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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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PI推出汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV

Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適...

2022-05-10 標(biāo)簽:PIIGBTSiC 5.3k 0

行業(yè) | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走向繁榮

安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一,在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。

2019-07-25 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體SiC 5.3k 0

多方面的消息證明,碳化硅大戰(zhàn)一觸即發(fā)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,2018年全球?qū)?huì)有超過20家的汽車業(yè)者,在OBC中使用SiC肖特基二極體(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未...

2018-12-18 標(biāo)簽:芯片功率器件SiC 5.3k 0

安森美SiC解決方案在電動(dòng)汽車的主要應(yīng)用

安森美SiC解決方案在電動(dòng)汽車的主要應(yīng)用

隨著電動(dòng)汽車(EV)逐漸成為主流,人們對(duì)電動(dòng)汽車的性能、充電時(shí)間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求,不僅需要在用戶界面層面進(jìn)行創(chuàng)新,更要深入動(dòng)力系...

2025-09-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 5.3k 0

SiC在半導(dǎo)體中的好處分析

在外延片方面,我國已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng),建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈...

2020-09-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體電力 5.3k 0

淺析SiC MOS新技術(shù):溝道電阻可降85%

淺析SiC MOS新技術(shù):溝道電阻可降85%

我們知道,SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問題,最近,日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長技術(shù),據(jù)說可以...

2023-10-11 標(biāo)簽:MOSFETSiCSLE 5.3k 0

ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%

ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%

在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強(qiáng)符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容...

2020-06-19 標(biāo)簽:mosfet元器件sic 5.3k 0

差距縮至2年內(nèi)!國內(nèi)8英寸SiC襯底最新進(jìn)展

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)的上游核心材料,在下游器件需求高速增長下,近年來襯底廠商加速推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)進(jìn)度,去年業(yè)界龍頭...

2023-06-22 標(biāo)簽:SiC 5.3k 0

15萬車型也能有車規(guī)SiC!2025年慕展6家廠商新品亮點(diǎn)大揭秘

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電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 4月15日,慕尼黑上海電子展盛大開場。海內(nèi)外的工程師、采購商和觀眾紛紛入館,人潮涌動(dòng)。在N4和N5館內(nèi),近40家企業(yè)分別展示了汽車...

2025-04-19 標(biāo)簽:SiC慕展 5.3k 0

國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步

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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在2月27日,意法半導(dǎo)體(ST)和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個(gè)近年海外半導(dǎo)體巨頭...

2025-03-18 標(biāo)簽:STSiC 5.3k 0

我國半導(dǎo)體技術(shù)的有一步發(fā)展世界上最大口徑單體碳化硅反射鏡面世

歷時(shí)15年探索攻關(guān)、9年立項(xiàng)研制,中國科學(xué)家打破國外技術(shù)封鎖和產(chǎn)品壟斷,研制成功世界上迄今公開報(bào)道的最大口徑單體碳化硅(SiC)反射鏡——直徑4.03米...

2018-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC反射鏡 5.2k 0

SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 5.2k 0

Cree將宣布投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動(dòng)汽車和5G市場需求。

2019-05-10 標(biāo)簽:CreeSiC碳化硅 5.2k 0

科銳宣布與意法半導(dǎo)體簽署供貨協(xié)議 將加速SiC在汽車和工業(yè)兩大市場的商用

近日Cree科銳宣布,其與意法半導(dǎo)體簽署了一份多年供貨協(xié)議,為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)其Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓。

2019-01-11 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC科銳 5.2k 0

SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

在圖形化、刻蝕、化學(xué)掩膜沉積、金屬鍍膜等工藝段,只需在現(xiàn)有設(shè)備上調(diào)整參數(shù),基本上可以兼容適用。因此,產(chǎn)業(yè)上需要將 Si 基功率器件生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換成 SiC ...

2022-12-02 標(biāo)簽:芯片SiC產(chǎn)業(yè)鏈 5.2k 0

比亞迪、華為進(jìn)入前五!SiC逆變器市場,中國供應(yīng)鏈重塑版圖

比亞迪、華為進(jìn)入前五!SiC逆變器市場,中國供應(yīng)鏈重塑版圖

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 近日,調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢報(bào)告顯示,2024年第四季度全球電動(dòng)汽車逆變器總裝機(jī)量達(dá)到867萬臺(tái),季度增長26%,中...

2025-03-22 標(biāo)簽:比亞迪華為逆變器 5.2k 0

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS...

2020-03-20 標(biāo)簽:IGBTSiC 5.2k 0

在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、SiC、GaN如何各司其職?

在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、SiC、GaN如何各司其職?

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的PSU(電源供應(yīng)單元)路線圖,在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上,...

2024-07-08 標(biāo)簽:電源SiCGaN 5.2k 0

汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡介

就在德國紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天,Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會(huì),PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...

2022-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PIIGBT 5.2k 0

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    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    無線供電,是一種方便安全的新技術(shù),無需任何物理上的連接,電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無線供電。
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    ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測(cè)試方案。
  • 快充
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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  • DCDC電源
    DCDC電源
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  • 納微半導(dǎo)體
    納微半導(dǎo)體
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    Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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  • 共享充電寶
    共享充電寶
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  • 醫(yī)療電源
    醫(yī)療電源
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    系統(tǒng)電源
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  • 董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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步進(jìn)電機(jī) SPWM 充電樁 IPM 機(jī)器視覺 無人機(jī) 三菱電機(jī) ST
伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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