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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>

工藝/制造

電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為工藝/制造專區(qū),有豐富的工藝/制造應(yīng)用知識與工藝/制造資料,可供工藝/制造行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減

更高系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的,半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET),可顯著降...

2014-03-25 標(biāo)簽:MOSFET快捷半導(dǎo)體柵極屏蔽 4758

使用微細(xì)加工技術(shù) 可使LED亮度翻倍

日本王子控股公司宣布,確立了使用微細(xì)粒子精密涂裝技術(shù)的微細(xì)加工技術(shù),并成功使LED及有機EL元件的亮度提高了一倍。...

2014-03-12 標(biāo)簽:led微細(xì)加工技術(shù) 1254

EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步履維艱

期EUV光刻機出現(xiàn)一系列的問題被曝光。有些專家認(rèn)為在TSMC現(xiàn)場出現(xiàn)的光源故障對于EUV的實用性,尤其是對于未來的量產(chǎn)型EUV光刻機客戶會產(chǎn)生疑惑,可能會延續(xù)一段時間。...

2014-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺積電EUV 2136

IR在新加坡開設(shè)先進(jìn)超薄晶圓加工廠

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 宣布其位于新加坡的全新先進(jìn)超薄晶圓加工廠(IRSG)已投入初始生產(chǎn)。...

2014-02-25 標(biāo)簽:晶圓IR 1959

ROHM打破微細(xì)化常識 推超小型元器件“RASMID?”系列

ROHM積極推進(jìn)元器件的小型化技術(shù)革新,提供電阻器、晶體管、二極管、鉭電容、LED等世界最小尺寸產(chǎn)品,積極響應(yīng)可穿戴終端。##通過小型化以及采用底面電極,焊錫的接地面積變小,人們擔(dān)心...

2014-02-25 標(biāo)簽:二極管電阻器Rohm 1611

全民聚焦FinFET,下一代晶體管技術(shù)何去何從

在近期內(nèi),從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù),有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時,目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)...

2014-02-25 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 5569

移動芯片的另一個比拼:各家工藝制程分析

在移動通信芯片領(lǐng)域,高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動芯片廠商,2013年是28nm制程的普及年,除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外,其余各家移動通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。...

2014-02-25 標(biāo)簽:HKMG移動芯片 9056

ARM與臺積電攜手完成16nm FinFET工藝測試

對于英特爾來說,要想在移動芯片市場多分得一杯羹,就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款A(yù)tom SoCs——舉例來說——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統(tǒng)的(...

2014-02-25 標(biāo)簽:ARM臺積電FinFET 1224

20/16nm將成主流 先進(jìn)工藝怎適應(yīng)?

017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流,這對我們設(shè)計業(yè)、制造業(yè)是一個很大的啟示:我們怎么樣適應(yīng)全球先進(jìn)工藝。...

2013-12-16 標(biāo)簽:晶圓廠TSV20nm16nm 2366

“2013先進(jìn)封裝與制造技術(shù)論壇”聚焦如何實現(xiàn)小型化與微型化系統(tǒng)設(shè)計

11月26日,由深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦、思銳達(dá)傳媒承辦的“2013先進(jìn)封裝與制造技術(shù)”論壇在深圳馬哥孛羅好日子酒店成功召開,來自國民技術(shù)、炬力、全志、格科、國微等集成電路設(shè)計企業(yè)...

2013-12-03 標(biāo)簽:SiP微型化系統(tǒng) 1921

層疊的藝術(shù):帶你深入了解3D IC

層疊的藝術(shù):帶你深入了解3D IC

 在這篇文章中,筆者將介紹各種不同型態(tài)的 3D IC 技術(shù),由最簡易的開始到目前最先進(jìn)的解決方案。不過當(dāng)我們開始探討3D IC,第一件事情就是要先問自己:「我們是想要透過3D達(dá)成什么目的?...

