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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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一文讀懂碳化硅設(shè)計中的熱管理

隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動系統(tǒng)...

2023-10-22 標(biāo)簽：逆變器 SiC 熱管理 1k 0

SIC功率器件是電力電子工業(yè)的基礎(chǔ)！

功率器件是電力電子工業(yè)中最重要的基礎(chǔ)元件之一，廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和電路控制領(lǐng)域。功率器件作為耗電設(shè)備和系統(tǒng)的核心，發(fā)揮著實現(xiàn)電能的處理、轉(zhuǎn)換和...

2022-11-16 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1k 0

使用SiC提高工業(yè)應(yīng)用的能源效率（1）

來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 包括服務(wù)器電源、不間斷電源（UPS）和電機驅(qū)動器在內(nèi)的工業(yè)應(yīng)用消耗了世界上很大一部分電力。因此，工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降...

2022-11-29 標(biāo)簽：電源 SiC 1k 0

英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動器系列推出增強型隔離產(chǎn)品

應(yīng)用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動電流等規(guī)格，及90 ns的優(yōu)化傳輸時延。

2021-06-10 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1k 0

商用車電驅(qū)動SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告

商用車電驅(qū)動SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2026-01-03 標(biāo)簽：封裝 SiC 1k 0

適用于集成存儲和電動汽車充電的光伏系統(tǒng)的 SiC MOSFET 模塊

因為使用化石燃料帶來的問題，世界正面臨各種氣候挑戰(zhàn)，所以很多能源部門正轉(zhuǎn)型以應(yīng)對，不僅電力生產(chǎn)轉(zhuǎn)向更多可再生能源，住宅部門也在改變用電方式，如電動汽車的...

2024-05-24 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET SiC 1k 0

寬帶隙增強功率轉(zhuǎn)換

2023-01-03 標(biāo)簽：電源功率 SiC 1k 0

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)...

2025-05-06 標(biāo)簽：高電壓 IGBT SiC 1k 0

英飛凌第二代1200V CoolSiC? MOSFET品質(zhì)因數(shù)(FOM)介紹

品質(zhì)因數(shù)FOM是半導(dǎo)體性能的量化指標(biāo)之一。MOSFET的FOM由漏-源導(dǎo)通電阻與器件的一個或多個參數(shù)的乘積得出。FOM值越低，器件性能越好。如下是對Si...

2026-03-18 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1k 0

SiC供應(yīng)鏈專利戰(zhàn)升溫：市場競爭加劇

近日，根據(jù)KnowMade最新發(fā)布的碳化硅(SiC)專利報告，SiC供應(yīng)鏈的專利競爭正愈演愈烈，這一趨勢的背后是市場競爭的加劇以及持續(xù)的地緣政治緊張局勢...

2025-01-13 標(biāo)簽：SiC 1k 0

瞻芯電子將亮相2022慕尼黑華南電子展

瞻芯電子將于11月15日-17日，在深圳國際會展中心（寶安新館），參加慕尼黑華南電子展，并在2號展館設(shè)立展臺（2B18)，為各領(lǐng)域客戶介紹SiC功率半導(dǎo)...

2022-11-14 標(biāo)簽：MOSFET SiC 慕尼黑電子展 1k 0

羅姆即將亮相2024慕尼黑電子展：賦能增長

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆 (總部位于日本京都市)將于11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的世界領(lǐng)先的電子元件、系統(tǒng)、應(yīng)用和解決方案貿(mào)易展覽會和會議...

2024-11-05 標(biāo)簽：SiC 羅姆慕尼黑電子展 1k 0

MG600Q2YMS3 硅基碳化物（SiC）N溝道MOSFET模塊

產(chǎn)品概述 MG600Q2YMS3 是一款基于硅基碳化物（SiC）技術(shù)的高功率N溝道MOSFET模塊，適用于高功率開關(guān)和電機控制應(yīng)用，如軌道牽引系統(tǒng)。其設(shè)...

2024-12-31 標(biāo)簽：新能源 MOSFET SiC 1k 0

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機驅(qū)動新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢，成為理想選擇?；景雽?dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008...

2025-06-19 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 1k 0

安森美上車“極氪”，半導(dǎo)體大廠積極布局車用SiC市場

半導(dǎo)體廠Onsemi于今年四月底宣布與中國吉利汽車集團旗下的極氪汽車簽署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement)，...

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 995 0

IPAC直播間 | CoolSiC?碳化硅直播季-高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計

英飛凌IPAC直播間|CoolSiC碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列，一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m...

2024-06-21 標(biāo)簽：英飛凌 SiC 碳化硅 993 0

第六屆電子熱點峰會迎來報名高峰：六大論壇聯(lián)動百企展示

導(dǎo)語：6月26–27日，2025年東莞電子熱點解決方案創(chuàng)新峰會即將開幕，六大論壇、百家展商集結(jié)，當(dāng)前報名持續(xù)火熱，參會工程師請盡快鎖定席位！隨著終端系...

2025-06-25 標(biāo)簽：AI SiC bms 992 0

使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

我們知道，技術(shù)教育不僅需要理論知識，還需要實踐知識和動手經(jīng)驗，讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學(xué)生理解諸如電路設(shè)計概念之類的...

2022-08-04 標(biāo)簽：設(shè)計電力電子 SiC 991 0

用于電動汽車下一個高壓應(yīng)用的碳化硅

目前，標(biāo)準(zhǔn)硅器件仍占電力電子市場的大部分。雖然許多公司正在開發(fā)新的電路拓?fù)湟蕴岣吖杵骷男?，尤其是三電平拓?fù)洌碌奶蓟杞鉀Q方案正在作為一種新的半導(dǎo)...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 991 0

碳化硅功率器件優(yōu)勢增強功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)！

影響下一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展和實施的三個主要因素：對持續(xù)改進功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的監(jiān)管要求;市場需要更輕、更小、更具成本效益的系統(tǒng)，具有更集成的功能和新興應(yīng)...

2022-11-09 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 990 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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