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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求
碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境...
SiC上的GaN的主要優(yōu)點(diǎn)是其導(dǎo)熱性優(yōu)勢(shì)。SiC上的GaN的導(dǎo)熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運(yùn)行。Palmour解釋...
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長階段，特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對(duì)SiC功...
我們的目的不是討論控制理論，而是提供第一手詳細(xì)信息，介紹開發(fā)團(tuán)隊(duì)所采取的控制硬件和軟件開發(fā)的有益方法，幫助加快固件開發(fā)和驗(yàn)證過程。這些信息既適用于ARM...
安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
SiC 技術(shù)相對(duì)于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車到電動(dòng)汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到45年，電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1.3k 0
創(chuàng)新非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用
保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳...
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電壓柵極 1.3k 0
隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性，如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展...
TMS320F28003x （F28003x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前...
揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)
/引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨(dú)特之處？特別是在...
2025-07-02 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC電容效應(yīng) 1.3k 0
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需...
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng)：探頭的CMRR
在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊（HS）MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí)，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測(cè)波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會(huì)...
在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。
益登科技受邀參加意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)
意法半導(dǎo)體一年一度的工業(yè)峰會(huì)于近日在深圳福田香格里拉大酒店舉辦，工業(yè)峰會(huì)是意法半導(dǎo)體充分展示工業(yè)產(chǎn)品技術(shù)和解決方案廣度和深度的頂級(jí)盛會(huì)，今年已經(jīng)進(jìn)行到第...
2024-11-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體SiC 1.3k 0
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