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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用

聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用

上期EV焦點(diǎn)欄目 我們聊了聊電動(dòng)汽車為什么要上800V,也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期,我們相對(duì)放大一下,聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用。...

2024-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電池充電IGBTSiC 2261

日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓為 0V 時(shí),該結(jié)構(gòu)會(huì)關(guān)閉晶體管。為此他們宣布開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MO...

2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電壓 1993

基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器 通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感...

2024-01-02 標(biāo)簽:電容器逆變器SiC功率模塊寄生電感 694

2023汽車芯片融資匯總:年內(nèi)單筆最大融資38億,模擬成車企投資的最熱賽道

2023汽車芯片融資匯總:年內(nèi)單筆最大融資38億,模擬成車企投資的最熱賽道

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)2023年汽車是景氣度最高的賽道之一,中國(guó)汽車廠商銷量不斷刷新紀(jì)錄,帶動(dòng)汽車芯片的需求持續(xù)快速增長(zhǎng)。目前汽車芯片市場(chǎng)主要由歐美廠商主導(dǎo),而中國(guó)汽車芯...

2023-12-30 標(biāo)簽:融資汽車芯片模擬芯片 5622

矽力杰高帶寬高精度電流檢測(cè)放大器性能優(yōu)勢(shì)介紹

矽力杰高帶寬高精度電流檢測(cè)放大器性能優(yōu)勢(shì)介紹

矽力杰新一代高精度電壓輸出型電流檢測(cè)放大器SA59131系列產(chǎn)品支持高邊或低邊雙向電流檢測(cè),擁 那有?4V~80V的寬共模電壓范圍,可采集低于接地電壓的輸入信號(hào)。...

2023-12-29 標(biāo)簽:開關(guān)電源PWM電流檢測(cè)放大器PWM開關(guān)電源電流檢測(cè)放大器矽力杰 1186

什么是DC-DC轉(zhuǎn)換?有幾種類型的DC-DC轉(zhuǎn)換器呢?

什么是DC-DC轉(zhuǎn)換?有幾種類型的DC-DC轉(zhuǎn)換器呢?

DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種電氣系統(tǒng)(設(shè)備),它將直流(DC)源從一個(gè)電壓電平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓電平...

2023-12-29 標(biāo)簽:變壓器DC-DC轉(zhuǎn)換器降壓控制器DC-DC轉(zhuǎn)換器變壓器變壓器電壓調(diào)節(jié)器降壓控制器 11130

詳解232至485轉(zhuǎn)換器的接線步驟與注意事項(xiàng)

詳解232至485轉(zhuǎn)換器的接線步驟與注意事項(xiàng)? 232至485轉(zhuǎn)換器是一種常用的數(shù)據(jù)通信轉(zhuǎn)換設(shè)備,可以將RS-232接口的電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為RS-485接口的差分信號(hào),實(shí)現(xiàn)RS-232設(shè)備與RS-485設(shè)備之間的數(shù)據(jù)通信。在...

2023-12-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器RS-232接口RS-485接口轉(zhuǎn)換器 10965

日本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET

日本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET

MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn),特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開關(guān)元件,高速開關(guān)大電流等已經(jīng)完成。...

2023-12-29 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體管金剛石 1097

什么是雙極性晶體管?雙極型晶體管的放大模式解析

什么是雙極性晶體管?雙極型晶體管的放大模式解析

雙極型晶體管,電子工業(yè)的基石,引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。...

2023-12-28 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體晶體管電流電壓載流子 6090

TVS管在以太網(wǎng)端口保護(hù)方案中的應(yīng)用

隨著互聯(lián)網(wǎng)的不斷發(fā)展,以太網(wǎng)已經(jīng)成為了現(xiàn)代通信中不可或缺的一部分。...

2023-12-31 標(biāo)簽:以太網(wǎng)靜電放電ESD保護(hù)瞬態(tài)電壓TVS管 2977

澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%

澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%

近日,澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展...

