗(yàn)。
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    智慧家庭是智慧城市的最小單元,是以家庭為載體,以家庭成員之間的親情為紐帶,結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù),實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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  • Elektron
    Elektron
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  • 樂鑫
    樂鑫
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    樂鑫信息科技(上海)有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū),是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司,致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片,提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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    lorawan
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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