ASML：預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)

設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾（ASML）已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）和重量級(jí)晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)。...

2013-08-19 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電IPEUV20nm微影技術(shù) 2067

新型微電子器件新突破 CPU提速有望

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)、國(guó)家02重大專項(xiàng)總體組專家張衛(wèi)教授領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管（SFGT），可讓數(shù)據(jù)擦寫(xiě)更容易、速度更快，操作電壓更低，為設(shè)...

2013-08-15 標(biāo)簽：cpu電子器件 1833

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。...

2013-07-25 標(biāo)簽：聯(lián)華28nm 1425

FinFET改變戰(zhàn)局：臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體制程世代后，與整合元件制造商的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟，串連矽智財(cái)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化供...

2013-07-24 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工FinFET微影技術(shù) 1265

3D IC最快2014年可望正式量產(chǎn)

2.5D及3D IC制程解決方案已經(jīng)逐漸成熟，產(chǎn)業(yè)界目前面臨最大的挑戰(zhàn)是量產(chǎn)能力如何提升，業(yè)界預(yù)估明后年3D IC可望正式進(jìn)入量產(chǎn)。...

2013-07-23 標(biāo)簽：3DIC晶片堆疊2.5D立體堆疊晶片 1241

臺(tái)積與三星爭(zhēng)奪晶圓代工版圖：加速擴(kuò)廠

全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電與韓國(guó)三星爭(zhēng)奪晶圓代工版圖，半導(dǎo)體設(shè)備商透露，臺(tái)積電已決定加速南科14廠七、八期擴(kuò)建腳步，且自本季開(kāi)始交貨蘋(píng)果A7處理器，第4季放量。...

2013-07-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工A9處理器14納米FinFET 1301

臺(tái)灣300毫米半導(dǎo)體晶圓廠首次進(jìn)入內(nèi)地

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，聯(lián)電正與廈門(mén)市政府合作，投資3億美元，在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠，如果進(jìn)展順利，這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類工廠。...

2013-07-18 標(biāo)簽：聯(lián)電晶圓廠 1584

陸行之：臺(tái)積電今年產(chǎn)能只能滿足95%需求

在7月18日即將舉行的臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)，巴克萊亞太半導(dǎo)體首席分析師陸行之出具報(bào)告力挺臺(tái)積電，他指出，雖然市場(chǎng)憂心下半年全球景氣影響，但作為晶圓代通龍頭，臺(tái)積電不代表就會(huì)存在庫(kù)存過(guò)...

2013-07-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電 883

蘋(píng)果自己生產(chǎn)A系列芯片？分析師不看好

蘋(píng)果的A系列處理器，在今年以前一直都是由三星代工，再加上閃存、屏幕等元件基本都是從三星采購(gòu)，為了降低對(duì)三星的依賴，蘋(píng)果在這兩年一直都謀求另外的芯片代工廠家，臺(tái)灣的TSMC和聯(lián)電...

2013-07-16 標(biāo)簽：蘋(píng)果手機(jī)芯片格羅方德 3211

石墨烯可助計(jì)算機(jī)更冷卻更持久

冷卻一直是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)重要及棘手的問(wèn)題，要想同時(shí)保證CPU不過(guò)熱和制冷不耗電似乎不可兼得。而今，瑞典查爾莫斯大學(xué)研究組找到一種材料：石墨烯通過(guò)應(yīng)用熱化學(xué)蒸鍍技術(shù)，電子設(shè)備熱點(diǎn)降...

2013-07-08 標(biāo)簽：石墨烯 953

華潤(rùn)上華第三代超高壓700V BCD系列工藝開(kāi)發(fā)成功

近日，華潤(rùn)上華宣布，其第三代超高壓700V BCD系列工藝開(kāi)放代工平臺(tái)已開(kāi)發(fā)成功。該工藝源自第二代硅基700V BCD工藝的發(fā)展，通過(guò)改進(jìn)，工藝控制電路部分相比第二代縮減了15%...

2013-05-16 標(biāo)簽：BCD華潤(rùn)上華 3491

意法半導(dǎo)體獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，F(xiàn)D-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50...

2013-05-10 標(biāo)簽：傳感器CMOSmems意法半導(dǎo)體FD-SOI 1177

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進(jìn)行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。...

2013-05-02 標(biāo)簽：英飛凌閃存嵌入式40nmGlobalFoundries 1836

搶攻移動(dòng)商機(jī)，格羅方德將于2015年推出10納米

格羅方德表示2015年推出10納米，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。...

2013-04-28 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電10nm14nm20nm格羅方德 1171

3D IC掀革命，半導(dǎo)體材料、封裝加速換血

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)將不再由硅材料主導(dǎo)。為緊跟摩爾定律（Moore’s Law）發(fā)展腳步，全球整合元件制造商（IDM）一哥--英特爾（Intel）已在2012年開(kāi)發(fā)者大會(huì)中，揭露其未來(lái)在14、7納米（nm）以下制程...

2013-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝3DIC 2392

賽靈思專家：薄化制程良率升級(jí)，2.5D硅中介層晶圓成本下降

2.5D硅中介層（Interposer）晶圓制造成本有望降低。半導(dǎo)體業(yè)界已研發(fā)出標(biāo)準(zhǔn)化的制程、設(shè)備及新型黏著劑，可確保硅中介層晶圓在薄化過(guò)程中不會(huì)發(fā)生厚度不一致或斷裂現(xiàn)象，并能順利從載具上...

