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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)需求將劇增？
這家美國(guó)制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆...
瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單
2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。
雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上，它首次用于肖特基二極管...
2023-02-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 1.8k 0
第三代半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅材料相比，有什么優(yōu)勢(shì)
隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料在二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和其他元件中的不斷應(yīng)用，電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開始。這些新組...
半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體具有較高的熱導(dǎo)率、電子飽和率、擊穿電場(chǎng)、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達(dá)、工業(yè)、...
SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)...
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...
SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)有什么
WBG化合物半導(dǎo)體具有更高的電子遷移率和更高的帶隙能量，因此其財(cái)產(chǎn)優(yōu)于硅。由WBG化合物半導(dǎo)體制成的晶體管具有較高的擊穿電壓和耐高溫性。這些器件在高...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法...
IGBT、SiC國(guó)產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來快速發(fā)展機(jī)遇期
分 8 寸和 12 寸廠看，2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積 電和中芯國(guó)際的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)分別下降到 97%/90%...
特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？
特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這...
2023-02-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器特斯拉 4.2k 0
瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC，用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGB...
2023-02-02 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)ICSiC瑞薩電子 2.2k 0
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差...
第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 — Micsig光隔離探頭
第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界...
在激光亞波長(zhǎng)圖案化納米制造方面，大面積無拼接超衍射極限圖案化納米制造在半導(dǎo)體及光學(xué)微納器件等領(lǐng)域具有至關(guān)重要的作用，開發(fā)低成本、高效率制備技術(shù)及配套設(shè)備...
2023-01-30 標(biāo)簽：SiC激光脈沖應(yīng)變傳感器 2.5k 0
未來五到十年供應(yīng)都會(huì)緊缺？國(guó)產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎？
當(dāng)前從目前的供應(yīng)情況來看，車規(guī)級(jí)SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應(yīng)，供不應(yīng)求現(xiàn)象較為嚴(yán)重。另一方面來說，國(guó)內(nèi)也有不少SiC器件廠商推出...
SiC芯片可以幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)突破；碳化硅芯片電動(dòng)汽車壽命更長(zhǎng)。使用 SiC 芯片，電動(dòng)汽車的使用壽命更長(zhǎng)，充電速度更快，并且由于耗能更低，從而降低了運(yùn)...
2023-01-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器SiC 3k 0
本實(shí)驗(yàn)通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn)，采用物理氣相傳輸(physical...
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