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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽...
在PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%,總體損耗顯著降低。...
功率半導(dǎo)體迎來SiC時代?碳化硅(SiC)的需求快速增長
在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 5.4k 0
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機械等多種應(yīng)力的作用,其退化機理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。
連續(xù)纖維增強陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進展
連續(xù)纖維增強陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國外機構(gòu)已具備了...
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 標(biāo)簽:新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 5.3k 0
我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非???,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...
什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?
SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。
本文聚焦助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用環(huán)節(jié)與匹配要求,其核心作用為清除氧化層、降低焊料表面張力、保護焊點。應(yīng)用環(huán)節(jié)覆蓋焊接前預(yù)處理、焊接中成型潤濕、焊...
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...
碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大,難以匹配 SiC 器件...
2023-12-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 5.1k 0
基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設(shè)計方法
摘要:隨著儲能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對電路中雜散...
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