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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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Qorvo在慕尼黑上海電子展上展示了多項(xiàng)新技術(shù)

Qorvo，作為連接與電源解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)跑者，持續(xù)在多個(gè)科技前沿展現(xiàn)其非凡的創(chuàng)新實(shí)力。在近期于慕尼黑上海電子展盛大舉行的三天活動中，Qorvo全面...

2024-07-22 標(biāo)簽：wi-fi SiC Qorvo 1.6k 0

6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表...

2022-01-18 標(biāo)簽：SiC 1.6k 0

安森美擴(kuò)建的碳化硅工廠落成將使該基地SiC產(chǎn)能提高16倍

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON），慶祝在捷克共和國Roznov擴(kuò)建的碳化硅（以下簡稱“SiC”）工廠...

2022-09-28 標(biāo)簽：安森美 SiC 碳化硅 1.6k 0

意法半導(dǎo)體將投資50億歐元在意大利建8英寸SiC晶圓廠

近日，全球半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者意法半導(dǎo)體（ST）宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃，將在意大利卡塔尼亞新建一個(gè)先進(jìn)的碳化硅（SiC）制造工廠。這一工廠將成為該公司Si...

2024-06-04 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶圓廠 SiC 1.6k 0

富士IGBT模塊2MBI800XNE120-50為什么加速被碳化硅SiC模塊所取代？

高性能電力電子系統(tǒng)的范式轉(zhuǎn)移：傾佳電子代理的BASiC碳化硅MOSFET功率模塊BMF540R12MZA3與青銅劍驅(qū)動板配套替代傳統(tǒng)富士和英飛凌IGBT...

2025-12-24 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 1.6k 0

電動汽車(EV)耐久性：設(shè)計(jì)和測試數(shù)百萬次循環(huán)的SiC

高性能、可擴(kuò)展的電動出行模塊和其他碳化硅(SiC)半導(dǎo)體為電動汽車(EV)動力總成帶來了顯著的效率提升。在各國政府和全球?qū)τ诳稍偕涂沙掷m(xù)出行的倡議下，...

2024-07-16 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體 SiC 1.6k 0

Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

2023-11-29 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.6k 0

7.3 pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《...

2022-02-10 標(biāo)簽：SiC 1.6k 0

SiC如何推動車載充電技術(shù)向800V邁進(jìn)？

雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車(EV)正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動汽車的行駛里程并縮短充電時(shí)間，...

2023-11-18 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 車載充電器 1.6k 0

長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝設(shè)計(jì)

長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。

2023-10-07 標(biāo)簽：電池管理 SiC 電機(jī)控制系統(tǒng) 1.6k 0

揚(yáng)杰科技榮獲2024年行家極光獎“中國SiC IDM十強(qiáng)企業(yè)”

近日，“2024行家極光獎”頒獎典禮在深圳成功舉辦。揚(yáng)杰科技有幸入選十強(qiáng)企業(yè)榜單，獲得“中國SiC IDM十強(qiáng)”獎項(xiàng)，與數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)...

2024-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 揚(yáng)杰科技 1.6k 0

日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊

耐高壓SiCIGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率，能夠在...

2024-07-09 標(biāo)簽：晶體管 SiC 碳化硅 1.6k 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

作者簡介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)...

2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.6k 0

Microchip高效雙通道數(shù)字柵極驅(qū)動器讓SiC器件優(yōu)勢盡顯

隨著對電動汽車以及各種電氣化的需求增加，加之人們對于更低碳排放目標(biāo)的追求，使得碳化硅 (SiC) 等第三代寬禁帶半導(dǎo)體電源管理器件的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。...

2022-08-11 標(biāo)簽：驅(qū)動器 microchip SiC 1.6k 0

新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封裝

新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V，TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-2...

2025-03-25 標(biāo)簽：封裝肖特基二極管 SiC 1.6k 0

三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

雖然是同一電力半導(dǎo)體公司，但是三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的另一個(gè)焦點(diǎn)、電子電力半導(dǎo)體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產(chǎn)品的信賴性的性能提供業(yè)界名...

2023-11-24 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 安世半導(dǎo)體 1.6k 0

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢壘二極管介紹

SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表貼封裝、實(shí)現(xiàn)了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝，但通過確保...

2024-12-19 標(biāo)簽：SiC 肖特基勢壘二極管 1.6k 0

未來算力接口：基于SiC模塊的MMC-SST架構(gòu)與三相不平衡補(bǔ)償技術(shù)

在全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型的宏大背景下，生成式人工智能（Generative AI）、深度學(xué)習(xí)（DL）以及大規(guī)模機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）模型的快速演進(jìn)，正在從根本上重塑全...

2026-03-26 標(biāo)簽：接口 IGBT SiC 1.6k 0

威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET

在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該...

2024-09-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.6k 0

半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩

2022-12-30 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體 SiC 1.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

+關(guān)注

目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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