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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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從電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn)到安全挑戰(zhàn) SiC功率元器件的作用逐漸在顯現(xiàn)
動(dòng)力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運(yùn)行,需要通過電池管理系統(tǒng)(BMS)對(duì)動(dòng)力電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護(hù)...
2020-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC功率元器件 1.6k 0
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無線和電信系統(tǒng)中50~500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉(zhuǎn)換,以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標(biāo)準(zhǔn)硬開關(guān)等領(lǐng)域。
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...
利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的流程概述
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化...
GaN和SiC能促電動(dòng)汽車電池降本? 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注
迄今為止,電動(dòng)汽車電池的價(jià)格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù),它們也許可以改變這一切。 較新的化...
2020-01-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 5.8k 0
正式落戶西安!中德第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目舉行簽約
西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項(xiàng)目集中簽約儀式。中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個(gè)項(xiàng)目簽約落戶西安涇河新城。
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...
意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購
從材料專業(yè)知識(shí)和工藝工程,到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造,意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。
2019-12-03 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體SiC 1.4k 0
意法半導(dǎo)體完成Norstel AB整體收購,可應(yīng)對(duì)SiC晶圓產(chǎn)能緊缺
據(jù)了解,Norstel將被完全整合到意法半導(dǎo)體的全球研發(fā)和制造業(yè)務(wù)中,繼續(xù)發(fā)展150mm碳化硅裸片和外延片生產(chǎn)業(yè)務(wù)研發(fā)200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。
2019-12-03 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體sic 7.1k 0
SiC和GaN半導(dǎo)體產(chǎn)品競爭激烈,日本企業(yè)實(shí)力雄厚
近兩年來,各國科技企業(yè)都在關(guān)注半導(dǎo)體建設(shè),加快在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的自主研發(fā)步伐,畢竟半導(dǎo)體涉及到的領(lǐng)域也比較廣,能夠?yàn)楦餍懈鳂I(yè)的發(fā)展提供幫助,可以說生活中所...
科銳助力ABB進(jìn)入高增長EV電動(dòng)汽車市場
電子發(fā)燒友訊,11月19日消息,全球碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳宣布與ABB達(dá)成合作,該公司將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體用于高速增長...
2019-11-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC科銳 4.7k 0
格力11月11日晚發(fā)布公告,擬以自有資金20億元認(rèn)購三安光電非公開發(fā)行的股份,三安光電此次非公開發(fā)行A股股票,擬募集資金總額不超過70億元,先導(dǎo)高芯擬認(rèn)...
直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用,這就帶來了 S...
Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導(dǎo)體,意法半導(dǎo)體,ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半...
2019-11-11 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
科銳與采埃孚推進(jìn)電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域合作
全球碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)科銳(Cree)與德國采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作,開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的高效率電傳動(dòng)...
2019-11-06 標(biāo)簽:SiC科銳電驅(qū)動(dòng) 4.7k 0
50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的電機(jī)實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)是什么?
U.S. DRIVE給電機(jī)和電控的發(fā)展定了一個(gè)目標(biāo),那就是到2025年時(shí),電機(jī)控制器的效率不能低于98%;功率密度要達(dá)到100kW/L;成本要降到2.7...
最近幾年,由于MOSFET技術(shù)開始被市場所接受,包括心理門檻和技術(shù)門檻,SiC市場開始了較快地增長。2018年SiC的市場規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)...
10月9日,博世已研發(fā)出一種新型半導(dǎo)體芯片技術(shù)。這種芯片技術(shù)可有效提升電動(dòng)汽車的安全性,當(dāng)電動(dòng)車發(fā)生事故時(shí),該芯片能夠快速發(fā)出指令使電路快速斷電,防止車...
近日,科銳在官網(wǎng)宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)展,表示將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠。
ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200...
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