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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>

Nano Dimension宣布收購Essemtec AG

-Essemtec AG是一家為印刷電路板和原始設(shè)備制造商行業(yè)提供表面貼裝取放系統(tǒng)的供應(yīng)商 -本次收購有助于為以下方面的突破性進展奠定基礎(chǔ):作為增材制造電子產(chǎn)品解決方案一部分的微芯片放置方...

2021-12-31 標簽:電路板smt3D打印 4472

國內(nèi)首條!基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

國內(nèi)首條!基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進碳化硅...

2021-12-31 標簽:MOSFETSiC功率模塊碳化硅基本半導體 3540

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點,并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?;贖F二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻機制模型, SiQ在高頻溶液中的溶解是在集...

2021-12-31 標簽:晶圓鍍膜刻蝕刻蝕刻蝕機晶圓鍍膜 6108

Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業(yè)清洗序列

Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業(yè)清洗序列

摘要 在本文中,我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業(yè)適用清洗順序,并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3顯示出1 ms至2 ms之間的壽命,這與對應(yīng)于低...

2021-12-31 標簽:太陽能電池太陽能晶圓晶片TYN1225太陽能太陽能電池晶圓晶片 2289

異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度,我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是,通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS,研究...

2021-12-30 標簽:晶圓晶片光譜 7240

淺談芯片市場最新現(xiàn)狀

全世界都在關(guān)注芯片市場的動態(tài)。如今半導體的龍頭效應(yīng)凸顯,創(chuàng)新芯片公司也值得關(guān)注。...

2021-12-30 標簽:芯片存儲芯片半導體行業(yè) 2518

2021第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇成功舉辦

2021第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇成功舉辦

由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導體標準與檢測研討會”在深圳召開。...

2021-12-29 標簽:半導體半導體產(chǎn)業(yè) 2237

化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這...

2021-12-29 標簽:半導體蝕刻蝕刻工藝 3606

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學機械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附...

2021-12-29 標簽:半導體晶圓晶片晶圓制造 2138

半導體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

半導體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導體 引言 半導體器件的制造是從半導體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個世紀初,人們已經(jīng)了 解了什么樣的雜質(zhì)會給半導體...

2021-12-29 標簽:芯片半導體蝕刻晶片蝕刻工藝 3338

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測硅片表面金屬雜質(zhì)污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實驗顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等主要特征峰。與其他表面敏感技術(shù)...

2021-12-28 標簽:晶圓納米晶片 1297

南安芯谷入駐項目集中簽約儀式暨產(chǎn)業(yè)服務(wù)專題發(fā)布成功舉辦

南安芯谷入駐項目集中簽約儀式暨產(chǎn)業(yè)服務(wù)專題發(fā)布成功舉辦

12月25日,由南安市石井鎮(zhèn)黨委、政府,泉州芯谷南安分園區(qū)辦事處和聯(lián)東U谷聯(lián)合主辦的“芯動南安 成功石井”南安芯谷入駐項目集中簽約儀式暨產(chǎn)業(yè)服務(wù)專題發(fā)布會在南安市石井鎮(zhèn)成功舉辦。...

2021-12-27 標簽:半導體智能工廠 946

聚合物光波導制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

聚合物光波導制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

引言 研究了用于制造聚合物光波導的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測試儀測量界面粘合。在同一樣品的不同部分...

2021-12-27 標簽:聚合物晶片光子器件硅襯底光子器件晶片硅基板硅襯底聚合物 2172

優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時間的創(chuàng)新方法

優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時間的創(chuàng)新方法

本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽極位置優(yōu)化、多步驟TSV填充過程、添加劑...

2021-12-27 標簽:半導體3D晶片TSV3DDRIETSV半導體晶片 3293

半導體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

半導體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟,不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物,...

2021-12-27 標簽:半導體等離子蝕刻 4134

貿(mào)澤電子田吉平:2022年晶圓產(chǎn)能會提升,芯片短缺需要更長時間緩解

貿(mào)澤電子田吉平:2022年晶圓產(chǎn)能會提升,芯片短缺需要更長時間緩解

歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2022半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到超過60位國內(nèi)外半導體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場及商務(wù)拓展副總裁...

2021-12-27 標簽:晶圓AI智能汽車5G貿(mào)澤電子 7425

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學加工中,制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù),特別是對于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文討論了表面處理參數(shù)的特點及其影響。硅技...

2021-12-27 標簽:半導體超聲波蝕刻晶片GBDT 1595

《華林科納-半導體工藝》化學品對硅片上金屬污染的影響

摘要 對實自不同供應(yīng)商的化學5進行了清法后殘自在理最片上的全屬污染水平的測試。在江省過在中,評估了來自三個供應(yīng)商的鹽整機復氧化鎮(zhèn)以及來自四個供應(yīng)母的討氧化復,在RCA標準濟夜市...