2023-12-28 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶圓SiCOBC 1750

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述(生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用)、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡,TEM,SEM/散射光等表征方法。...

2023-12-28 標(biāo)簽:SEMSiCTEMSEMSiCTEM拉曼光譜 5581

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)...

2023-12-28 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵GaN載流子GaNMOSFET接觸電阻氮化鎵載流子 1617

數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器的區(qū)別

數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器是兩種相反的功能,它們分別是將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)和將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。...

2023-12-27 標(biāo)簽:模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)模轉(zhuǎn)換器 2541

二極管為什么只能單向?qū)щ娔兀?></a></div>
					<div   id="muikaa0wy"   class="a-content">
						<h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/d/2350248.html" title="二極管為什么只能單向?qū)щ娔兀? target="_blank">二極管為什么只能單向?qū)щ娔兀?/a></h3>
						<p class="a-summary">二極管是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,它具有單向?qū)щ姷奶匦浴?..</p>

						<p class="one-more clearfix" style="display: flex;">
							<a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a>
							<span id="muikaa0wy"    class="time">2023-12-31</span>
							<!--需要輸出文章的瀏覽量和閱讀量還有相關(guān)標(biāo)簽-->
							<span id="muikaa0wy"    class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽:<a target="_blank" href="/tags/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1/" class="blue">二極管</a><a target="_blank" href="/tags/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93/" class="blue">半導(dǎo)體</a><a target="_blank" href="/tags/PN%E7%BB%93/" class="blue">PN結(jié)</a><a target="_blank" href="/tags/%E5%8F%8D%E5%90%91%E7%94%B5%E5%8E%8B/" class="blue">反向電壓</a><a target="_blank" href="/tags/PN%E7%BB%93/" class="blue">PN結(jié)</a><a target="_blank" href="/tags/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1/" class="blue">二極管</a><a target="_blank" href="/tags/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93/" class="blue">半導(dǎo)體</a><a target="_blank" href="/tags/%E5%8F%8D%E5%90%91%E7%94%B5%E5%8E%8B/" class="blue">反向電壓</a><a target="_blank" href="/tags/%E8%B4%9F%E7%94%B5%E6%BA%90/" class="blue">負(fù)電源</a></span>
							<span id="muikaa0wy"    class="mr0 lr">
								<span id="muikaa0wy"    class="seenum ">2970</span>
								<span id="muikaa0wy"    class="type  mr0"></span>
							</span>
						</p>
					</div>
				</div><div   id="muikaa0wy"   class="article-list">
					<div   id="muikaa0wy"   class="a-thumb"><a href="http://m.sdkjxy.cn/d/2350148.html" target="_blank"><img src=

必易微孫江:消費(fèi)終端需求緩慢轉(zhuǎn)暖,2024年芯片市場(chǎng)穩(wěn)步復(fù)蘇態(tài)勢(shì)可期

歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到數(shù)十位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了必易微電機(jī)驅(qū)動(dòng)線總經(jīng)理孫江,以下是...

2023-12-27 標(biāo)簽:電源管理IC必易微IC市場(chǎng)必易微電源管理IC 3227

碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕...

2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件SiC碳化硅 979

電力電子實(shí)時(shí)仿真實(shí)驗(yàn)室,助力高等教育信息化建設(shè)

電力電子實(shí)時(shí)仿真實(shí)驗(yàn)室,助力高等教育信息化建設(shè)

電力電子實(shí)時(shí)仿真實(shí)驗(yàn)室隨著數(shù)字技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室的資源受限和效率低下已經(jīng)不能滿足科研和工程實(shí)踐的需求。同時(shí),一些領(lǐng)域的研究和實(shí)驗(yàn)具有高風(fēng)險(xiǎn)、高代價(jià)或不可逆性,不適...

