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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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優(yōu)化碳化硅(SiC)清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性,以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實(shí)施策略:1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)選擇性蝕刻控...
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...
TMS320F280034-Q1 汽車級(jí) C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果,但在生產(chǎn)環(huán)境中,我們需要更好地控制腳端彎曲。否則,可能會(huì)引起數(shù)不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠...
一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅(qū)動(dòng)方法
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不...
2024-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 1.2k 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造...
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 1.2k 0
Power Box Board幫助學(xué)生更好地了解Si和SiC技術(shù)
我們知道,技術(shù)教育不僅需要理論知識(shí),還需要實(shí)踐知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2實(shí)驗(yàn)室實(shí)際上可以幫助學(xué)生理解電路設(shè)計(jì)概念等主題。Po...
2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器PowerSiC 1.2k 0
隔離比較器在電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用
電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的趨勢(shì)是高效率,高功率密度和高可靠性。功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)...
2023-03-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體電機(jī) 1.2k 0
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。
電力電子控制從線性控制到模型預(yù)測(cè)控制在SiC功率系統(tǒng)中的融合與應(yīng)用
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
2026-02-12 標(biāo)簽:SiC電子控制功率半導(dǎo)體 1.1k 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
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