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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 1.3k 0

基于onsemi EVBUM2897G-EVB評(píng)估板的雙脈沖測(cè)試技術(shù)詳解

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onsemi EVBUM2897G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于比較測(cè)量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...

2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1.3k 0

新能源汽車(chē)高壓充電系統(tǒng)有哪些

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截至2023 年6月末,全國(guó)充電樁保有量為665.2萬(wàn)臺(tái),同比增加 69.8%。其中,公共充電樁占比 32.3%,私人充電樁占比 67.7%。近年來(lái)車(chē)樁...

2023-08-29 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車(chē)IGBT 1.3k 0

SiC推動(dòng)實(shí)現(xiàn)可再生的未來(lái)

隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來(lái)邁進(jìn),許多國(guó)家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電,轉(zhuǎn)而使用可再生能源。

2022-11-24 標(biāo)簽:逆變器太陽(yáng)能光伏SiC 1.3k 0

安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革

在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下,節(jié)能減排已成為國(guó)際社會(huì)共同面臨的重大課題。各國(guó)政府紛紛出臺(tái)政策,推動(dòng)能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展,旨在實(shí)現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...

2025-01-15 標(biāo)簽:安森美電源技術(shù)SiC 1.3k 0

采用先進(jìn)Wolfspeed SiC技術(shù),滿(mǎn)足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

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對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)(其采用 90 kW 至 350 kW 以上的動(dòng)力總成逆變器)而言,提高效率、減小尺寸、減輕重量可最大限度提高車(chē)輛續(xù)航里程。Wolfspee...

2023-05-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器SiC 1.3k 0

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...

2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET可編程晶體管 1.3k 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

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在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETSiCRohm 1.3k 0

SiC-SBD的發(fā)展歷程

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為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。

2023-02-08 標(biāo)簽:二極管SBDSiC 1.3k 0

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢(shì)

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微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)SiC單晶時(shí),微管極易形成,并且...

2025-04-24 標(biāo)簽:晶體SiC碳化硅 1.2k 0

基于碳化硅的解決方案實(shí)現(xiàn)公交車(chē)的電氣化

像任何其他電動(dòng)汽車(chē)一樣,公共汽車(chē)必須克服里程焦慮,因?yàn)樗鼈儽仨毮軌蛟诓恍枰潆姷那闆r下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...

2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電器SiC 1.2k 0

onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET深度解析

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在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET一直是電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的NTH4L060N065SC1,一款650V...

2025-12-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率MOSFET 1.2k 0

先進(jìn)碳化硅技術(shù),助力簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)

通過(guò)利用單一封裝形式和功率拓?fù)?,ATDI 的電源簡(jiǎn)化了其客戶(hù)的設(shè)計(jì)和鑒定過(guò)程,從而更輕松地將電源集成到工藝和測(cè)試設(shè)備。這還減少了制造/組裝終端客戶(hù)的負(fù)擔(dān)...

2023-05-20 標(biāo)簽:電源MOSFETSiC 1.2k 0

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 —  進(jìn)行正確的比較

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2023-09-27 標(biāo)簽:MOSFETFETSiC 1.2k 0

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作

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上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作:下面是表示L...

2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET柵極SiC 1.2k 0

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隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)...

2024-11-14 標(biāo)簽:充電器安森美封裝技術(shù) 1.2k 0

SiC MOSFET的重要注意事項(xiàng)

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綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)...

2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.2k 0

氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹

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達(dá)摩院指出,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn),正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng):SiC元件已用作汽車(chē)逆變器,GaN快速充電器也大量上市。

2023-02-07 標(biāo)簽:逆變器SiC氮化鎵 1.2k 0

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件

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SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

SiC器件如何增加功率電路的安培容量

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Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模塊,便于在單個(gè)封裝內(nèi)集成電路拓?fù)?,從而以?biāo)準(zhǔn)尺寸為功率電路提供更高的安培容量。該模塊體積...

2023-05-24 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SiC 1.2k 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    USB PD
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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你是誰(shuí)啊z efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫(huà)皮西瓜 角里先生同學(xué)

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