2023-12-27 標(biāo)簽:FPGA仿真FPGA仿真信息化 2234

XR、新能源等多個(gè)市場(chǎng)將迎來成長(zhǎng),創(chuàng)新微加速國(guó)產(chǎn)化替代

XR、新能源等多個(gè)市場(chǎng)將迎來成長(zhǎng),創(chuàng)新微加速國(guó)產(chǎn)化替代

? 歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到數(shù)十位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了創(chuàng)新微MinewSemi總經(jīng)理龍招喜先生,以...

2023-12-27 標(biāo)簽:新能源XRXR創(chuàng)新微新能源 2174

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì),SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)...

2023-12-27 標(biāo)簽:MOSFET晶圓IGBTSiC閾值電壓 2819

低成本垂直GaN功率器件研究

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。...

2023-12-27 標(biāo)簽:功率器件GaN電流電壓GaN功率器件功率晶體管電流電壓 2175

碳化硅SiC的高溫氧化研究

碳化硅SiC的高溫氧化研究

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì),因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。...

2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOS管功率器件SiC碳化硅 3116

面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。...

2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器晶體管功率半導(dǎo)體GaN器件 2443

智融科技王夢(mèng)華:半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)力轉(zhuǎn)向HPC,AIGC規(guī)模落地要依靠killer app

智融科技王夢(mèng)華:半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)力轉(zhuǎn)向HPC,AIGC規(guī)模落地要依靠killer app

歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到數(shù)十位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了智融科技市場(chǎng)總監(jiān)王夢(mèng)華,以下是她對(duì)...

2023-12-26 標(biāo)簽:IC市場(chǎng)電源管理芯片IC市場(chǎng)智融科技電源管理芯片 2983

潤(rùn)石科技閆廣亮:車用領(lǐng)域取得長(zhǎng)足進(jìn)步,未來加大ADC等產(chǎn)品研發(fā)

潤(rùn)石科技閆廣亮:車用領(lǐng)域取得長(zhǎng)足進(jìn)步,未來加大ADC等產(chǎn)品研發(fā)

歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到數(shù)十位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了潤(rùn)石科技副總經(jīng)理閆廣亮,以下是他對(duì)...

2023-12-26 標(biāo)簽:車規(guī)芯片江蘇潤(rùn)石模擬芯片市場(chǎng)江蘇潤(rùn)石車規(guī)芯片 1957

如何利用單根GaN納米柱實(shí)現(xiàn)低功耗的微型人工突觸器件呢?

如何利用單根GaN納米柱實(shí)現(xiàn)低功耗的微型人工突觸器件呢?

近年來,人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理的速度和效率有更高的要求,而傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)由于存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)構(gòu)的分離,其在處理數(shù)據(jù)密集型任務(wù)和人工智能任務(wù)時(shí)面臨著功耗和效率的瓶頸問...

2023-12-26 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)物聯(lián)網(wǎng)人工智能GaN 1698

幾種不同類型的A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換原理

幾種不同類型的A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換原理

A/D轉(zhuǎn)換器是將模擬信號(hào)變換成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)的裝置。今天來介紹幾種不同類型的A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換原理。...

2023-12-31 標(biāo)簽:寄存器電壓比較器模擬電壓AD轉(zhuǎn)換器積分器 6734

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

近年來,全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為303.37億美元,同比增長(zhǎng)27.4%,2022年進(jìn)一步同比增長(zhǎng)12.1%,為339.93億美元。...

2023-12-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件工業(yè)控制IGBTMOSFET功率器件半導(dǎo)體分立器件工業(yè)控制 1973

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

近日,武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作,在國(guó)際權(quán)威期刊《Small》上發(fā)表了題為“Phase-Dependent Phonon Heat Transport in Nanoscale Gallium Oxide Thin Films”的研究論...

2023-12-25 標(biāo)簽:太陽能電池二極管氧化鎵 3116

探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢(shì)

探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢(shì)

隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對(duì)高效能電子器件的需求不斷增長(zhǎng),傳統(tǒng)硅材料在面對(duì)一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)已經(jīng)顯示出其局限性。...

2023-12-25 標(biāo)簽:傳感器無線通信漏電流碳化硅太陽能逆變器 2843

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