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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開(kāi)關(guān)的新選擇
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率開(kāi)關(guān)器件至關(guān)重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC ...
2025-12-02 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)FETSiC 1.4k 0
為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢?
硅(Si)基電力電子器件長(zhǎng)期以來(lái)一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。
2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1.4k 0
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1.4k 0
二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND...
浮思特 | 從IGBT到SiC:一款功率模塊如何讓充電樁效率提升8%
在當(dāng)前新能源、電動(dòng)汽車與高端工業(yè)裝備快速發(fā)展的背景下,功率器件正朝著更高效率、更高頻率和更高可靠性的方向不斷演進(jìn)。其中,碳化硅(SiC)功率模塊憑借其優(yōu)...
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會(huì)給波形測(cè)量結(jié)果帶來(lái)很大影響。?如果延長(zhǎng)線較長(zhǎng),在柵極引腳和源極引腳與測(cè)量夾具之間形成的環(huán)路會(huì)導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢(shì)
為減緩氣候變化的步伐,人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展,并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率,對(duì)電源的要...
半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測(cè)
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能,必須對(duì)...
碳化硅功率器件:革新未來(lái)能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料
隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。
2024-03-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.4k 0
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推...
如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動(dòng)電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時(shí),門驅(qū)動(dòng)電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對(duì)環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動(dòng)出行等趨勢(shì)背后...
2024-11-05 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路SiC 1.3k 0
在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.3k 0
車規(guī)級(jí)功率器件可靠性測(cè)試難點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景
車規(guī)級(jí)功率器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢(shì),GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評(píng)測(cè)方面:...
碳化硅解決方案滿足快速充電基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)要求
基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應(yīng)性,有助于滿足當(dāng)今對(duì)快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求,無(wú)論它是否是雙向充電站。無(wú)論如何,它們?cè)谌魏吻闆r下都...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC 1.3k 0
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同,僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 1.3k 0
浮思特|如何通過(guò)設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?
提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊,有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...
2024-12-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.3k 0
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