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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3441個 瀏覽：265042次 帖子：485個

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      　　Peter Rogerson表示，一個月以來雙方還一直在就收購后的安排進行討論，他和團隊成員還是頭一晚才拿到正式發(fā)布的演講稿。不過他確認PI的此次收...

      2012-05-09 標簽：PIIGBT驅動芯片 3.3k 0

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      2009-07-16 標簽：超聲波IGBT 3.3k 0

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      日前，致力于碳化硅功率器件技術創(chuàng)新的深圳基本半導體有限公司（以下簡稱基本半導體）成功參展2017國際電力電子元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asi...

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      2024-01-15 標簽：IGBT整流橋電磁感應 3.3k 0

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