PSM相移掩模技術(shù)的工作原理和主要類型
在光學(xué)光刻中，隨著特征尺寸不斷接近曝光波長，傳統(tǒng)二元掩模因光的衍射效應(yīng)導(dǎo)致圖像邊緣模糊、對比度下降，....
VDMOS器件的工作原理和關(guān)鍵工藝參數(shù)
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(VDMOS)憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速....
等離子體清洗技術(shù)的應(yīng)用及其工作機(jī)理
等離子體清洗設(shè)備通常比UV-臭氧設(shè)備體積更大、成本更高且結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，其組成部分包括真空泵、幾百瓦功率....
低功耗CMOS設(shè)計的工藝選擇
低功耗CMOS集成電路設(shè)計作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研究方向，其發(fā)展脈絡(luò)與行業(yè)需求緊密交織，自20世紀(jì)70....
橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS的工作原理和核心應(yīng)用
在這個萬物互聯(lián)的時代，你的手機(jī)信號能夠穩(wěn)定覆蓋數(shù)公里，背后的功臣是一個你可能從未聽過的核心器件——橫....
外延應(yīng)力如何提升芯片性能
在追求更高性能的征途中，工程師們發(fā)現(xiàn)了一個免費(fèi)午餐——應(yīng)變硅技術(shù)。通過在特定區(qū)域引入晶格應(yīng)力，可以顯....
淺談常見的封裝失效現(xiàn)象
金線偏移是封裝環(huán)節(jié)中最為常見的失效形式之一，IC元器件往往因金線偏移量超出合理范圍，導(dǎo)致相鄰金線相互....
深度解析薄膜應(yīng)力與晶圓曲率法
薄膜是現(xiàn)代微電子、光子學(xué)與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件最基礎(chǔ)的構(gòu)成單元，小到芯片里的導(dǎo)電層、絕緣層，大....
淺談芯片設(shè)計中的標(biāo)準(zhǔn)單元
在數(shù)字芯片設(shè)計領(lǐng)域，標(biāo)準(zhǔn)單元（Standard Cell）是構(gòu)成復(fù)雜芯片功能的基礎(chǔ)構(gòu)件。它是指經(jīng)過預(yù)....
ESD防護(hù)設(shè)計的核心準(zhǔn)則
在集成電路（IC）的設(shè)計、制造、封裝、測試及應(yīng)用全流程中，靜電放電（ESD）是最常見且破壞性極強(qiáng)的隱....
集成電路制造工藝中的COAG技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的跨代演進(jìn)中，我們往往將目光聚焦于光刻機(jī)（EUV）的波長抑或是晶體管架構(gòu)（從Plan....
2.5DIC集成在寬I/O接口領(lǐng)域的實際應(yīng)用
2.5DIC集成在寬I/O接口領(lǐng)域有著重要的實際應(yīng)用，其核心結(jié)構(gòu)由一塊采用TSV（硅通孔）技術(shù)的無源....
半導(dǎo)體制造中的側(cè)墻工藝介紹
側(cè)墻工藝是半導(dǎo)體制造中形成LDD結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，能有效抑制熱載流子效應(yīng)。本文從干法刻蝕原理出發(fā)，深度解析....
現(xiàn)代微電子器件封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和基本類型
在現(xiàn)代微電子技術(shù)體系中，微電子器件封裝技術(shù)已演變?yōu)檫B接芯片設(shè)計與系統(tǒng)應(yīng)用的橋梁性學(xué)科，其戰(zhàn)略地位隨A....
芯片制造中的硅片表面細(xì)拋光與最終拋光加工工藝介紹
硅片表面細(xì)拋光作為實現(xiàn)超精密加工的關(guān)鍵工序，其核心在于通過精準(zhǔn)調(diào)控拋光布材質(zhì)、拋光液成分及工藝參數(shù)，....
集成電路制造中多晶硅柵刻蝕工藝介紹
在集成電路制造中，柵極線寬通常被用作技術(shù)節(jié)點的定義標(biāo)準(zhǔn)，線寬越小，單位面積內(nèi)可容納的晶體管數(shù)量越多，....
