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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Cree成為大眾汽車集團FAST項目SiC碳化硅獨家合作伙伴
這項協(xié)議將兩場同時進行的產(chǎn)業(yè)變革聯(lián)結(jié)在了一起:汽車產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機向EV電動汽車的轉(zhuǎn)型,而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),SiC碳化硅的采用正在不斷增長。這項協(xié)議同時...
Cree成為大眾汽車集團FAST項目SiC碳化硅獨家合作伙伴
14日消息,科銳(Cree)宣傳成為大眾汽車集團(Volkswagen Group)FAST(Future Automotive Supply Trac...
Cree將宣布投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產(chǎn)能
先進的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。
搶先看第三代半導(dǎo)體GaN與SiC技術(shù)沙龍
隨著全球5G網(wǎng)絡(luò)規(guī)模化部署和商業(yè)化進程加速,電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)小型輕量化需求的提升,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長,吸引了諸多國際廠商紛紛...
2019-05-09 標(biāo)簽:SiC 4k 0
Cree宣布投資10億美元 用于擴大SiC(碳化硅)產(chǎn)能
Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴大SiC(碳化硅)產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅...
UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個SiC FET
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC...
富士康濟南項目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件
據(jù)介紹,中鐵14局主要負責(zé)項目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場區(qū)市政以及安裝工程等,目前項目進場道路已經(jīng)打通,正在進行灰土和面層混凝土施工;降水工程基...
2019-05-06 標(biāo)簽:功率器件SiC半導(dǎo)體器件 8k 0
SiC功率元件憑借電動車發(fā)展擴大應(yīng)用,成本問題為主要考量
受惠于電動車市場需求提升,為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求,SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品,可分為:SiC-SBD(SiC...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC適合高壓領(lǐng)域,GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
安森美半導(dǎo)體推出IGBT門極驅(qū)動器 提供同類最佳的電流性能和保護特性
展示針對強固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動器, 提供同類最佳的電流性能和保護特性 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconduct...
第三代半導(dǎo)體材料突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體材料的瓶頸,從而引領(lǐng)了新一輪產(chǎn)業(yè)革命
除此之外,為了縮短測試所用的時間,這種儀器還必須能夠監(jiān)視這臺設(shè)備所消耗的電壓和電流,并以此來判斷設(shè)備的性能或測試設(shè)備是否正常工作。而與其他器件相比,測試...
2019-04-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC5G網(wǎng)絡(luò) 9.2k 0
羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC
在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢,當(dāng)Si...
2019-04-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCACDC 2.8k 0
SiC助益電動汽車發(fā)展,英飛凌與意法半導(dǎo)體加速布局
來源:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院電動汽車領(lǐng)域分為HEV(混合動力車)與新能源車(BEV、PHV、FCV)兩大類,目前占總
采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
在九江市委、市政府主要領(lǐng)導(dǎo)的高位推動下,由泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項目正式簽約落戶九江經(jīng)開區(qū)。
UnitedSiC宣布推出適用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片
美國新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的...
國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價格預(yù)期仍將上漲
全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 9k 0
TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動器,具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護
新型TI柵極驅(qū)動器提供先進的監(jiān)控和保護功能,同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。
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