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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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2.4mΩ！國(guó)產(chǎn)SiC離上車還有多久

SiC內(nèi)卷和洗牌加速，目前國(guó)產(chǎn)SiC器件性能與國(guó)際大廠相比是否還有差距？車載SiC國(guó)產(chǎn)化何時(shí)才能實(shí)現(xiàn)？SiC產(chǎn)業(yè)未來(lái)的方向又在哪里？ 2024年10月2...

2024-11-14 標(biāo)簽：soc SiC 艾邁斯歐司朗 1.6k 0

央企引領(lǐng)芯片創(chuàng)新，萬(wàn)年芯助力重點(diǎn)領(lǐng)域突破

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，芯片等高新科技領(lǐng)域的創(chuàng)新成為了國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心動(dòng)力。近日，國(guó)務(wù)院國(guó)資委、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布《關(guān)于規(guī)范中央企業(yè)采購(gòu)管理工作的指導(dǎo)意...

2024-08-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 IPM 1.6k 0

6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅...

2022-01-06 標(biāo)簽：SiC 1.6k 0

缺陷與SiC功率器件間的可行性之間關(guān)系

　　這一發(fā)現(xiàn)是一項(xiàng)突破，因?yàn)樗兄趯?duì)最初看起來(lái)工作正常但在生產(chǎn)過程中幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)的缺陷進(jìn)行分類。該研究論文不僅解釋了為什么這些器件具有異常的柵極傳導(dǎo)，...

2022-05-10 標(biāo)簽：ST SiC 1.6k 0

泰國(guó)將建首個(gè)SiC工廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營(yíng)

泰國(guó)近日宣布將建立首家碳化硅（SiC）晶圓工廠，標(biāo)志著該國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉，該工廠預(yù)計(jì)將于2027年正式投入運(yùn)營(yíng)，有望為泰國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.6k 0

數(shù)明半導(dǎo)體SiC功率器件驅(qū)動(dòng)器系列介紹

在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，...

2025-10-21 標(biāo)簽：功率器件 SiC 數(shù)明半導(dǎo)體 1.6k 0

6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、...

2022-01-13 標(biāo)簽：SiC 1.6k 0

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解...

2025-03-01 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 1.6k 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1.6k 0

怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？

怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提...

2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.6k 0

基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)

6月19-20日，2024第四屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海隆重舉辦。在同期舉辦的2024中國(guó)優(yōu)秀電驅(qū)動(dòng)企業(yè)&優(yōu)秀產(chǎn)品頒獎(jiǎng)盛典上，基本...

2024-06-21 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 1.6k 0

5.2.3 擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5....

2022-01-06 標(biāo)簽：SiC 1.6k 0

碳化硅快速測(cè)試套件Wolfspeed SpeedVal Kit研討會(huì)，帶您詳細(xì)了解這個(gè)高效的平臺(tái)

以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生產(chǎn)技...

2023-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.6k 0

怎樣利用SpeedFit來(lái)對(duì)不同拓?fù)溥M(jìn)行比較

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實(shí)用的仿真工具，可快速比較不同的系統(tǒng)規(guī)格、拓?fù)?、器件甚至熱?..

2022-09-15 標(biāo)簽：PFC SiC 電流波形 1.6k 0

SiC在電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中的應(yīng)用

在綠色出行浪潮的推動(dòng)下，電動(dòng)汽車（EV）作為一種重要的環(huán)保交通工具，正以勢(shì)不可擋之勢(shì)融入我們的日常生活。然而，要讓這些“鋼鐵俠”自由馳騁，高效可靠的充電...

2024-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體安富利 1.6k 0

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 SiC 1.6k 0

安森美全SiC模組加速滲透

隨著清潔能源的快速增長(zhǎng)，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽(yáng)能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級(jí)賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方...

2024-11-30 標(biāo)簽：太陽(yáng)能安森美 SiC 1.6k 0

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯作為...

2025-05-21 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 1.6k 0

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...

2011-10-12 標(biāo)簽：MOSFET SBD SiC 1.6k 0

功率半導(dǎo)體日本有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)大舉投資

用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動(dòng)汽用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...

2022-11-11 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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