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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。
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裸芯通過微凸點(diǎn)組裝到Interposer上,如上圖所示。其Interposer上堆疊了三顆裸芯。Interposer包括兩種類型的互聯(lián):①由微凸點(diǎn)和In...
按功能種類劃分,車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體大致可分為主控/計(jì)算類芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)、傳感器(...
2023-04-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器封裝技術(shù)車規(guī)級(jí)芯片 5k 0
封裝技術(shù)的發(fā)展歷程 存儲(chǔ)器容量需求是否影響芯片技術(shù)
扇出型晶圓級(jí)封裝(Fan-out wafer-level packaging, 簡(jiǎn)稱Fan-out WLP):通過擴(kuò)展芯片,在外部區(qū)域形成一個(gè)用于外部連...
Infineon芯片是一種多集成的無線基帶SoC芯片。功能(GPS、調(diào)頻收音機(jī)、BT.)同樣的eWLB產(chǎn)品也有自2010年以來,諾基亞一直在生產(chǎn)手機(jī)。
Chiplet無法規(guī)?;涞氐闹饕夹g(shù)難點(diǎn)
隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景的爆發(fā),對(duì)算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSM...
Lge(無線基帶)、Samsung(基帶調(diào)制解調(diào)器)和Nokia(基帶調(diào)制解調(diào)器和射頻收發(fā)器)使用了Infineon的eWLB他們的手機(jī)產(chǎn)品。
2023-03-27 標(biāo)簽:調(diào)制解調(diào)器封裝技術(shù)3D芯片 1.2k 0
隨著電子產(chǎn)品走向短小輕薄以及多功能化,印制線路板也向著線路高密度高精細(xì)度、高頻率、高厚徑比方向發(fā)展,為了滿足電子產(chǎn)品的小型化,高密度化和輕量化的要求,封...
三維封裝技術(shù)是指在二維封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步向垂直方向發(fā)展的微電子組裝技術(shù)。
引線鍵合:特點(diǎn) ●批量、自動(dòng); ●鍵合參數(shù)可精密控制,導(dǎo)線機(jī)械性能重復(fù)性高, ●高速焊接: 100- 125ms/互連
探秘半導(dǎo)體制造全流程:從晶圓加工到封裝測(cè)試
前一個(gè)步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
深度解讀2.5D/3D及Chiplet封裝技術(shù)和意義
雖然Chiplet異構(gòu)集成技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化剛剛開始,但其已在諸多領(lǐng)域體現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用范圍從高端的高性能CPU、FPGA、網(wǎng)絡(luò)芯片到低端的藍(lán)牙、物聯(lián)網(wǎng)及...
長(zhǎng)電科技針對(duì)QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過的封裝體通過沖壓的方式從整條框架上分離出來,而以陣列式排布的封裝...
先進(jìn)封裝三種技術(shù):IPD/Chiplet/RDL技術(shù)
工藝選擇的靈活性。芯片設(shè)計(jì)中,并不是最新工藝就最合適。目前單硅SoC,成本又高,風(fēng)險(xiǎn)還大。像專用加速功能和模擬設(shè)計(jì),采用Chiplet,設(shè)計(jì)時(shí)就有更多選擇。
2023-03-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù)晶圓工藝 1.6萬 0
探究異構(gòu)集成時(shí)代封裝技術(shù)的意義、作用
們來看封裝工藝的四項(xiàng)主要功能。第一也是最基本的,保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受外部沖擊或損壞。第二,將外部電源傳輸至芯片,以確保芯片的正常運(yùn)行。
2023-03-08 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體封裝異構(gòu)集成 1.1k 0
封裝技術(shù)發(fā)展歷程和競(jìng)爭(zhēng)格局大解析
目前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)...
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)方...
開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)是指在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)過程中,通過合理的熱設(shè)計(jì)技術(shù),使電源能夠在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作。開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的主要技術(shù)包括熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)...
2023-02-16 標(biāo)簽:開關(guān)電源封裝技術(shù)熱設(shè)計(jì) 1.8k 0
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系 發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理
射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大,封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度。
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