2013-04-11 標(biāo)簽：FPGAledmemssocXilinx3DIC 2620

3D IC散熱遭遇瓶頸 美國(guó)國(guó)防開(kāi)發(fā)新型芯片制冷技術(shù)

喬治亞理工學(xué)院的研究人員正在開(kāi)發(fā)三維芯片（3D IC）制冷技術(shù)，比當(dāng)前制冷系統(tǒng)的散熱能力提高10倍。...

2013-04-10 標(biāo)簽：集成電路3DIC 1791

14納米工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)給設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國(guó)際物理系統(tǒng)研討會(huì)（ISPD）上專家表示：實(shí)現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會(huì)比原先想象的更困難；14納米節(jié)點(diǎn)給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見(jiàn)本文......

2013-04-08 標(biāo)簽：3DFinFETEUV14nm 3908

制造業(yè)革命——3D打印的主流工藝盤(pán)點(diǎn)

大家對(duì)3D打印這個(gè)熱門(mén)概念應(yīng)該都或有耳聞，下面給大家介紹一下3D打印的主流技術(shù)及其工藝，希望能夠幫助大家更深一步了解3D打印的工作原理和其工作特點(diǎn)?，F(xiàn)在我們來(lái)看看3D打印的主流工藝...

2013-04-07 標(biāo)簽：制造3D打印 18563

臺(tái)積電本月將安裝20nm制造設(shè)備，2014年量產(chǎn)

臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開(kāi)始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。...

2013-04-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電soc20nm 1192

卡位10納米制程 臺(tái)積電、漢辰積極部署搶商機(jī)

臺(tái)積電與漢辰皆已針對(duì)未來(lái)可望取代硅的鍺和三五族元素，分別投入發(fā)展新的晶圓制程，以及離子布植（Ion Implant）設(shè)備，期能在下一個(gè)半導(dǎo)體世代中，繼續(xù)站穩(wěn)市場(chǎng)。...

2013-03-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電10納米漢辰 1038

IBM最新滴液技術(shù):控制電路的導(dǎo)電和絕緣狀態(tài)

今天IBM展示能夠應(yīng)用在電腦芯片核心的微型開(kāi)關(guān)和內(nèi)存芯片的最新技術(shù)： a drop of ionic liquid（一滴離子液體）。...

2013-03-22 標(biāo)簽：IBM控制電路滴液技術(shù) 1130

石墨烯已成過(guò)去 多用途二氧化鈦或?qū)⑷《?/a>

2013-03-22 標(biāo)簽：二氧化鈦石墨烯納米纖維 3522

半導(dǎo)體科技突破關(guān)鍵？替代材料助力10nm制程

半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺（Ge）和三五族（III-V）元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升芯片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。...

2013-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律10nm 1524

新思實(shí)體驗(yàn)證方案獲聯(lián)電28奈米制程采用

新思科技（Synopsys）日前宣布，晶圓代工大廠聯(lián)華電子（UMC，聯(lián)電）才用新思科技 IC Validator 實(shí)體驗(yàn)證（physical verification）解決方案，于其28奈米制程節(jié)點(diǎn)之微影（lithography）熱點(diǎn)（hot-spot）檢核...

2013-03-15 標(biāo)簽：聯(lián)電28納米新思科技 990

意法半導(dǎo)體28nm FD-SOI技術(shù)平臺(tái)又獲階段性成功

意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。...

2013-03-13 標(biāo)簽：CMOSsoc意法半導(dǎo)體FD-SOI28nm 1791

Spansion公司和聯(lián)華電子公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)40nm工藝技術(shù)

聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開(kāi)40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。...

2013-03-06 標(biāo)簽：40nmSpansion聯(lián)華電子 1173

世界首款碳納米晶體管電腦芯片問(wèn)世

斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來(lái)展示硅的特性。...

2013-02-28 標(biāo)簽：石墨烯碳納米晶體管 2274

手機(jī)大戰(zhàn)提前啟動(dòng) 臺(tái)積電28奈米產(chǎn)能續(xù)吃緊

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀先前預(yù)告第一季產(chǎn)業(yè)鏈平均庫(kù)存天數(shù)逆勢(shì)高于平均值逾4天的說(shuō)法獲得印證，由于臺(tái)積電新增的28奈米制程產(chǎn)能仍舊處于供不應(yīng)求狀態(tài)，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電第一季業(yè)績(jī)表現(xiàn)將相當(dāng)...

2013-02-22 標(biāo)簽：智能手機(jī)臺(tái)積電28奈米 963

英特爾砸20億美元興建全球首座450毫米晶圓廠

英特爾大約20億美元開(kāi)始興建第一座450毫米（晶圓）工廠。Intel D1X工廠已經(jīng)開(kāi)始使用300毫米晶圓投產(chǎn)14nm，將在今年年中發(fā)布的Haswell就會(huì)從這里源源不斷地走出來(lái)。...

2013-01-22 標(biāo)簽：英特爾三星電子晶圓廠14nm 1314