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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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高功率密度SiC電力電子系統(tǒng)的熱仿真與熱界面材料（TIM）選型實戰(zhàn)分析

隨著全球電氣化進程的加速、電動汽車（EV）的普及以及可再生能源并網(wǎng)規(guī)模的擴大，現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對高轉(zhuǎn)換效率、高功率密度以及極高可靠性的追求已達到前所未有的高度。

2026-03-28 標簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 380 0

三電平ANPC拓撲的損耗平衡控制策略與SiC模塊熱負荷動態(tài)分配研究

在現(xiàn)代大功率電能變換系統(tǒng)的演進歷程中，多電平變換器拓撲憑借其在輸出電壓諧波畸變率（THD）控制、電磁干擾（EMI）抑制以及半導(dǎo)體開關(guān)器件電壓應(yīng)力降低等方...

2026-03-28 標簽：半導(dǎo)體 SiC NPC 437 0

安富利基于英飛凌CoolSiC打造3.3 kW高功率密度雙向PFC解決方案

在能源焦慮和“雙碳”目標的雙重壓力下，全球科技產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場前所未有的“能效革命”。從AI數(shù)據(jù)中心、5G基站，到新能源汽車OBC/車載充電機，再到儲能...

2026-03-27 標簽：PFC 安富利 SiC 954 0

基于雙有源橋（DAB）的SiC固態(tài)變壓器中間級：高頻變壓器偏磁飽和與控制算法

基于雙有源橋（DAB）的SiC固態(tài)變壓器中間級：高頻變壓器偏磁飽和與控制算法固態(tài)變壓器與雙有源橋拓撲的架構(gòu)演進與技術(shù)背景在全球能源結(jié)構(gòu)向分布式可再生...

2026-03-27 標簽：SiC DAB 固態(tài)變壓器 590 0

AI算力中心：基于SiC功率器件的電源架構(gòu)之±400V與+800V深度解析與根本區(qū)別

數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施正經(jīng)歷一場由人工智能驅(qū)動的范式轉(zhuǎn)換。隨著大語言模型（LLM）的參數(shù)量向萬億級別邁進，以及高帶寬互連技術(shù)（如NVIDIA NVLink）將...

2026-03-28 標簽：功率器件 SiC 電源架構(gòu) 288 0

基于SiC器件的三相維也納VIENNA整流器的無模型預(yù)測控制技術(shù)

在全球能源轉(zhuǎn)型與工業(yè)電氣化深度演進的宏觀背景下，高功率密度、高效率的電能變換技術(shù)成為了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心支柱。

2026-03-28 標簽：半導(dǎo)體整流器 SiC 335 0

芯塔電子推出1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0012120K

芯塔電子近日推出新一代1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0012120K。該產(chǎn)品集成了多項技術(shù)創(chuàng)新，為工業(yè)電源、...

2026-03-26 標簽：MOSFET SiC 芯塔電子 737 0

芯塔電子推出1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0016120K

　　芯塔電子近日推出新一代1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0016120K。該產(chǎn)品集成了多項技術(shù)創(chuàng)新，為工業(yè)電...

2026-03-26 標簽：MOSFET SiC 芯塔電子 736 0

芯塔電子推出1700V/25mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0025170K

芯塔電子近日推出新一代1700V/25mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0025170K。該產(chǎn)品集成了多項技術(shù)創(chuàng)新，為工業(yè)電源、...

2026-03-26 標簽：MOSFET SiC 芯塔電子 426 0

芯塔電子推出1200V/32mΩ SMPD封裝SiC模塊TFF068C12SS3

　　芯塔電子近日推出1200V/32mΩ SMPD封裝SiC模塊——TFF068C12SS3。該產(chǎn)品集成了多項技術(shù)創(chuàng)新，為電動汽車、電動飛行器、新能源等...

2026-03-26 標簽：封裝 SiC 芯塔電子 434 0

芯塔電子推出650V/260mΩ多封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM3G0260065N

　　芯塔電子最新推出650V/260mΩ多封裝SiC MOSFET，為工業(yè)與消費電子應(yīng)用提供高性能解決方案。該系列產(chǎn)品兼具高耐壓、低損耗與高頻開關(guān)特性，...

