電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>
IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
看完后，搞懂開關(guān)電源設(shè)計的這些指標(biāo)一點(diǎn)都不難！
中國一般是220V，由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定，很多時候要求寬電壓輸入，所以會設(shè)計成90-270V都能正常工作。通常美國用電范圍為110-130V，日本用電范圍為100V。...
2023-07-11 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源MOS管IGBTPSRR 2452
晶閘管怎么調(diào)節(jié)電壓 三相反并聯(lián)晶閘管原理
最簡單的晶閘管電壓調(diào)節(jié)方法是單相半波控制。通過在交流電源的正半周中將晶閘管導(dǎo)通，可以截取正半周的部分電壓，并將其送入負(fù)載。通過改變晶閘管導(dǎo)通角度或?qū)〞r間來控制輸出電壓的...
晶閘管觸發(fā)電路有什么用 晶閘管觸發(fā)電路工作原理
通過觸發(fā)電路來控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷，可以實(shí)現(xiàn)對電能的精確控制和調(diào)節(jié)。例如，用于調(diào)節(jié)電動機(jī)的轉(zhuǎn)速，對照明燈光進(jìn)行調(diào)光，控制電加熱器的功率等。...
晶閘管的工作過程是什么 晶閘管可控整流電路工作原理
當(dāng)晶閘管的門極接收到足夠的正向觸發(fā)脈沖時，晶閘管會從堵塞狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時，晶閘管的陽極和陰極之間會形成一個低阻抗通路，允許電流流經(jīng)晶閘管。...
RVDT位移傳感器的工作原理是什么？
但其實(shí)和LVDT類似，還有用于角度測量的RVDT=Rotary Variable Differential Transformer，叫**旋轉(zhuǎn)可變差動變壓器。**...
2023-07-10 標(biāo)簽：機(jī)器人位移傳感器旋轉(zhuǎn)變壓器光學(xué)編碼器RVDT傳感器位移傳感器光學(xué)編碼器旋轉(zhuǎn)變壓器機(jī)器人 9134
雷達(dá)的常見分類方法及發(fā)展趨勢
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提高雷達(dá)的性能。...
功率器件具體都要進(jìn)行哪些測試？
1940年，貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年，美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。...
2023-07-10 標(biāo)簽：整流器探測器晶閘管功率半導(dǎo)體電路控制 3117
一文讀懂汽車芯片—電源轉(zhuǎn)換類芯片
電源芯片是指對電源進(jìn)行變換或者控制，為負(fù)載正常工作提供合適的電壓或者電流的集成電路芯片...
2023-07-10 標(biāo)簽：處理器電池管理IGBT脈沖調(diào)制器電源芯片 1061
如何評估開關(guān)的通流能力？
通用模擬開關(guān)廣泛用于掃地機(jī)器人、交換機(jī)、通訊基站等應(yīng)用中，主要用于信號切換，包含系統(tǒng)輸入信號的選擇、功率器件的控制信號切換和通訊接口的切換等。...
AMB通用技術(shù)問題—翹曲及其解決方案
AMB陶瓷覆銅基板是一個復(fù)合結(jié)構(gòu)：銅箔/焊料/陶瓷/焊料/銅箔，不同材料之間的CTE、楊氏模量、導(dǎo)熱性能也存在差異。...
聊聊永磁同步電機(jī)的一種安全狀態(tài)：FreeWheel
所謂FreeWheel其實(shí)就是將逆變器6個開關(guān)器件全部關(guān)斷，即工業(yè)變頻領(lǐng)域常說的關(guān)管或者自由停機(jī)。...
2023-07-07 標(biāo)簽：二極管永磁同步電機(jī)逆變器IGBT三相電流 5314
什么是過調(diào)制？PWM過調(diào)制有什么好處？
通常，我們用的SVPWM是在上圖中的白色內(nèi)圓里，輸出的相電壓幅值能到Vdc/sqrt(3)。這塊區(qū)域叫線性區(qū)，線性的意思是給定電壓和輸出電壓完全成比例關(guān)系。...
2023-07-07 標(biāo)簽：IGBT調(diào)節(jié)器SVPWMDPWMPWM調(diào)制 15576
GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學(xué)取得新突破
GaN基Micro LED與其驅(qū)動（如HEMT、MOSFET等）的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢，獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的Micro LED集成單元，其在Micro LED透明顯示、柔性顯示以及可...
一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的...
2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管IGBT晶體管電驅(qū)系統(tǒng) 2001
氮化硅是半導(dǎo)體材料嗎 氮化硅的性能及用途
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)...
2023-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化硅半導(dǎo)體材料寬帶隙半導(dǎo)體氮化硅 7631
氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)工藝 氮化鋁和氮化硅的性能差異
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