2013-12-02 標(biāo)簽:ICSiPTSV 8399

英特爾代工策略:提升開工率為14納米競爭搶時間

 英特爾開放芯片代工,或是為緩解因PC下滑導(dǎo)致的工廠開工率大降,抑或是通過開放代工與ARM廠商進(jìn)行戰(zhàn)略合作的敲門磚。近日,英特爾新任CEO科再奇在英特爾投資者大會上表示,英特爾的芯...

2013-11-28 標(biāo)簽:芯片英特爾Altera 805

英特爾芯片代工之門大開 或向所有企業(yè)開放

英特爾CEO科再奇(Brian Krzanich)周四在該公司的投資者大會上宣布,之前僅面向部分企業(yè)開放的芯片代工業(yè)務(wù)今后將面向所有企業(yè)開放。...

2013-11-25 標(biāo)簽:英特爾芯片代工 853

為什么英特爾那么牛?制程工藝引業(yè)界驚嘆!

為了讓大家一窺 Intel在半導(dǎo)體制造工藝上的牛逼,筆者選取數(shù)月前參加Intel新品交流會后,印象深刻的45nm以下HKMG的成型工藝來做探討。...

2013-11-19 標(biāo)簽:英特爾HKMG晶圓制造 26020

從貼片到點膠,多種制造技術(shù)“護(hù)航”智能便攜設(shè)備

近幾年,得益于智能手機的快速發(fā)展,國內(nèi)的手機業(yè)也獲得了高速的發(fā)展,除了中興和華為這樣的老牌廠商,其他白牌廠家也相機而動,迅猛崛起。中國大陸作為手機制造的中心,如何緊跟在大...

2013-11-18 標(biāo)簽:智能手機smt富士機械 1493

奧地利微電子公司計劃于2014年為模擬晶圓代工客戶提供多項目晶圓制造服務(wù)

中國,2013年11月13日——奧地利微電子公司(SIX股票代碼:AMS)晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布將于2014年向用戶推出快速、低成本的IC原型設(shè)計服務(wù),該項目被稱為多項目晶圓(MPW)。多項目原型設(shè)計...

2013-11-14 標(biāo)簽:CMOS奧地利微電子晶圓 1431

海普銳多款新型線束加工設(shè)備功能更全面

根據(jù)市場最新需求,海普銳每年都會推出多款新式機型,以提高現(xiàn)有線束加工工藝的生產(chǎn)效率,并針對行業(yè)發(fā)展趨勢進(jìn)行前瞻性研發(fā)。即將在第82屆中國電子展上展出的四款線束加工設(shè)備就是今...

2013-11-11 標(biāo)簽:中國電子展海普銳 2096

采用全新工藝方法,超越微細(xì)化界限的世界最小※元器件“RASMID?系列”

近年來,伴隨著各種設(shè)備的高性能化發(fā)展,對元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下,ROHM很早就開始利用獨創(chuàng)的微細(xì)化技術(shù),不斷推進(jìn)元器件小型化的技術(shù)創(chuàng)新。2011年,ROHM開發(fā)出低于被...

2013-11-07 標(biāo)簽:二極管Rohm半導(dǎo)體工藝 1582

臺積電等龍頭細(xì)談國內(nèi)晶圓代工的未來走勢

摩爾定律遇到瓶頸、先進(jìn)工藝投資如同“無底洞”,代工廠在先進(jìn)工藝的巨大投入與回報之間如何取舍,在性能、成本、尺寸之間如何權(quán)衡,選擇哪一種道路持續(xù)精進(jìn),或許未來的格局就在今時...

2013-11-04 標(biāo)簽:臺積電聯(lián)電新思科技華力微電子 3024

芯片突破摩爾定律?英特爾說EUV光刻技術(shù)可做到

據(jù)美國科技博客BusinessInsider報道,在近50年的科技發(fā)展中,技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中,英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。...

2013-11-01 標(biāo)簽:芯片英特爾摩爾定律EUV 2018

賽普拉斯和D-Wave Systems共同宣布 已成功地將D-Wave工藝技術(shù)應(yīng)用到賽普拉斯的晶圓

賽普拉斯半導(dǎo)體公司和世界首個商業(yè)化量子計算公司--D-Wave Systems公司日前宣布,D-Wave已成功地將其獨有的制造量子計算微處理器的工藝技術(shù)移植到賽普拉斯位于明尼蘇達(dá)州布魯明頓的晶圓廠。...

