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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來(lái)越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...
2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評(píng)估板
開(kāi)發(fā)EVAL-COOLSIC-2kVHCC評(píng)估板的目的是評(píng)估TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000V碳化硅MOSFET。 評(píng)...
TPAK SiC優(yōu)選解決方案:有壓燒結(jié)銀+銅夾Clip無(wú)壓燒結(jié)銀
TPAK SiC優(yōu)選解決方案:有壓燒結(jié)銀+銅夾Clip無(wú)壓燒結(jié)銀
揚(yáng)杰科技攜重點(diǎn)產(chǎn)品及解決方案精彩亮相CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)
CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)暨智慧儲(chǔ)能技術(shù)及應(yīng)用展覽會(huì)于2024年4月23日在南京新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕,揚(yáng)杰科技帶著最新一代的產(chǎn)品和技術(shù)亮相,圍繞...
羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大SiC晶圓供應(yīng)合同
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)和為各種電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球著名半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“ST”)宣布,...
中車半導(dǎo)體近日獲得了電投融合創(chuàng)新基金的投資。電投融合創(chuàng)新基金是由國(guó)家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金(有限合伙)、常州市武進(jìn)區(qū)基金及其他國(guó)有資本共同發(fā)...
利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步,但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化,因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法...
2024-04-23 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.3k 0
SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)
羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)宣布,雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm(...
2024-04-23 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC 1.2k 0
合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單,產(chǎn)能將大幅提升
據(jù)了解,世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破,成功開(kāi)發(fā)出可重復(fù)生長(zhǎng)出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過(guò)10mm的晶體的8寸SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))在很多日常電氣設(shè)備的使用場(chǎng)景中,逆變器都充當(dāng)了不可或缺的重要角色。逆變器的應(yīng)用場(chǎng)景非常多,比如汽車旅游、野外作業(yè)、應(yīng)急電源...
英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...
2024-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 2.3k 0
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作,同時(shí)比...
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品,在碳化硅芯片生產(chǎn)過(guò)程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制,所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試,100%抗雪崩能力測(cè)試。
頗有前景的半導(dǎo)體替代材料:SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點(diǎn)介紹
自1954年以來(lái),硅一直是先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的重要基石。人們普遍認(rèn)為,硅作為電子元件基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)核心材料的地位不可動(dòng)搖。
2024-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3.8k 0
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
安富利推出了SiC高功率密度3.3KW雙向功率PFC電源解決方案
在儲(chǔ)能領(lǐng)域,一款高效的電源解決方案不僅能夠提升能源轉(zhuǎn)換效率,還能為電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障。
這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料,讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說(shuō),沒(méi)有碳化硅,許多現(xiàn)代技術(shù)根本...
2024-04-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)SiC 1.6k 0
森國(guó)科榮獲“2023年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌企業(yè)成長(zhǎng)之星”獎(jiǎng)
4月12日,由華強(qiáng)電子網(wǎng)主辦的“2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)暨2023年度(第十六屆)華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典...
三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)
4月12日至14日,第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦,本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦,合肥工業(yè)大學(xué)承辦。
2024-04-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 1.5k 0
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