GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。對于實現(xiàn)先進的氮化...
SPM光刻工藝的研究報告
在這篇文章中，我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設(shè)備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。...
薄膜MLCC的技術(shù)報告
本文討論了傳統(tǒng)MLCC技術(shù)的最新技術(shù)，并將該技術(shù)與潛在的MLCC薄膜制造技術(shù)進行了比較,討論了MLCC制造、相關(guān)限制、潛在制造技術(shù)和設(shè)計理念方面的薄膜技術(shù)的實用性。同時還考慮了電子行業(yè)的...
一種LTCC襯板上的膜型壓電閥設(shè)計方案
本研究開發(fā)了一種LTCC襯板上的膜型壓電閥，設(shè)計制造了一種單變形壓動器和一種互補的三維陶瓷結(jié)構(gòu)，閥門的性能通過氣體流量、執(zhí)行器位移和開關(guān)時間來描述，在進一步開發(fā)中，主動壓電閥...
東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...
使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑...
吉方定制化服務(wù)，持續(xù)為客戶提升價值
吉方工控擁有完善的供應(yīng)鏈體系，多年來與英特爾保持戰(zhàn)略合作關(guān)系，與國產(chǎn)芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導(dǎo)向的工作原則指導(dǎo)下，我們對供應(yīng)鏈進行了科學(xué)的管理和嚴(yán)格的品控。...
Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應(yīng)晶體管(FET)出貨量突破100萬大關(guān)。這一里程碑進一步證實...
2022-01-16 標(biāo)簽：充電器FET電源適配器GaNTransphorm 5475
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿...
2022-01-12 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻物理襯底InP技術(shù)化學(xué)物理蝕刻襯底 2885
O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強度內(nèi)聚能1.89 eV，熔點2248 K，高激子結(jié)合能60 meV，即...
在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態(tài)
引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個原子，只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級原子結(jié)構(gòu)的機會。原子平坦...
微氣泡對光刻膠層的影響
關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高...
混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...
多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...
使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前，在桔葉式設(shè)備...
開年專訪谷泰微創(chuàng)始人兼CEO石方敏：2022本土IC要迎“大考”
隨著全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速以及AIOT、智能汽車市場爆發(fā)，全球集成電路市場規(guī)模加速增長，預(yù)計2021年全球集成電路市場將增長到5700億美元，未來5年將更增長到1萬億美元的規(guī)模！...
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