2026-03-26 標簽：MOSFET SiC 芯塔電子 251 0

高精度焊接電源：基于SiC MOSFET的200kHz超高頻脈沖系統(tǒng)與特種合金顯微組織演變分析

在現(xiàn)代先進制造、航空航天構(gòu)件修復(fù)以及特種能源工程等前沿領(lǐng)域，材料的連接質(zhì)量直接決定了整個系統(tǒng)的物理極限與運行可靠性。

2026-03-28 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 252 0

碳化硅(SiC)模塊構(gòu)網(wǎng)型固態(tài)變壓器(GFM-SST)核心綜述：基于高頻磁鏈觀測的電壓支撐算法

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深刻變革，以風能和太陽能為代表的可再生能源在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中的滲透率正呈指數(shù)級上升。

2026-03-28 標簽：變壓器 SiC 碳化硅 394 0

國產(chǎn)1200V SiC模塊替代英飛凌同類產(chǎn)品的動態(tài)特性及兼容性對比分析

在全球能源轉(zhuǎn)型、電氣化交通普及以及人工智能算力需求激增的宏觀背景下，高功率電力電子系統(tǒng)的核心器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)硅（Si）基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）...

2026-03-28 標簽：英飛凌 IGBT SiC 1.4k 0

極速短路保護(SSC)方案研究：針對SiC模塊低短路耐受時間的2μs保護電路

在全球能源結(jié)構(gòu)向高度電氣化、低碳化轉(zhuǎn)型的宏大背景下，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其寬禁帶材料的本征優(yōu)勢，已經(jīng)成為重塑...

2026-03-28 標簽：MOSFET SiC 短路保護 258 0

SiC模塊短路保護（DESAT）消隱時間優(yōu)化：防止在高dv/dt切換瞬間誤觸發(fā)的硬件濾波設(shè)計

在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)中，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其寬禁帶特性、高達 3.26 eV 的禁帶寬度...

2026-03-26 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 750 0

Wolfspeed 300mm碳化硅技術(shù)為下一代AI與HPC系統(tǒng)提供可靠基礎(chǔ)

人工智能 (AI) 工作負載的快速增加，正在從根本上重塑數(shù)據(jù)中心的架構(gòu)，推動封裝尺寸、功率密度和集成復(fù)雜度達到前所未有的水平。在持續(xù)的高工作負載條件下，...

2026-03-25 標簽：SiC 碳化硅 Wolfspeed 413 0

SiC 電源選型避坑指南：5 大硬核指標，幫你避開 90% 的設(shè)計與量產(chǎn)雷區(qū)

從主控架構(gòu)到量產(chǎn)落地，拆解第三代半導(dǎo)體電源的選型核心邏輯在第三代半導(dǎo)體技術(shù)全面普及的今天，SiC（碳化硅）憑借更低的開關(guān)損耗、更高的耐壓等級與更優(yōu)異的...

2026-03-25 標簽：電源 SiC 1.2k 0

極低諧波失真（THD < 1%）政策驅(qū)動下基于SiC模塊的SST固態(tài)變壓器并網(wǎng)技術(shù)規(guī)范與諧波抑制

在全球能源轉(zhuǎn)型、智能電網(wǎng)升級以及高耗能數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施快速擴張的宏觀背景下，配電網(wǎng)的底層架構(gòu)正在經(jīng)歷一場深刻的物理與邏輯變革。

2026-03-26 標簽：SiC 固態(tài)變壓器 619 0

光儲充變一體化架構(gòu)下基于SiC模塊構(gòu)建的固變SST多端口能量路由器解耦控制與功率潮流平衡

在全球能源結(jié)構(gòu)向深度脫碳轉(zhuǎn)型的宏大背景下，高比例可再生能源的并網(wǎng)以及大規(guī)模電動汽車（Electric Vehicle, EV）的爆炸式增長，對傳統(tǒng)配電網(wǎng)...

2026-03-26 標簽：電動汽車 SiC 672 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

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A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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