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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

碳化硅器件封裝中的3個關鍵技術指標是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標簽：pcb 功率器件 SiC 1.4k 0

SiC與功率器件半導體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標簽：晶閘管 MOS 功率器件 1.4k 0

AC/DC轉換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹

內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 標簽：轉換器 MOSFET 封裝 1.4k 0

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-24 標簽：轉換器 MOSFET SiC 1.4k 0

利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉換...

2023-03-20 標簽：電源轉換器晶體管 1.4k 0

AC/DC拓撲：SpeedFit示例

SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應用的六種不同的單相拓撲。這些拓撲為有源單相升壓模式電路，用于功率因數(shù)校正（PFC）應用。PFC 的...

2023-05-20 標簽：電源二極管 SiC 1.4k 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表 SiC GaN 1.4k 0

基于SiC MOSFET的T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設計方案

以下是基于B3M010C075Z（750V）和B3M013C120Z（1200V）SiC MOSFET的 T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設計方案，融合多...

2025-08-10 標簽：MOSFET UPS 數(shù)據(jù)中心 1.4k 0

一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換...

2024-06-21 標簽：半導體 MOS SiC 1.4k 0

SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合，提升電力轉換性能

使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...

2025-03-20 標簽：MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管 1.4k 0

最大限度降低SiC FET的EMI的開關損耗

對高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速開關速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。

2023-02-21 標簽：MOSFET emi SiC 1.4k 0

通過轉移到SiC技術來獲得暖通空調更佳的SEER等級

由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021期間，天然氣價格上漲了47%。

2023-07-08 標簽：空調 Mouser SiC 1.4k 0

SiC-MOSFET和功率晶體管的結構與特征比較

近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開...

2023-02-08 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.4k 0

功率晶體管的結構與特征比較

使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低...

2023-02-23 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.4k 0

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅動BTD25350

國芯思辰，國產芯片替代

2023-11-30 標簽：SiC 充電樁 1.4k 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 1.4k 0

基于SiC器件的電力電子變流器研究

2023-06-20 標簽：電力電子 SiC 變流器 1.4k 0

集成的專業(yè)知識為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段（8–12 GHz）的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.4k 0

650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

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TMS320F280038-Q1微控制器技術文檔總結

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設計，包...

2025-09-30 標簽：微控制器 PWM 電力電子 1.4k 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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采用可靠、經濟、集成、低碳、環(huán)保的設備與設計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網絡化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結構設計緊湊化、高壓設備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網運行可靠性及經濟性的變電站。
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