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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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采用熔鹽法制備合成方法實(shí)現(xiàn)了BP的高產(chǎn)率
器件的散熱性能是決定電子器件性能、壽命及穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素之一。隨著電子器件微型化、集成化、功能化, 高效散熱問(wèn)題越來(lái)越引起科研人員的廣泛關(guān)注。電子元器件...
利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效
CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET,能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效,且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 標(biāo)簽:FET驅(qū)動(dòng)電路SiC 1.5k 0
第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析
SiC(碳化硅)器件作為第三代半導(dǎo)體,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...
由于其固有的特性,寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)在許多功率應(yīng)用中正逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV,這是電動(dòng)汽車(chē)逆變...
第三代化合物半導(dǎo)體材料有利于5G基站的應(yīng)用
與第一代硅(Si)半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料相比,碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的第三代半導(dǎo)體材料(也稱(chēng)為寬帶隙半導(dǎo)體材料)具有...
GaN為橫向組件,生長(zhǎng)在不同基板上,例如SiC或Si基板,為異質(zhì)磊晶技術(shù),生產(chǎn)出來(lái)的GaN薄膜品質(zhì)較差,雖然目前能應(yīng)用在快充等民生消費(fèi)領(lǐng)域,但用于電動(dòng)車(chē)...
SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
在圖形化、刻蝕、化學(xué)掩膜沉積、金屬鍍膜等工藝段,只需在現(xiàn)有設(shè)備上調(diào)整參數(shù),基本上可以兼容適用。因此,產(chǎn)業(yè)上需要將 Si 基功率器件生產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)換成 SiC ...
2022-12-02 標(biāo)簽:芯片SiC產(chǎn)業(yè)鏈 5.2k 0
基于碳化硅(SiC)的MOSFET可實(shí)現(xiàn)更高效率水平
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平,但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考...
??瓢雽?dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代
國(guó)產(chǎn)之光??瓢雽?dǎo)體: 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 ??瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿(mǎn)成功 中國(guó)蘇州,2022年11...
? ? ? 日本媒體報(bào)道稱(chēng)日本羅姆(ROHM)12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱(chēng),羅姆在福岡縣...
2022-11-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0
測(cè)不對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)波形的6大原因
開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...
近年來(lái),SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...
2022-11-24 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 3.1k 0
SiC性能優(yōu)異,材料升級(jí)勢(shì)在必行
半導(dǎo)體材料按被研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序通常分為三代。第一代:20 世紀(jì) 40 年代,硅(Si)、鍺(Ge)開(kāi)始應(yīng)用,硅的自然儲(chǔ)量大、制 備工藝簡(jiǎn)單...
2022-11-23 標(biāo)簽:新能源半導(dǎo)體材料SiC 6.2k 0
下一代SiC半導(dǎo)體在汽車(chē)中的應(yīng)用
這些半導(dǎo)體的一個(gè)引人注目的應(yīng)用是允許電力電子設(shè)備的更高開(kāi)關(guān)頻率,這些電力電子設(shè)備共同充當(dāng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)的“指揮中心”。從 2018 年 6 月開(kāi)...
SmartSiC解決方案的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)、研發(fā)、生產(chǎn)情況
通過(guò)重復(fù)利用稀缺的 200mm 單晶供體,Soitec 能夠助力這些大尺寸襯底的快速落地應(yīng)用,賦能市場(chǎng)的增長(zhǎng)。SmartSiC 的優(yōu)化設(shè)計(jì)所帶來(lái)的卓越生...
國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底捷報(bào)頻出,與海外龍頭差距還有多大?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”,襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分,自然是各家必爭(zhēng)之地。在下游需求帶動(dòng)下,SiC襯底正...
2022-11-23 標(biāo)簽:SiC 3.2k 0
揚(yáng)杰科技2022年慕尼黑華南電子展圓滿(mǎn)落幕
? -共/創(chuàng)/共/享.同/芯/同/行- 2022年慕尼黑華南電子展圓滿(mǎn)落幕! ? 合作共贏 2022年11月15-17日,為期三天的“2022慕尼黑華南...
由于電池仍然是電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成,因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的,從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率就顯得及其重要。為了提...
2022-11-17 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)逆變器SiC 2.8k 0
功率器件是電力電子工業(yè)中最重要的基礎(chǔ)元件之一,廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和電路控制領(lǐng)域。功率器件作為耗電設(shè)備和系統(tǒng)的核心,發(fā)揮著實(shí)現(xiàn)電能的處理、轉(zhuǎn)換和...
2022-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 1k 0
隨著對(duì)電動(dòng)汽車(chē)(EV)需求的持續(xù)增長(zhǎng),制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV...
2022-11-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiC碳化硅 1.3k 0
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