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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點...

2024-11-25 標簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 4.9k 0

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日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2017年因國際景氣好轉(zhuǎn)而表現(xiàn)良好,但廠商同時也看出PC與手機半導(dǎo)體市場走入極限,因此利用這個機會希望積極轉(zhuǎn)型,據(jù)日刊工業(yè)新聞報導(dǎo),羅姆...

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關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風(fēng)格,借助器件S...

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?當前電動汽車的發(fā)展速度有目共睹,據(jù)高盛研究公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,到2023年,電動汽車銷量將占全球汽車銷量的10%;到2030年,這一數(shù)據(jù)預(yù)計將增長至3...

2023-10-31 標簽:電動汽車模塊IGBT 4.9k 0

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新能源汽車及混合動力技術(shù)分論壇

在2018年11月6至8日于上海舉辦中國汽車工程學(xué)會年會暨展覽會(SAECCE)上,全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)攜多款新產(chǎn)品亮相。

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理論性能遠超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及,經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...

2024-01-24 標簽:功率二極管功率器件SiC 4.8k 0

GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體合作關(guān)于碳化硅

關(guān)鍵詞:CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies(GTAT)和安...

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光纖法珀式SiC耐高溫壓力傳感器的制造與測試

光纖法珀式壓力傳感器由于無需引入金屬等其他材料,能夠最大限度地發(fā)揮傳感膜片等基體所用材料的耐高溫特性,可滿足高溫極端環(huán)境下的壓力測量要求。碳化硅(SiC...

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SiC市場格局及國內(nèi)外的差距在哪里

(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,GaN器件在快充等消費類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠商委以重任。未來...

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Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊

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全球碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)科銳(Cree)與德國采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣布達成戰(zhàn)略合作,開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的高效率電傳動...

2019-11-06 標簽:SiC科銳電驅(qū)動 4.7k 0

碳化硅IGBT絕緣襯底材料

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目前,碳化硅(SiC)這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對晶圓和器件的研究在近年來已經(jīng)取得很大進展。碳化硅是一種寬禁帶(WB...

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國產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)SiC在電動汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用,隨著市場對電動汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求,正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由...

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新能源汽車拉動SiC第三代半導(dǎo)體上車:襯底與外延環(huán)節(jié)的材料,設(shè)備國產(chǎn)化機遇

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導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨大,絕緣型襯底天岳先進入圍前三。2020年全球?qū)щ娦蚐iC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷,CR3高...

2023-09-07 標簽:新能源汽車半導(dǎo)體SiC 4.7k 0

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