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      igbt

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      +關(guān)注1261人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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      igbt資訊

      一切面向未來！英飛凌將重磅亮相深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展

      中國上海訊——9月27日，為期三天的深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展（ELEXCON 2021）將隆重開幕。

      2021-09-08 標(biāo)簽：英飛凌控制器mems 3.1k 0

      IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理

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      IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理 通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護(hù)方法等討

      2009-10-09 標(biāo)簽：IGBT 3.1k 0

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      將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集...

      2022-11-25 標(biāo)簽：三極管IGBT晶體管 3.1k 0

      上海貝嶺榮獲“2023汽車芯片50強”

      2023年11月28日，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo)，由北京經(jīng)開區(qū)管委會主辦，蓋世汽車承辦，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持的“芯...

      2023-11-30 標(biāo)簽：led照明控制器IGBT 3.1k 0

      揚杰科技榮膺2025行家極光獎年度中國SiC器件IDM十強企業(yè)

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      這個十二月，捷報連連！揚杰科技先于12月4日獲頒“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”，彰顯其在碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合實力；隨后在12月6日，又憑借過硬的產(chǎn)...

      2025-12-16 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 3.1k 0

      一文弄懂IGBT驅(qū)動

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      要了解什么是IGBT驅(qū)動，首先你需要了解什么是IGBT。請戳前情提要：《極簡電力電子學(xué)》。我們都知道，電機驅(qū)動是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。有的同學(xué)可能...

      2022-02-11 標(biāo)簽：IGBT 3.1k 0

      IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車”交付？亂局之下，國產(chǎn)IGBT迎來黃金期

      日前，全球最大的汽車芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問題，致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉，這批芯片原計劃將被用于韓國現(xiàn)代汽...

      2022-08-08 標(biāo)簽：英飛凌IGBT功率器件 3.1k 0

      比亞迪半導(dǎo)體亮相第三屆硬核中國芯領(lǐng)袖峰會

      第三屆硬核中國芯領(lǐng)袖峰會比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心高級市場經(jīng)理 孫允帥 先生將出席“第三屆硬核中國芯領(lǐng)袖峰會暨2021汽車芯片技術(shù)創(chuàng)新與...

      2021-12-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體比亞迪IGBT 3.1k 0

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      怎樣用一顆IGBT來撬動電動汽車的逆變器

      本文設(shè)計一種驅(qū)動供電電源，并通過實際測試證明其可用性。常見的驅(qū)動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計。由于反激電源在開關(guān)關(guān)斷期間才向負(fù)載提供能...

      2017-04-18 標(biāo)簽：電源逆變器igbt 3.1k 0

      2016最受關(guān)注十大模擬電子技術(shù)熱文

      模擬電子技術(shù)是一門研究對仿真信號進(jìn)行處理的模擬電路的學(xué)科。模擬電子技術(shù)中的二極管、三極管和場效應(yīng)管是最為關(guān)鍵的電子器件。本文將會盤點電子發(fā)燒友模擬技術(shù)頻...

      2017-01-11 標(biāo)簽：IGBT數(shù)模轉(zhuǎn)換器模擬電子 3.1k 2

      宏微科技亮相2025全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會

      2025年8月27至28日，第五屆全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會在上海松江成功舉辦。作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，宏微科技受邀參會，并集中展示了其...

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      目前車規(guī)級IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特...

      2025-09-29 標(biāo)簽：MOSFETIGBT碳化硅 3.1k 0

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      在微電子行業(yè)混久了的人，很少有不知道 IGBT 的。 圖示為IGBT模塊MG15P12P2：15A 1200V 7單元 IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對于...

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      國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的深度性能評估與系統(tǒng)級損耗對標(biāo)研究 產(chǎn)業(yè)宏觀背景與碳化硅技術(shù)的市場演進(jìn) 在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、電氣化轉(zhuǎn)...

      2026-04-18 標(biāo)簽：IGBT功率模塊碳化硅 3k 0

      又一波半導(dǎo)體企業(yè)正在沖刺科創(chuàng)板

      上交所網(wǎng)站信息顯示，中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司（以下簡稱“中科儀”）的科創(chuàng)板上市申請已于12月28日獲受理；炬芯科技股份有限公司（以下簡稱“炬芯...

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      功能陶瓷在IGBT中就是相當(dāng)于在電子電路基板上的應(yīng)用，作為功能陶瓷基板的材料有著優(yōu)秀的絕緣性，接下來為大家介紹一下功能陶瓷在IGBT領(lǐng)域中的應(yīng)用。

      2022-04-22 標(biāo)簽：IGBT陶瓷覆銅板 3k 0

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      2023-01-30 標(biāo)簽：MOS管IGBT電子電路 3k 0

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      在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶...

      2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 3k 0

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      上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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