2013-10-28 標(biāo)簽:賽普拉斯晶圓廠 944

TSMC 和 Cadence 合作開發(fā)3D-IC參考流程以實現(xiàn)真正的3D堆疊

9月25日——全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)今天宣布,臺積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程,該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊...

2013-09-26 標(biāo)簽:TSMCCadence3DIC 1660

德路推出用于智能消費設(shè)備微透鏡的新型高科技材料

Windach/ Germany,2013年9月:德路工業(yè)膠粘劑公司開發(fā)了新型的、用于透鏡生產(chǎn)的光固化環(huán)氧樹脂和丙烯酸酯。用于微透鏡的創(chuàng)新型光學(xué)材料對全球消費電子產(chǎn)業(yè)來說具有劃時代意義,因為這些材料...

2013-09-09 標(biāo)簽:德路晶圓級 1348

奧地利微電子投資逾2,500萬歐元建立模擬3D IC生產(chǎn)線

2013年9月3日——領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器解決方案供應(yīng)商奧地利微電子公司(SIX股票代碼:AMS)今日宣布投資逾2,500萬歐元在其位于奧地利格拉茨附近的晶圓制造工廠,用以建立3D IC專用的...

2013-09-03 標(biāo)簽:奧地利微電子3DIC 1410

2020年7nm制程殺到,是摩爾定律實效之時

8月28日消息,美國國防部先進(jìn)研究項目局微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主管羅伯特-克羅韋爾(Robert Colwell)認(rèn)為,摩爾定律的終結(jié)不只對物理界影響巨大,對經(jīng)濟的影響也很大。   克羅韋爾稱:“我...

2013-08-29 標(biāo)簽:摩爾定律晶圓7nm 2030

市場觀察:英特爾推遲14nm 挪后450mm?

最新行業(yè)觀察:英特爾14nm將推遲一個季度甚至兩個季度!450mm晶圓工藝預(yù)期也挪后了。IC Insights數(shù)據(jù)顯示,中國市場已經(jīng)成為PC、汽車、手機和數(shù)字電視的No. 1!關(guān)注電子發(fā)燒友網(wǎng),關(guān)注最新市場...

2013-08-27 標(biāo)簽:英特爾DRAM臺積電14nm 3204

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)景氣 看好3D IC綠色制程

2013年自下半年開始,半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)景氣回升迅速,面對樂觀的投資前景,加上近期正夯的3D列印產(chǎn)業(yè)帶動微系統(tǒng)及精密機械等市場商機.此外,3D IC是未來芯片制造發(fā)展的趨勢,因為摩爾定律受限...

2013-08-27 標(biāo)簽:led臺積電摩爾定律3DIC 1222

蘋果新專利:柔性材料打造MacBook無縫外殼

蘋果新專利:柔性材料打造MacBook無縫外殼

8月23日早間消息,美國專利和商標(biāo)局周二發(fā)布了一份蘋果公司的最新專利申請,詳細(xì)闡述了一種可以用作鉸鏈的柔性材料,以此為MacBook等設(shè)備開發(fā)無縫外殼。...

2013-08-23 標(biāo)簽:蘋果macbook柔性屏幕 1516

我國集成電路獲重大突破 半浮柵晶體管橫空出世

8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文,該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件:半浮柵晶體管(SFGT,Semi- Floating-GateTransistor)。這...

2013-08-22 標(biāo)簽:集成電路半浮柵晶體管 4269

將改變數(shù)碼產(chǎn)品形態(tài)的10大高科技材料

隨著新型材料的研發(fā)與逐步成熟,很快我們就可以看到更多的令人難以置信的新型數(shù)碼產(chǎn)品,以下10大高新材料將會改變?nèi)藗兊纳睢?..

2013-08-21 標(biāo)簽:OLED屏幕石墨烯電子皮膚 5092

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