在前面的文章中介紹了接觸式/接近式曝光和無掩膜激光直寫技術(shù)，下面介紹電子束曝光技術(shù)。

在半導(dǎo)體器件規(guī)?；慨a(chǎn)過程中，拋光設(shè)備的自動化水平直接決定生產(chǎn)效率、工藝穩(wěn)定性與作業(yè)安全性，需同時滿....

磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種廣泛應(yīng)用的物理氣相沉積（PVD）工藝，是制....

本文將詳細介紹數(shù)字標準單元庫的工藝設(shè)計套件（PDK）生成步驟。

在高端芯片制造中，有一種被稱為“隱形殺手”的缺陷——滑移線缺陷。它直接威脅著芯片的性能與可靠性，是半....

多項目圓片(MPW)與多層光掩模(MLR)顯著降低了掩模費用，而無掩模光刻技術(shù)如電子束與激光直寫，在....

在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓清洗是一道至關(guān)重要的工序。晶圓經(jīng)切割后，表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及....

本文介紹了晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線及其核心參數(shù)的意義。曲線描述了柵壓控制漏極電流的過程，涵蓋關(guān)斷、亞閾值與....

鍵合是芯片貼裝后，將半導(dǎo)體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進行電氣連接的工藝。它實現(xiàn)了芯片與外部世界之....

原子探針斷層掃描（APT，也叫三維原子探針）是一種三維分析技術(shù)，能看清原子級的成分分布，空間分辨率達....

芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作....

在功率MOSFET器件的設(shè)計與選型中，單脈沖雪崩能量（Single Pulse Avalanche ....

近期發(fā)現(xiàn)，通過在傳統(tǒng)CMOS芯片的后端工藝（BEOL）層添加額外的有源器件層，可將原本僅用于布線的區(qū)....

金屬中間層鍵合技術(shù)涵蓋金屬熱壓鍵合、金屬共晶鍵合、焊料鍵合及瞬態(tài)液相（transient liqui....

依據(jù)中間層所采用的材料不同，中間層鍵合可劃分為黏合劑鍵合與金屬中間層鍵合兩大類，下文將分別對其進行詳....

微機電系統(tǒng)（MEMS，Micro-electro-mechanical System，亦稱微系統(tǒng)），....

直接鍵合方式具備較高的對準精度與穩(wěn)固的鍵合強度，能滿足高端器件的封裝需求，但該技術(shù)對晶圓表面的平整度....

晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下，....

超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)....

在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時代”的進程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制，....

SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定，其....

Salicide(Self-Aligned Silicide，自對準硅化物)是一種通過選擇性金屬沉積....

隨著智能手機、電腦等電子設(shè)備不斷追求輕薄化，芯片中的晶體管尺寸已縮小至納米級(如3nm、2nm)。但....

SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支，歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代，已形成以SIMOX、BS....

在集成電路設(shè)計中，版圖（Layout）是芯片設(shè)計的核心環(huán)節(jié)之一，指芯片電路的物理實現(xiàn)圖。它描述了電路....

DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。

半導(dǎo)體集成電路的分類體系基于集成度、功能特性、器件結(jié)構(gòu)及應(yīng)用場景等多維度構(gòu)建，歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展已形成多....

本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基....

封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計，核心包含聯(lián)筋（Dambar）與假腳（False leads）兩大關(guān)鍵部分，以....

Bosch工藝，又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝，是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進技....