光儲一體系統(tǒng)將光伏發(fā)電與儲能技術(shù)相結(jié)合，可實現(xiàn)清潔能源的高效存儲與穩(wěn)定輸出，提升能源利用效率和供電可靠性，助力能源轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展。本篇中我們基于EasyGo實時仿真器EGBoxMini，對...

文章對模擬信號的有關(guān)內(nèi)容做了簡單說明。...

該DRV8210P是一個集成電機驅(qū)動器，具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護電路。三重電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了...

該DRV8955為工業(yè)應(yīng)用提供四個可單獨控制的半橋驅(qū)動器。該器件可用于驅(qū)動多達四個螺線管負載、兩個直流電機、一個步進電機或其他負載。 每個通道的輸出驅(qū)動器由配置在半橋中的N溝道功率...

DRV8256E/P 器件是單 H 橋電機驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護電路。...

DRV8210是一款集成電機驅(qū)動器，具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護電路。三重器電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至1.65 V的電壓下工作，以適應(yīng)1.8V電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有...

白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實際應(yīng)用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，該白皮書還表明，與堆疊式...

DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。該DRV8300N使用外部自舉二極管和用于高...

DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動多個電機或負載。這些器件集成了 4 個 （DRV8714-Q1） 或 8 個 （DRV8718-Q1） 半橋柵極驅(qū)動器、驅(qū)動器電源、電流分流放大器和保護監(jiān)視...

隨著工業(yè)和城市化的快速發(fā)展，地質(zhì)災(zāi)害發(fā)生的頻率逐年攀升，已成為全球范圍內(nèi)不可忽視的自然災(zāi)害之一。地質(zhì)災(zāi)害的形成往往與地質(zhì)構(gòu)造、氣候條件、降雨強度及土壤特性密切相關(guān)，尤其在...

該DRV8935為工業(yè)應(yīng)用提供四個半橋驅(qū)動器。該器件可用于驅(qū)動多達四個電磁閥負載、兩個直流電機、一個步進電機或其他負載。每個通道的輸出級由配置在半橋中的N溝道功率MOSFET組成。簡單的...

UCC23511-Q1 是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 1.5A 源電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~有效值~增強的隔離額定值。33V 的高電源電壓范圍允許使...

DRV8424E/P、DRV8425E/P 器件是雙 H 橋電機驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機或一個雙極步進電機。...

DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進電機驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進索引器和集成電流檢測。該DRV8424能夠驅(qū)動高達 2.5A 的滿量程輸出電流;該...

DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。 該器件采用智能柵極...

DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。 該器件采用智能柵極...

該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢 ? 美國加利福尼亞州圣何塞，2025年10月13日訊 – 深耕于高壓集成電路高能...

DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動多個電機或負載。這些器件集成了4個（DRV8714-Q1）或8個（DRV8718-Q1）半橋柵極驅(qū)動器、驅(qū)動器電源、電流分流放大器和保護監(jiān)視器，從...

該DRV8212P是一款集成電機驅(qū)動器，具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護電路。三重電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了...

AOS公司以創(chuàng)新方案賦能新一代AI數(shù)據(jù)中心800V直流（800VDC）電源架構(gòu)——碳化硅、氮化鎵、功率MOSFET及電源IC解決方案構(gòu)建高效能源基石。 ? 日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半...