2021-12-27 標簽:集成電路半導體SPM 969

半導體鍺光電探測器與非晶硅基板上的非晶硅波導單體集成

半導體鍺光電探測器與非晶硅基板上的非晶硅波導單體集成

引言 我們展示了一個利用高質(zhì)量的絕緣體上鍺(GeO)晶片通過晶片鍵合技術(shù)制造的阿格/非晶硅混合光子集成電路平臺的概念驗證演示。通過等離子體化學氣相沉積形成的非晶硅被認為是傳統(tǒng)硅無...

2021-12-24 標簽:芯片半導體非晶硅晶片基板 2849

氫氟酸水溶液中離子輻照LiNbO3的蝕刻

引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶,產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層,研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度,表明可以通過將溫度從24℃提高到55℃來提高蝕...

2021-12-23 標簽:蝕刻溶液 2153

半導體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

半導體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

引言 近年來,隨著集成電路的微細化,半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡木淮吻逑吹姆绞?。在半導體的制造中,各工序之間進行...

2021-12-23 標簽:半導體單晶片 1653

氮化硅陶瓷在氫氟酸水溶液中的水熱分解行為

氮化硅陶瓷在氫氟酸水溶液中的水熱分解行為

引言 精細陶瓷由于其優(yōu)越的機械性能和功能性能,在過去的二十年中得到了發(fā)展。最近,從環(huán)境和經(jīng)濟的角度來看,希望開發(fā)具有較低能量的制造工藝,因為生產(chǎn)精細陶瓷需要相當大的能量。...

2021-12-23 標簽:溶液掃描電鏡氮化硅 2313

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發(fā)光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明,溶液在浸入樣品后(W1分鐘)會立即去除自然...

2021-12-22 標簽:半導體蝕刻溶液GAP 2748

宇陽科技MLCC項目榮獲2021年度省電子信息行業(yè)科技進步獎

宇陽科技MLCC項目榮獲2021年度省電子信息行業(yè)科技進步獎

宇陽科技5G通信用微波高Q片式多層陶瓷電容器的關(guān)鍵技術(shù)研究項目和“008004超微型片式多層陶瓷電容器的量產(chǎn)及關(guān)鍵技術(shù)研究”項目分別榮獲科技進步二等獎、三等獎。...

2021-12-22 標簽:電容電子信息MLCC陶瓷電容器宇陽科技 4467

中科馭數(shù)宣布完成數(shù)億元A+輪融資 第二代DPU芯片完成研發(fā)設(shè)計

中科馭數(shù)宣布完成數(shù)億元A+輪融資 第二代DPU芯片完成研發(fā)設(shè)計

中科馭數(shù)正在研發(fā)的第二代DPU芯片K2已經(jīng)完成設(shè)計和驗證工作,預計將于2022年第一季度投產(chǎn)流片。...

2021-12-21 標簽:DPU中科馭數(shù) 6760

RISC-V架構(gòu)國產(chǎn)芯片再迎超強玩家

12月17日,首屆滴水湖中國RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇在上海臨港滴水湖皇冠假日酒店舉行,來自全國各地的RISC-V“玩家”匯聚于此,共同探討推動國產(chǎn)RISC-V芯片快速產(chǎn)業(yè)化落地和應(yīng)用創(chuàng)新的可能。RISC-V自面...

2021-12-20 標簽:芯片RISC-V 4182

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為對顆粒去除非常有效,但去除機制仍不清楚。對于去,除重有機...

2021-12-20 標簽:半導體晶片硅片 2560

蘋果自研射頻芯片?OPPO自研NPU芯片!芯片的國產(chǎn)替代需要跨越三個誤區(qū)!

系統(tǒng)廠商、終端廠商自研芯片,對于傳統(tǒng)集成電路設(shè)計企業(yè)是一個巨大威脅嗎?如何看中國集成電路領(lǐng)域的國產(chǎn)替代進程?國產(chǎn)替代當中有哪些誤區(qū)?微納研究院CTO吳海寧、求是緣半導體聯(lián)盟榮...

2021-12-20 標簽:蘋果OPPO射頻芯片 11808

國產(chǎn)操作系統(tǒng)再“超越”,RT-Thread推動AIoT產(chǎn)業(yè)變革

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)12月18日,RT-Thread開發(fā)者大會在深圳大中華喜來登酒店舉辦,本屆大會的主題是“Beyond”,寓意超越自我,突破邊界。在上午的主題演講環(huán)節(jié),來自RT-Thread的主要...

2021-12-20 標簽:RT-Thread國產(chǎn)操作系統(tǒng) 9222

奈何實力不允許?印度引進芯片制造,富士康、高塔感興趣,水電、人才成最大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)日前,印度政府批準了一項100億美元的激勵計劃,吸引全球半導體和顯示器制造商到印度建立工廠。根據(jù)該計劃,印度政府將向符合資質(zhì)的顯示器和半導體制造...

2021-12-20 標簽:印度芯片制造 7941

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