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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。
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2D、2.5D和3D立體封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于倒裝芯片和晶圓級(jí)封裝工藝中，成為后摩爾時(shí)代芯片性能提升的核心支撐技術(shù)。
現(xiàn)代微電子器件封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和基本類(lèi)型
在現(xiàn)代微電子技術(shù)體系中，微電子器件封裝技術(shù)已演變?yōu)檫B接芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)應(yīng)用的橋梁性學(xué)科，其戰(zhàn)略地位隨AI算力需求爆發(fā)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)而持續(xù)攀升。
塑封器件在尺寸微型化、重量輕量化、成本效益和電氣性能方面較陶瓷封裝與金屬封裝具有顯著優(yōu)勢(shì)，成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的主流選擇。
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)...
人工智能、云計(jì)算和高性能計(jì)算的快速發(fā)展對(duì)現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)傳輸帶寬和能源效率提出了更高的要求。傳統(tǒng)的可插拔光學(xué)模塊雖然在維護(hù)和升級(jí)方面具有便利性，但隨著...
采用先進(jìn)碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性
眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動(dòng)著對(duì)高性能功率器件的需求不斷增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景日益多樣，這也給電源設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料，如碳化硅 (SiC) 和氮化...
在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，已知合格芯片（KGD）作為多層芯片封裝（MCP）的核心支撐單元，其價(jià)值在于通過(guò)封裝前的裸片級(jí)嚴(yán)格篩選，確保堆疊或并聯(lián)芯片的可靠性，避免...
隨著高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）和大數(shù)據(jù)分析的快速發(fā)展，諸如CoWoS（芯片-晶圓-基板）等先進(jìn)封裝技術(shù)對(duì)于提升計(jì)算性能和效率的重要性日益凸顯。
半導(dǎo)體封裝正快速走向“堆疊+融合”：PoP把邏輯和存儲(chǔ)垂直整合，先測(cè)后疊保良率;光電路組裝用光纖替代銅線，直接把光SMT做進(jìn)基板。
系統(tǒng)級(jí)立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用
系統(tǒng)級(jí)立體封裝技術(shù)作為后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)的核心突破方向，正以三維集成理念重構(gòu)電子系統(tǒng)的構(gòu)建邏輯。
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)CoWoP封裝技術(shù)
半導(dǎo)體行業(yè)正面臨傳統(tǒng)封裝方法的性能極限，特別是在滿足AI計(jì)算需求的爆炸性增長(zhǎng)方面。CoWoP（芯片晶圓平臺(tái)印刷線路板封裝）技術(shù)的出現(xiàn)，代表了系統(tǒng)級(jí)集成方...
數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)正在經(jīng)歷向光電共封裝（CPO）交換機(jī)的根本性轉(zhuǎn)變，這種轉(zhuǎn)變主要由其顯著的功耗效率優(yōu)勢(shì)所驅(qū)動(dòng)。在OFC 2025展會(huì)上，這一趨勢(shì)變得極為明...
2025-08-22 標(biāo)簽：封裝技術(shù)數(shù)據(jù)中心光模塊 3.5k 0
光電共封裝（Co-Packaged Optics，CPO）代表了光互連技術(shù)的新發(fā)展方向，這種技術(shù)將光學(xué)器件直接集成到電子線路的同一封裝內(nèi)。傳統(tǒng)光模塊依賴(lài)...
積層多層板的歷史、特點(diǎn)和關(guān)鍵技術(shù)
積層多層板的制作方式是在絕緣基板或傳統(tǒng)板件（雙面板、多層板）表面交替制作絕緣層、導(dǎo)電層及層間連接孔，通過(guò)多次疊加形成所需層數(shù)的多層印制板。
3D封裝的優(yōu)勢(shì)、結(jié)構(gòu)類(lèi)型與特點(diǎn)
近年來(lái)，隨著移動(dòng)通信和便攜式智能設(shè)備需求的飛速增長(zhǎng)及性能的不斷提升，對(duì)半導(dǎo)體集成電路性能的要求日益提高。然而，當(dāng)集成電路芯片特征尺寸持續(xù)縮減至幾十納米，...
TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域
2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣，會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整，涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、T...
集成電路傳統(tǒng)封裝技術(shù)主要依據(jù)材料與管腳形態(tài)劃分：材料上采用金屬、塑料或陶瓷管殼實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)封裝；管腳結(jié)構(gòu)則分為表面貼裝式（SMT）與插孔式（PIH）兩類(lèi)。其...
在柔性混合電子（FHE）系統(tǒng)中，柔性實(shí)現(xiàn)的難點(diǎn)在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。硅基芯片、金屬互連、聚合物基板等組件的彈性模量差異巨大，硅的脆性與金屬的延展性形成...
TPS51362 具有超低靜態(tài)電流的 3V 至 22V、10A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51362 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉(zhuǎn)換器，基于 DCAP-2 控制拓?fù)?，可?shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng) 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸...
TPS51363 3V 至 22V、8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51363 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉(zhuǎn)換器，基于 D-CAP2 控制拓?fù)洌蓪?shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng) 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸...
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