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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析
隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全...
近日,華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會,共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰(zhàn)。
SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經有超過兩家Si...
2025年碳化硅(SiC)功率器件設計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術、資本、供應鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...
電力電子產業(yè)實現“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國產SiC模塊取代進口IGBT模塊
國產SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢,既是技術迭代的必然結果,也是中國電力電子產業(yè)實現“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。
碳化硅(SiC)技術正引領一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術的...
近日,唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣...
SiC模塊并聯ANPC拓撲在225kW儲能變流器中的方案優(yōu)勢
BASiC基本半導體(BASiC Semiconductor)SiC模塊BMF240R12E2G3并聯ANPC拓撲在225kW儲能變流器PCS中的損耗分...
英飛凌在200mm碳化硅(SiC)產品領域取得了重大進展,計劃在2025年第一季度向客戶推出首批基于這一先進技術的產品。這些創(chuàng)新產品將在奧地利的菲拉赫生...
環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定
近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價格已經穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025...
近日,英飛凌宣布了一項重要進展:將于本季度向客戶交付首批基于先進的200mm(即8英寸)晶圓SiC(碳化硅)技術的產品。這一消息的發(fā)布,標志著英飛凌在S...
眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關鍵...
英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產品
2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術...
英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產品
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術的SiC產品這些產品在奧地利菲拉赫生產,為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術2...
基于國產SiC模塊的50kW數據中心HVDC電源系統(tǒng)設計
傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數據中心HVDC電源系統(tǒng)設計 ...
2025-02-23 標簽:數據中心SiC電源系統(tǒng) 1.6k 0
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