半導體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析
引言 本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了PVA電刷和接觸面之間...
多晶硅表面紋理化的典型方法
濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性...
KOH硅濕法蝕刻工藝設計研究
在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計，作為...
n型多孔硅刻蝕時間的效應分析
引言 硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結構使其發(fā)光不切實際。然...
半導體硅基板的蝕刻方法簡介
本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時提高制造收率，為此，將半導體Si基板接入陽極，將Pt電極接入陰極后，在pt電極用跳汰機內(nèi)放入氮氣泡泡器，旋轉對向的正電極上外部認可電壓，泡泡器內(nèi)...
泛林集團推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 此前宣布季度股息1.5美元每股
泛林集團推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細致和努力交付才能實現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界領先半導體企業(yè)值得...
高頻聲能清洗半導體晶片的方法
我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學添加劑配方去除離子注入光刻膠的方 法。通過 SEM 和 XPS 分析對加工樣品的離子注入表面進行表征表明，使用超臨界二氧化碳/共溶劑配方，可以實現(xiàn)離...
一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法
提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生第一流體的彎液面。...
泛林集團推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案 加速實現(xiàn)3D
通過與客戶、技術專家和產(chǎn)品團隊的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實現(xiàn)突破，這將使世界領先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設備。...
科幻變現(xiàn)實：噴下即療愈 生物3D打印繪就生命密碼圖
在過去的二十年里，許多生物3D打印技術已經(jīng)被開發(fā)出來，被應用于眾多生物醫(yī)學領域，包括組織工程、疾病模型和藥物篩選等。盡管如此，大多數(shù)生物3D生物打印技術與臨床和轉化應用還有相...
2022-03-22 標簽：3D打印 2898
晶盛機電圍繞先進材料先進裝備戰(zhàn)略 2021年度業(yè)績翻倍
晶盛機電圍繞先進材料先進裝備戰(zhàn)略 2021年度業(yè)績翻倍 光伏、半導體設備商浙江晶盛機電股份有限公司訂單飽滿，盈利能力也很強勁，2021年度業(yè)績翻倍。 日前浙江晶盛機電股份有限公司公告了...
LED封裝企業(yè)木林森預計凈利潤11.58億同比增長283.76%
LED封裝企業(yè)木林森預計凈利潤11.58億同比增長283.76% 根據(jù)木林森2021年度業(yè)績快報顯示，歸屬于上市公司股東的凈利潤11.58億，同比增長283.76%。業(yè)績可謂亮眼。 我們看到木林森公告顯示，在2021年...
濕清洗后晶圓旋轉速度對金屬線的影響
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術去除污染物，例如使用批量浸漬工具進...
臭氧法高效PR剝離技術研究
在半導體清洗過程中，作為取代 現(xiàn)有濕化學清洗液的新型濕式溶液，將臭氧溶解到純中，被稱為僅次于氟的強氧化劑，是PR去除工藝和雜質清洗。這種臭氧水方式的濕洗完全不使用對環(huán)境有害的...
安靠分析封測行業(yè)決定質量的因素
在我們的印象中，日本的制造業(yè)往往給人以高端先進的感覺，日本的產(chǎn)品都以質量可靠著稱，而日本的工人都以執(zhí)著的匠人精神而享譽全球。然而就在近幾年，日本制造業(yè)的丑聞頻頻被爆出。從...
濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依賴性，可以以高度可控和...
濕化學清洗過程中晶片污染控制方法
本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時間質譜儀對晶圓清洗溶液進行全自動在線監(jiān)測。該分析儀通過其在正負模式下提供強(元素)和弱(分子)電離的能力，提...
兆聲波輔助濕法化學處理去除
由TOK、JSR、陶氏化學等公司生產(chǎn)的新一代負色調(diào)和化學放大的正色調(diào)光阻劑在先進的包裝應用中獲得了發(fā)展勢頭。隨著銅柱和微凸起的采用，樹脂的厚度要求正在增加到40-100μm的范圍。為了形成...
國產(chǎn)芯片何去何從？關于中國芯片這些話如鯁在喉
作為一家以AI、云計算、通信等技術為核心關注點的自媒體，芯片是永遠無法繞開的話題。腦極體最早開始關注芯片是在2017年，彼時華為海思領先蘋果發(fā)布了全球第一款移動AI芯片麒麟970；梁孟...
2022-03-08 標簽：云計算AI國產(chǎn)芯片AI芯片 9289
西門子加入英特爾晶圓代工服務計劃EDA 聯(lián)盟
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布加入成為英特爾晶圓代工服務 （IFS） 加速計劃中的 EDA 聯(lián)盟特許成員。...
研究碳化硅襯底和外延的實驗報告
摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X 1020...
60億美元！英特爾計劃斥資收購以色列高塔半導體 IDM2.0戰(zhàn)略加速推進
據(jù)外媒報道，英特爾計劃斥資約 60 億美元收購全球排名第九的以色列高塔半導體 (Tower Semiconductor)。受此消息激勵，高塔半導體周一盤后股價噴漲超過 48%，目前市值逾 35 億美元。英特爾盤后小...
普萊信推出完整Clip Bond工藝封裝設備產(chǎn)品線
報道，功率器件及第三代半導體是當前的半導體產(chǎn)業(yè)技術追逐的熱點，也是國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)中最有希望能夠趕超世界先進技術的領域之一。...
三星的計劃要暫緩了？半導體供應鏈競爭加劇，并購潮進入冷靜期
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）相對于其他韓國企業(yè)，三星最被人熟知的形象就是資本實力雄厚，目前三星在業(yè)內(nèi)開展大規(guī)模的收購，或者是入股多家半導體企業(yè)。2021年年底，三星電子共同...
2022-02-15 標簽： 4664
Ashling RiscFree? 整合開發(fā)工具鏈宣布支持晶心科技RISC-V處理器
2022年2月10日─Ashling和晶心科技共同宣布Ashling RiscFree?整合開發(fā)工具鏈將擴大支持晶心全系列RISC-V CPU IP，包括針對性能優(yōu)化的AndeStar? V5 Performance ISA擴展和針對代碼大小縮減的CoDense? ISA擴展。...
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