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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

IGBT的原理,輸入輸出和控制信號(hào)

IGBT的原理,輸入輸出和控制信號(hào)

2025-12-06 標(biāo)簽:IGBT 3.2k 0

功率半導(dǎo)體器件企業(yè)宏微科技沖刺科創(chuàng)板

12月22日,上交所網(wǎng)站信息顯示,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“宏微科技”)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)已獲受理。

2020-12-24 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 3.2k 0

飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在變頻器的應(yīng)用

飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在變頻器的應(yīng)用

不同的變頻器對(duì)于IGBT單管使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有所區(qū)別,常見(jiàn)使用的關(guān)注點(diǎn)會(huì)有開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗 (VCE(sat))、良好的熱性能 、反向并聯(lián)二極管性能等...

2025-07-30 標(biāo)簽:二極管變頻器IGBT 3.2k 0

比亞迪半導(dǎo)體新研發(fā)的IGBT適用于各類(lèi)光伏逆變器

該兩款I(lǐng)GBT模塊采用光伏逆變市場(chǎng)的典型應(yīng)用拓?fù)洌K結(jié)構(gòu)緊湊、性能高效,適用于各類(lèi)光伏逆變器,如光伏逆變和儲(chǔ)能等。與行業(yè)同類(lèi)產(chǎn)品相比,溫升更低、可靠性更高。

2022-05-06 標(biāo)簽:IGBT光伏逆變器比亞迪半導(dǎo)體 3.2k 0

斯達(dá)半導(dǎo)2025年研發(fā)費(fèi)用激增35.94%,聚焦下一代IGBT

2026年3月31日,斯達(dá)半導(dǎo)(603290)發(fā)布2025年度業(yè)績(jī)快報(bào),全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入40.12億元,同比增長(zhǎng)18.34%;然而,歸母凈利潤(rùn)卻同比下降...

2026-04-23 標(biāo)簽:IGBT財(cái)報(bào)分析 3.2k 0

比亞迪如何抓住機(jī)遇發(fā)展IGBT產(chǎn)業(yè)?

日前,比亞迪公司董事會(huì)同意控股子公司比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司籌劃分拆上市事項(xiàng),欲啟動(dòng)分拆比亞迪半導(dǎo)體上市的前期籌備工作。業(yè)內(nèi)人士稱(chēng),本次分拆上市將有效提...

2021-01-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體比亞迪 3.2k 0

關(guān)于深度解析汽車(chē)點(diǎn)中火系統(tǒng)中對(duì)智能IGBT技術(shù)的需求

關(guān)于深度解析汽車(chē)點(diǎn)中火系統(tǒng)中對(duì)智能IGBT技術(shù)的需求

要產(chǎn)生火花,所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt.因此,如果線圈初級(jí)繞...

2021-04-21 標(biāo)簽:IGBT控制變壓器 3.2k 0

如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成,節(jié)省了不少精力,不得不說(shuō)這對(duì)工程師來(lái)說(shuō)是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,...

2023-01-14 標(biāo)簽:IGBT損耗 3.2k 0

碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試

摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了...

2022-12-21 標(biāo)簽:IGBT碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 3.2k 0

總投資10個(gè)億!簽約!年產(chǎn)六萬(wàn)顆,正齊半導(dǎo)體落地

馬來(lái)西亞正齊集團(tuán)CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊封裝工廠,這是我們集團(tuán)響應(yīng)全球‘雙碳’目標(biāo)和‘自主可控’戰(zhàn)略的重要舉措。我們...

2023-10-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT碳化硅 3.2k 0

完美無(wú)諧波高壓IGBT變頻器

完美無(wú)諧波高壓IGBT變頻器

完美無(wú)諧波高壓IGBT變頻器 1前言 國(guó)外某公司利用一種新的高壓變頻技術(shù),生產(chǎn)出功率為315kW~10000kW的完美無(wú)諧波高壓變

2009-07-10 標(biāo)簽:變頻器IGBT 3.2k 0

來(lái)自英飛凌開(kāi)發(fā)者社區(qū)的10問(wèn)10答——IGBT篇

來(lái)自英飛凌開(kāi)發(fā)者社區(qū)的10問(wèn)10答——IGBT篇

Q在IGBT器件的開(kāi)通過(guò)程中,柵極電荷Qg的充電過(guò)程是怎樣的?A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊(cè)中如圖1所示,給出了柵極電荷Qg和柵...

2023-08-02 標(biāo)簽:英飛凌電壓IGBT 3.2k 0

新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件:P20...

2022-05-24 標(biāo)簽:IGBT 3.2k 0

瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性,提升系統(tǒng)功率

瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性,提升系統(tǒng)功率

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產(chǎn)品,其可將用于...

2016-03-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT瑞薩電子 3.2k 0

IGBT:新能源汽車(chē)的核心

IGBT:新能源汽車(chē)的核心

隨著新能源汽車(chē)(NEV)的崛起,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為這一領(lǐng)域的核心元件。目前我國(guó)新能源汽車(chē)快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國(guó)最重要的應(yīng)用領(lǐng)域...

2023-10-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源IGBT 3.1k 0

英飛凌推出采用TO-247封裝的TRENCHSTOP? IGBT7技術(shù)

TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過(guò)調(diào)整來(lái)達(dá)到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開(kāi)關(guān)損耗。

2020-09-29 標(biāo)簽:英飛凌封裝IGBT 3.1k 0

IGBT龍頭企業(yè)中車(chē)電氣產(chǎn)品毛利率持續(xù)下滑

隨著國(guó)外IGBT產(chǎn)品供應(yīng)不足,交期一再拉長(zhǎng),國(guó)內(nèi)客戶除了下全款訂單等待產(chǎn)品的同時(shí),也正在逐步接受?chē)?guó)產(chǎn)IGBT,培養(yǎng)二供,給國(guó)內(nèi)IGBT廠商帶來(lái)了新機(jī)會(huì)。

2021-01-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體比亞迪IGBT 3.1k 0

比亞迪半導(dǎo)體或于明年自建SiC產(chǎn)線

據(jù)媒體今日?qǐng)?bào)道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自...

2020-12-24 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體比亞迪 3.1k 0

功率器件IGBT及國(guó)內(nèi)外IGBT企業(yè)

功率器件IGBT及國(guó)內(nèi)外IGBT企業(yè)

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...

2024-05-16 標(biāo)簽:三極管IGBT晶體管 3.1k 0

MOS管和IGBT的區(qū)別

在現(xiàn)代電子技術(shù)中,功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵組件。MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是兩種廣泛使用...

2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管IGBT電子技術(shù) 3.1k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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