功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
森國(guó)科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管（SiC JBS）
微基站內(nèi)部電源系統(tǒng)系統(tǒng)中對(duì)交流接觸器的選用、斷路器熔斷器及空氣開(kāi)關(guān)的選用、保護(hù)電路的設(shè)計(jì)、交流電量檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)、防雷及抗涌措施的選擇等要符合規(guī)范。...
2021-03-10 標(biāo)簽：視頻監(jiān)控5G碳化硅二極管森國(guó)科5G基站電源森國(guó)科碳化硅二極管視頻監(jiān)控 1800
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管，進(jìn)一步提高效率
由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。...
2021-02-23 標(biāo)簽：英飛凌IGBT肖特基勢(shì)壘二極管 2055
Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能...
2021-02-23 標(biāo)簽：MOSFET晶圓DC-DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器寄生電感 1605
安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp （Rdson * area）。...
2021-02-19 標(biāo)簽：MOSFET電磁干擾安森美半導(dǎo)體碳化硅車載充電器 1599
Vishay新款高溫NTC熱敏電阻適合應(yīng)用于汽車快速、高精度溫度檢測(cè)
器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，耐高溫達(dá)+185 °C，熱梯度小于0.01 K/K，空氣中響應(yīng)時(shí)間為6秒。...
納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問(wèn)世，全新額定電壓650V/800V的大功率
在傳統(tǒng)硅充電器一半的體積和重量情況下，氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。...
2021-02-19 標(biāo)簽：氮化鎵硅芯片納微半導(dǎo)體 4757
Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求
通過(guò)新投資支持全球戰(zhàn)略，滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。新投資與公司的發(fā)展...
2021-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件Nexperia 3037
X-FAB推出最新一代雪崩光電二極管和單光子雪崩二極管器件
性能提升最明顯的領(lǐng)域之一是光子探測(cè)概率（PDP）。405nm波長(zhǎng)入射光PDP數(shù)值為42%，而在近紅外（NIR）頻率上的改進(jìn)幅度更進(jìn)一步，高達(dá)150%；850nm波長(zhǎng)PDP數(shù)值為5%。...
全球領(lǐng)先！納微半導(dǎo)體氮化鎵芯片出貨量超1300萬(wàn)顆
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。...
2021-01-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 2256
Vishay推出適用于強(qiáng)調(diào)高可靠應(yīng)用領(lǐng)域的新型含鉛（Pb）端接涂層SMD MLCC
Vishay Vitramon VJ.。..32含鉛涂層系列端接涂層最小含鉛（Pb）量為4 %。此前，含鉛（Pb）端接涂層專門(mén)用于昂貴的高可靠性器件。...
氮矽科技預(yù)計(jì)年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片的快充產(chǎn)品
氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料，目前已經(jīng)在快充市場(chǎng)呈現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。...
2021-01-15 標(biāo)簽：芯片制造氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)PD快充 1591
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。...
2021-01-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻SiC功率模塊科銳 1988
Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級(jí)P溝道MOSFET
業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會(huì)指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說(shuō)明SiC MOSFET比其他器件好三倍嗎？...
2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)漏極電流 3865
基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資，打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)
全系碳化硅分立器件、模塊產(chǎn)品分別依據(jù)AEC-Q101、AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行可靠性測(cè)試，產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到驗(yàn)證遵循汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，打造車規(guī)級(jí)質(zhì)量水平。...
2021-01-06 標(biāo)簽：功率器件碳化硅晶圓制造基本半導(dǎo)體 1268
MOS管漲價(jià)最新消息mosfet價(jià)格走勢(shì)長(zhǎng)紅 Diodes 士蘭微等陸續(xù)發(fā)布漲價(jià)通知
受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響，近日，國(guó)內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）廠商發(fā)布漲價(jià)通知，目前已累計(jì)四家MOS管廠商已經(jīng)啟動(dòng)漲價(jià)，漲幅達(dá)到20%。 1、Diodes交期延長(zhǎng)至...
2020-12-30 標(biāo)簽：MOSFETDiodes晶體管MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5160
USB供電、915 MHz ISM無(wú)線電頻段、具有過(guò)溫管理功能的1W功率放大器
電路的RF輸入信號(hào)必須通過(guò)表面聲波（SAW）濾波器，以將驅(qū)動(dòng)放大器的輸入限制為902 MHz至928 MHz頻段。...
2020-12-29 標(biāo)簽：功率放大器usbISM聲波濾波器ISMusb信號(hào)源分析儀功率放大器聲波濾波器 3533
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET，導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。...
一文知道IGBT和MOSFET的工作區(qū)命名
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件，在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)就可以了，但估計(jì)很少人能夠說(shuō)出IGBT和MOSFET工作區(qū)的命名和區(qū)別，同時(shí)由于不同參考書(shū)對(duì)工作區(qū)的...
如何通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化
SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢(shì)源于它們的帶隙，價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價(jià)帶移動(dòng)到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。...
2021-02-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBT電源開(kāi)關(guān)SiC汽車設(shè)計(jì) 3057
功率模塊底板的選擇標(biāo)準(zhǔn)及材料介紹
我們繼續(xù)來(lái)聊聊最底層的那塊——功率模塊的底板...... 底板作為絕緣沉底的機(jī)械支撐，一是吸收功率器件內(nèi)部產(chǎn)生的熱量，二來(lái)要將熱量傳遞出去，必須具有較高的熱導(dǎo)率才能有效地傳遞熱量...
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于汽車感性負(fù)載控制
雙MOSFET器件通過(guò)節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性，簡(jiǎn)化汽車電磁閥控制電路。...
TDK推出用于導(dǎo)電粘接安裝的新型貼片NTC熱敏電阻
TDK旨在通過(guò)增加貼片尺寸和熱敏電阻特性，以及擴(kuò)大工作溫度范圍來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求，從而不斷擴(kuò)大NTCSP系列產(chǎn)品的陣容。...
SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來(lái)，應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。...
2020-11-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)CISSOIDSiC功率半導(dǎo)體 2234
隨著器件功耗的增加，氮化鎵技術(shù)正走向成熟
目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SJMOSFET）來(lái)調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概13磅，能效約為94%。...
2020-11-05 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵工業(yè)電源寬禁帶 1819
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