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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

SiC MOSFET器件存在可靠性問(wèn)題,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。

2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 2.3k 0

6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.5總結(jié)第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)...

2022-01-27 標(biāo)簽:SiC 2.3k 0

可喜可賀!國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)芯片加速上車(chē)

可喜可賀!國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)芯片加速上車(chē)

近年來(lái),智能電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量一路迅速攀升,智能化深度發(fā)展致單車(chē)芯片搭載量持續(xù)增長(zhǎng),智能電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域?qū)?chē)規(guī)級(jí)芯片的需求越發(fā)旺盛。而在如此旺盛的需求之下,中國(guó)車(chē)...

2024-03-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)mcuSiC 2.3k 0

基于GaN和SiC的功率半導(dǎo)體將推動(dòng)電力電子封裝集成和應(yīng)用

另一方面,地殼中含有豐富的硅元素,其中30%是由硅組成的。工業(yè)規(guī)模的單晶碳化硅錠的生長(zhǎng)是一種成熟的、可利用的資源。最近,先驅(qū)者已經(jīng)開(kāi)始評(píng)估8英寸晶圓,有...

2020-09-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 2.3k 0

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...

2024-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌MOSFET 2.3k 0

新質(zhì)生產(chǎn)力賦能高質(zhì)量發(fā)展,青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備!

4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展,在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

2024-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 2.3k 0

硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

相比之下,氮化鎵在自然中以閃鋅礦(一種鋅和鐵的硫化物)的形式存在,在這種分布稀少的情況下,提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比,氮化鎵在射頻電子學(xué)中表現(xiàn)最佳,...

2024-03-01 標(biāo)簽:SiCGaN晶體結(jié)構(gòu) 2.3k 0

度亙核芯SiC熱沉:助力高功率激光芯片突破散熱瓶頸

度亙核芯SiC熱沉:助力高功率激光芯片突破散熱瓶頸

高功率半導(dǎo)體激光芯片的單顆出光功率不斷提升,目前主流應(yīng)用已升至45W,但向更高功率50W、60W甚至更高功率邁進(jìn)時(shí),作為芯片"散熱后盾&quo...

2025-08-01 標(biāo)簽:SiC高功率半導(dǎo)體激光芯片 2.3k 0

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望!

碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

2022-11-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.3k 0

重點(diǎn)介紹有關(guān)汽車(chē)用SiC技術(shù)

摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同...

2019-03-05 標(biāo)簽:汽車(chē)電子SiC 2.3k 0

新能源汽車(chē)與SiC技術(shù)的崛起:中國(guó)市場(chǎng)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

新能源汽車(chē)行業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速,已成為全球最耀眼的產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)預(yù)測(cè),2023年中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量將達(dá)到950萬(wàn)輛,市場(chǎng)占比高達(dá)31.6%。到2024年,年...

2024-10-31 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFETSiC 2.3k 0

用于航空航天和國(guó)防的 GaN 和 SiC 解決方案

用于航空航天和國(guó)防的 GaN 和 SiC 解決方案

WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類(lèi)產(chǎn)品高出幾個(gè)數(shù)量級(jí),包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開(kāi)關(guān)速度能力以及十分之一的能量損失。...

2022-08-08 標(biāo)簽:電源SiCGaN 2.3k 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 2.3k 0

科銳開(kāi)發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

科銳開(kāi)發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

美國(guó)科銳公司(Cree)開(kāi)發(fā)出了直徑為150mm(6英寸)、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓,適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。

2012-09-05 標(biāo)簽:LEDSiC科銳 2.3k 0

飛仕得攜SiC器件動(dòng)靜態(tài)ATE測(cè)試機(jī)和動(dòng)態(tài)偏壓可靠性測(cè)試機(jī)亮相活動(dòng)

由新態(tài)咨詢(xún)主辦的功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)暨 CIAShow國(guó)際功率半導(dǎo)體裝備及材料創(chuàng)新展將于2024年4月22-24日在蘇州獅山國(guó)際會(huì)議中心舉辦。

2023-12-29 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiCATE 2.3k 0

SiC在電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)模塊上的應(yīng)用

傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性質(zhì)受限 ,在高溫、高壓、高頻、高功率等領(lǐng)域上性能上限較低。

2022-07-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源SiC 2.3k 0

高溫熔融沉積結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備SiC陶瓷新方法

碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學(xué)質(zhì)量和優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于航空航天、石油化工、集成電路等領(lǐng)域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...

2022-07-10 標(biāo)簽:集成電路SiC碳化硅 2.3k 0

1700V!這一國(guó)產(chǎn)SiC MOS率先上車(chē)

前幾天,三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點(diǎn)這里.),很多人好奇這款車(chē)的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰(shuí),今天答案正式揭曉!

2023-06-14 標(biāo)簽:MOS管電機(jī)控制器SiC 2.3k 0

英國(guó)研究機(jī)構(gòu)開(kāi)發(fā)一種基于SiC的陶瓷基復(fù)合材料技術(shù)

英國(guó)研究機(jī)構(gòu)開(kāi)發(fā)一種基于SiC的陶瓷基復(fù)合材料技術(shù)

“基于 SiC 的陶瓷基復(fù)合材料是一種很有前途的材料,適用于包括航空發(fā)動(dòng)機(jī)在內(nèi)的許多極端環(huán)境應(yīng)用,” ATL 的技術(shù)經(jīng)理Ryan Skillett說(shuō)?!?..

2023-05-18 標(biāo)簽:SiC復(fù)合材料碳化硅 2.3k 0

UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)

美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF...

2019-07-25 標(biāo)簽:封裝FETSiC 2.3k 0

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  • 快充技術(shù)
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  • 尼吉康
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
  • 閾值電壓
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
  • 寧德時(shí)代
    寧德時(shí)代
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  • 艾德克斯
    艾德克斯
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
  • 快充
    快充
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
  • Qi標(biāo)準(zhǔn)
    Qi標(biāo)準(zhǔn)
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    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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    Pebble
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    Pebble,是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底,智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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    電池系統(tǒng)
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     BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電,延長(zhǎng)電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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    手機(jī)快充
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    A4WP
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    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • MAX660
    MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
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  • 太陽(yáng)能充電
    太陽(yáng)能充電
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  • PSR
    PSR
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  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
    +關(guān)注
    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
  • 浪涌抑制器
    浪涌抑制器
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  • DCDC電源
    DCDC電源
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    DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi),按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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    納微半導(dǎo)體
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    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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    USB-PD
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    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
  • 共享充電寶
    共享充電寶
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
  • 醫(yī)療電源
    醫(yī)療電源
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    系統(tǒng)電源
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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你是誰(shuí)啊z efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫(huà)皮西瓜 角里先生同學(xué)

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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