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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅制備的重要性與難點和挑戰(zhàn)

這種耐高溫、承受高電壓、導熱性能好到驚人的材料，讓它在半導體、航空航天、電力電子等多個領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現(xiàn)代技術(shù)根本...

2024-04-16 標簽：電動汽車電力系統(tǒng)SiC 1.6k 0

瞻芯電子：SiC功率器件國內(nèi)市場商用化之路

今年全球碳化硅的市場表現(xiàn)每季度都超越我們的預計，一季度最初計劃是6億美元，最后達到了8億美元，二季度時候預計7億美元，最后是8億美元。我估計后面兩個季度...

2023-10-26 標簽：電動汽車 MOSFET 功率器件 1.6k 0

基于國產(chǎn)SiC模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計

傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計 ...

2025-02-23 標簽：數(shù)據(jù)中心 SiC 電源系統(tǒng) 1.6k 0

聞泰科技榮膺2025中國上市公司年度智創(chuàng)品牌

近日，“2025第九屆中國上市公司品牌價值榜”發(fā)布會在上海圓滿落幕。聞泰科技憑借在功率半導體領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新實力與全球化品牌影響力，從眾多優(yōu)秀企業(yè)中脫穎而...

2025-05-17 標簽：半導體 SiC 聞泰科技 1.6k 0

三菱電機與Coherent達成合作，擴大生產(chǎn)200mm SiC功率器件

三菱電機和材料、網(wǎng)絡(luò)和激光領(lǐng)域的開拓者Coherent近日（2023年5月26日）宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄，將在擴大生產(chǎn)200mm SiC功率器件...

2023-06-02 標簽：三菱電機功率器件 SiC 1.6k 0

投資4.1億元，年產(chǎn)165萬只SiC功率模塊項目正式投產(chǎn)！

5月28日上午，由華安產(chǎn)業(yè)北京招商中心招引落地的宇泉半導體有限公司在保定高新區(qū)正式揭牌，標志著宇泉半導體在保定高新區(qū)投資的年產(chǎn)165萬只碳化硅功率模塊項...

2024-05-30 標簽：新能源汽車 SiC 功率模塊 1.6k 0

新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引...

2025-09-08 標簽：封裝分立器件 SiC 1.6k 0

意法半導體SiC產(chǎn)品營收達82億

意法半導體近日公布了2023年第四季度和全年財報，展現(xiàn)出強勁的業(yè)績表現(xiàn)。根據(jù)財報，意法半導體在2023年全年凈營收達到了172.9億美元（折合人民幣約1...

2024-02-02 標簽：意法半導體 SiC 碳化硅 1.6k 0

華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會

近日，華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會，共同探討SiC功率半導體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。

2025-02-28 標簽：SiC 功率半導體華大半導體 1.6k 0

新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展

新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù)...

2024-06-26 標簽：芯片 SiC 半橋模塊 1.6k 0

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，Cool...

2024-03-22 標簽：MOSFET SiC 輸出電流 1.6k 0

工商業(yè)儲能變流器（PCS）加速跨入碳化硅（SiC）模塊時代

工商業(yè)儲能變流器（PCS）加速跨入碳化硅（SiC）模塊時代的核心原因，可歸結(jié)為技術(shù)性能突破、經(jīng)濟性提升、政策驅(qū)動及市場需求增長等多重因素的共同推動。以下...

2025-03-26 標簽：SiC PCS 儲能變流器 1.6k 0

6W單極隔離輔助電源用于SiC MOSFET與IGBT柵極驅(qū)動器

本參考設(shè)計展示了伍爾特電子開發(fā)的一款緊湊型輔助電源設(shè)計，提供范圍在+15 V到+20 V之間可調(diào)的單極電壓，同時支持高達6 W的最大輸出功率，輸入電壓則...

2024-12-23 標簽：MOSFET SiC 輔助電源 1.6k 0

英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)

在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標...

2024-03-12 標簽：英飛凌 SiC 碳化硅 1.6k 0

家電電機驅(qū)動應(yīng)用——SiC功率器件帶來更高能效和功率密度

過去數(shù)十年，各種能源法規(guī)都強調(diào)了制造節(jié)能型產(chǎn)品的重要性。這大大促進了節(jié)能降耗[1]。此外，這些法規(guī)和標準為利用諸如SiC MOSFET等新技術(shù)優(yōu)異的特性...

2023-06-30 標簽：電機驅(qū)動 SiC 1.6k 0

工業(yè)家合作滿足 GaN 和 SiC 市場需求

GaN和 SiC令人印象深刻的品質(zhì)使它們深受業(yè)內(nèi)人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產(chǎn)和供應(yīng)需求的挑戰(zhàn)，因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用...

2022-08-08 標簽：SiC GaN 1.6k 0

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與...

2025-07-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.6k 0

深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯與硬并聯(lián)

深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù)：基于基本半導體產(chǎn)品矩陣的交錯與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基本半導體一級...

2026-01-17 標簽：MOSFET SiC 功率模塊 1.6k 0

聚焦功率半導體測試 | 普賽斯儀表多款測試新品亮相中國光谷九峰山論壇

“聚勢賦能共赴未來”，2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會，已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...

2024-06-05 標簽：IGBT SiC GaN 1.6k 0

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表...

2022-01-17 標簽：SiC 1.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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