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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC市場(chǎng)激烈，萬年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

2024年進(jìn)入尾聲，中國碳化硅（SiC）卻迎來一波“新陳代謝”：前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)；后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...

2024-12-20 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 1.5k 0

電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇：國產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊

國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì)，既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果，也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。

2025-03-01 標(biāo)簽：模塊 IGBT SiC 1.5k 0

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供...

2024-05-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 納芯微 1.5k 0

萬年芯：“國家隊(duì)”出手！各國角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展...

2024-08-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.5k 0

納微半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)三項(xiàng)大獎(jiǎng)

近日，一年一度的行家說三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開。納微半導(dǎo)體憑借2024年優(yōu)異的應(yīng)用和產(chǎn)品表現(xiàn)，榮...

2024-12-13 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 SiC 納微半導(dǎo)體 1.5k 0

羅姆的創(chuàng)新工廠將增加 SiC 功率器件的產(chǎn)量

羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù)，從生...

2022-07-26 標(biāo)簽：制造業(yè)功率器件 SiC 1.5k 0

韓國首座8英寸SiC晶圓廠開建

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來新里程碑。韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部近日宣布，本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)正式開工建設(shè)韓國首座8英寸碳化...

2024-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓廠 SiC 1.5k 0

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳...

2025-02-10 標(biāo)簽：SiC 感應(yīng)電源碳化硅 1.5k 0

CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述

英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相...

2025-06-09 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1.5k 0

至信微電子的創(chuàng)新突破與未來規(guī)劃展望

至信微電子作為該區(qū)代表性企業(yè)之一，特派副總經(jīng)理王仁震參加推介會(huì)，介紹了公司在半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域的創(chuàng)新成就以及未來戰(zhàn)略。會(huì)議期間，王仁震分享了至信微電子...

2024-04-01 標(biāo)簽：制造業(yè)SiC 智能傳感器 1.5k 0

意法半導(dǎo)體在意大利建設(shè)SiC功率器件制造基地

意法半導(dǎo)體近日宣布，計(jì)劃在意大利卡塔尼亞投資建設(shè)一座綜合性大型制造基地，專注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊的制造、封裝及測(cè)試。此項(xiàng)目預(yù)計(jì)于202...

2024-06-07 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.5k 0

7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.5總結(jié)∈《碳化...

2022-02-07 標(biāo)簽：SiC 1.5k 0

東升西降：從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)，其股價(jià)暴跌（單日跌幅超50%）、財(cái)務(wù)困境與德國30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī)，折射出歐美與中...

2025-03-31 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體 1.5k 0

6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表...

2022-01-05 標(biāo)簽：SiC 1.5k 0

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色：以基本半導(dǎo)體可靠性報(bào)告為核心的深度解析 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)...

2026-01-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.5k 0

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠、高能效的工作 2023年1月4日?—?領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美...

2023-01-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.5k 0

淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽：SiC GaN GaN晶體管 1.5k 0

芯動(dòng)半導(dǎo)體與羅姆簽署SiC車載功率模塊合作協(xié)議

近日，長(zhǎng)城汽車旗下的無錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“芯動(dòng)半導(dǎo)體”）與全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將以SiC為核心，共同開發(fā)車載功率模...

2024-10-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊羅姆 1.5k 0

三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷售協(xié)議，加速寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)拓展

據(jù)了解，三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。

2024-01-12 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 1.5k 0

三菱電機(jī)出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)

4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦，本屆會(huì)議由中國高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦，合肥工業(yè)大學(xué)承辦。

2024-04-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 三菱電機(jī) 1.5k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
UCD3138

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